| 5～10—GHz 15—W GaAs MESFET器件的设计 |
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| 引用本文： | 顾聪,高一凡.5～10—GHz 15—W GaAs MESFET器件的设计[J].微电子学,2001,31(1):65-67. |
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| 作者姓名： | 顾聪 高一凡 |
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| 作者单位： | 1. 西安微电子技术研究所,
2. 长安大学, |
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| 摘 要： | 采用多节平调阻抗变换器技术制作5～10GHz15WGaAsMESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的1／4波长，实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器，放大器在5～10GHz范围内具有9±1dB的线性增益，其1dB压缩功率为41.8±1dBm，功率附加效率为37.5±7.5％。
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| 关 键 词： | 砷化嫁 MESFET 功率放大器 阻抗变换器 |
| 文章编号： | 1004-3365（2001）01-0065-03 |
| 修稿时间： | 2000年4月17日 |
Design of a 5 |
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| GU Cong ,GAO Yi-fan.Design of a 5[J].Microelectronics,2001,31(1):65-67. |
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| Authors: | GU Cong GAO Yi-fan |
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| Affiliation: | GU Cong 1,GAO Yi-fan 2 |
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| Abstract: | A 5～10-GHz 15-W GaAs MESFET power amplifier is fabricated ba sedon a multisection maximally flat impedance transformer， whose length is designed to become a quarter wavelength at the h ighest frequency of the design band to achieve flat gain and power responses over a wide range of bandwidth. With the use of this transformer， the amplifier has achieved a linear gain of 9±1 dB， a P1dB of 41.8±1 dBm and a power-added efficiency of 37.5±7.5％ over 5～10 GHz frequency range. |
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| Keywords: | GaAs MESFET Power amplifier Impedance transformer Microwave power device |
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