| 铝诱导晶化制备多晶硅薄膜研究进展 |
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| 引用本文： | 翟小利,谭瑞琴,戴世勋,王维燕,黄金华,宋伟杰.铝诱导晶化制备多晶硅薄膜研究进展[J].材料导报,2012,26(21):148-152. |
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| 作者姓名： | 翟小利 谭瑞琴 戴世勋 王维燕 黄金华 宋伟杰 |
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| 作者单位： | 1. 宁波大学信息科学与工程学院,宁波,315211
2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201 |
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| 基金项目： | 宁波市新型光电功能材料及器件创新团队资助 |
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| 摘 要： | 铝诱导晶化(AIC)技术制备多晶硅(Poly-Si)薄膜因处理温度低、退火时间短,且所制备的薄膜晶粒尺寸大而受到广泛关注。阐述了AIC法制备Poly-Si薄膜的交换机制,着重讨论了AIC过程中工艺条件对制备Poly-Si薄膜质量的影响,简单介绍了AIC制备的Poly-Si薄膜在太阳电池器件方面的研究现状,并指出提高AIC法制备的Po-ly-Si薄膜籽晶层及外延层质量以改善薄膜电池性能是今后的重点研究方向。
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| 关 键 词： | 铝诱导晶化 多晶硅薄膜 太阳电池 |
Research Progress in Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by Aluminum Induced Crystallization |
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| ZHAI Xiaoli
,
TAN Ruiqin
,
DAI Shixun
,
WANG Weiyan
,
HUANG Jinhua
,
SONG Weijie.Research Progress in Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by Aluminum Induced Crystallization[J].Materials Review,2012,26(21):148-152. |
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| Authors: | ZHAI Xiaoli TAN Ruiqin DAI Shixun WANG Weiyan HUANG Jinhua SONG Weijie |
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| Affiliation: | 1 College of Information Science and Engineering,Ningbo University,Ningbo 315211;2 Ningbo Institute of Material Technology and Engineering,Chinese Academy of Sciences,Ningbo 315201) |
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| Abstract: | |
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