Cs/p—GaAs(100)表面的变角XPS研究 |
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引用本文: | 汪贵华,杨传毅.Cs/p—GaAs(100)表面的变角XPS研究[J].真空科学与技术,2000,20(3):176-178,206. |
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作者姓名: | 汪贵华 杨传毅 |
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摘 要: | 在实验数据的基础上,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序,应用了新算法,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p-GaAs(100)表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光电发射时,Cs覆盖率为0.71个单层,Ga、As弛豫层厚度为2.3个单层,Ga相对.As轻微富集。
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关 键 词: | 砷化镓 铯吸附 变角XPS 覆盖率 表面层结构 |
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