| 图形蓝宝石基GaN性能的研究 |
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| 引用本文： | 彭冬生?,冯玉春,郑瑞生,牛憨笨. 图形蓝宝石基GaN性能的研究[J]. 电子器件, 2009, 32(2) |
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| 作者姓名： | 彭冬生? 冯玉春 郑瑞生 牛憨笨 |
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| 作者单位： | 深圳大学光电工程学院,深圳,518060;深圳大学光电工程学院,深圳,518060;深圳大学光电工程学院,深圳,518060;深圳大学光电工程学院,深圳,518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，深圳大学科研启动基金 |
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| 摘 要： | 在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响.测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,x射线摇摆曲线中.其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec.透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带.
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| 关 键 词： | GaN薄膜 性质 表面处理 MOCVD |
The Study of GaN properties grown on patterned sapphire substrate |
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| Peng Dong-sheng?,Feng Yu-chun,Zheng Rui-sheng,Niu Han-ben?. The Study of GaN properties grown on patterned sapphire substrate[J]. Journal of Electron Devices, 2009, 32(2) |
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| Authors: | Peng Dong-sheng? Feng Yu-chun Zheng Rui-sheng Niu Han-ben? |
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| Affiliation: | College of optoelectronic engineering;Shenzhen University;Shenzhen 518060;China |
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| Abstract: | The effects of pretreated time for sapphire substrate on GaN optical properties have been studied,under the same etched temperature.Optical properties are analyzed by transmission spectrum and room temperature photoluminescence spectrum,and the crystal properties are analyzed by high-resolution double crystal X-ray diffraction,these results indicates that the optical and crystal quality of GaN films grown on pretreated sapphire substrate for 50 minutes is the best,in which the full widths at half maximum(FW... |
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| Keywords: | MOCVD |
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