| 新型金刚石薄膜场电子发射的特性 |
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| 引用本文： | 陈光华, 张阳, 张生俊, 宋雪梅, 李英兰. 新型金刚石薄膜场电子发射的特性[J]. 北京工业大学学报, 2000, 26(3): 116-119. |
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| 作者姓名： | 陈光华 张阳 张生俊 宋雪梅 李英兰 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学材料科学与工程学院，北京， 100022
2. 北京理工大学材料研究中心，北京， 100081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;19874007,69876003; |
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| 摘 要： | 介绍了用微波CVD法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极,阈值电压低于1.09 V/μm,场发射电流密度高达418 mA/cm2,这是目前文献中报道的最好结果之一.文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制.
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜 场电子发射 负电子亲和势(NEA) |
| 收稿时间： | 2000-05-12 |
| 修稿时间： | 2000-05-12 |
Field Emission Characteristic and Mechanism of a Novel Diamond Films Cathode |
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| Chen Guanghua, Zhang Yang, Zhang Shengjun, Song Xuemei, Li Yinglan. Field Emission Characteristic and Mechanism of a Novel Diamond Films Cathode[J]. Journal of Beijing University of Technology, 2000, 26(3): 116-119. |
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| Authors: | CHEN Guanghua Zhang Yang ZHANG Shengjun Song Xuemei Li Yinglan |
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| Abstract: | Field emitter is the key of vacuum microelectronic devices. A novel diamond films field emission cathode, with characteristic of threshold voltage as low as 1.09 V/μ m and emission current density as high as 418 mA/cm2, was reported. It was fabricated with a microwave CVD technique. The emission mechanism was also investigated. |
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| Keywords: | diamond films field electron emission negative electron affinity (NEA) |
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