近红外GaAs上变频器 Near Infrared GaAs Up Converter期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

近红外GaAs上变频器

引用本文：	岳桢干.近红外GaAs上变频器[J].红外,2009,30(9):34-34.

作者姓名：	岳桢干

作者单位：

摘要：	据杂志报道,硅CCD摄像机通常对波长在1.2μm～1.6μm区域的红外辐射不敏感而敏感于波长在1μm以下的红外辐射,要想用这种摄像机对波长在1.2μm～1.6μm范围内的红外辐射进行成像,就得用上变频器的方法使光的波长短于1μm.
关键词：	光探测器上变频器发射波长摄像机近红外发光二极管红外辐射
Near Infrared GaAs Up Converter

Abstract:

Keywords:
本文献已被 CNKI 维普万方数据等数据库收录！