4英寸X轴铌酸锂晶体生长

本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体，分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。得出了通过建立较小的径向温度梯度，合适的轴向温场；选用优质籽晶；采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。