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| 双极晶体管频率达到210GHz | |
| 引用本文： | 华.双极晶体管频率达到210GHz[J].电子产品世界,2001(19). |
| 作者姓名： | 华 |
| 摘 要： | IBM微电子公司开发了一种SiGe材料的异质结双极晶体管(HBT)，可运行在210GHz频率下。开发的成功表明取得了很大进展，它将扩展Si器件进入40Gbit/s以上的通信市场。IBM采取运行在130MHz的0.18mm的SiGe工艺,使晶体管的频率超过了 200GHz，并降低晶体管基极的垂直厚度。IBM的晶体管截止频率(fT)是210GHz，不但比原来的器件快75%，而且比其它SiGe晶体管快得多。例如日立公司去年公布的0.2mm SiGe HBT的 fT是76GHz。其它材料，如InP，由于具有更高的性能，正被看好运用到高速通信中，但是它们的制造成本更为昂贵。IBM声称它的H… |
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