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不同衬底上LaNiO3导电氧化物薄膜的制备和研究
引用本文:李建康,姚熹.不同衬底上LaNiO3导电氧化物薄膜的制备和研究[J].功能材料与器件学报,2005,11(3):318-322.
作者姓名:李建康  姚熹
作者单位:苏州科技学院电子与信息工程系,苏州,215011;西安交通大学电子材料研究所,西安,710049
基金项目:国家重点基础研究发展计划(No.2002CB613304);江苏省自然科学基金(BK2005039)
摘    要:通过MOD法和快速热处理过程,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电氧化物薄膜.经XRD结构分析表明,所制备的LNO薄膜具有纯的钙钛矿结构,并且以(100)方向择优取向.经SEM和AFM分析表明,LNO薄膜具有表面均匀、无裂纹.经标准四探针法测试表明,LNO薄膜具有好的金属特性,其室温电阻率为7.6×10-4Ω·cm.铁电性能测试表明,LNO薄膜可以提高PZT铁电薄膜的剩余极化强度.

关 键 词:LaNiO3薄膜  快速热处理  钙钛矿结构
文章编号:1007-4252(2005)03-0318-05
收稿时间:2005-01-14
修稿时间:2005-03-03

Preparation and study of conductive LaNiO3 thin films on different substrates
LI Jian-Kang,YAO Xi.Preparation and study of conductive LaNiO3 thin films on different substrates[J].Journal of Functional Materials and Devices,2005,11(3):318-322.
Authors:LI Jian-Kang  YAO Xi
Affiliation:LI Jian-kang~1,YAO Xi~2
Abstract:
Keywords:LaNiO3 thin films  rapid thermal process  perovskite-type structure
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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