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| 氢化非晶硅薄膜的性能研究 | |
| 作者姓名： | 叶林 刘卫国 |
| 作者单位： | 西安工业学院光电微系统研究所,西安,710032;西安工业学院光电微系统研究所,西安,710032 |
| 摘 要： | 本文研究了PECVD系统沉积薄膜及其特性．通过椭偏仪测出了薄膜的膜厚, 采用电子薄膜应力分布测试仪分析了薄膜应力,并运用四探针装置研究了电阻率、方阻、TCR及它们之间的相互关系。结果表明,所沉积的薄膜覆形特性好、沉积速度快, 沉积速率达到了31．89nm／min,另外,它还具有低应力、高TCR的特点;当薄膜电阻率处在一定的范围内时,通过数据分析,电阻率与TCR之间几乎成线性关系． |
| 关 键 词： | PECVD α-Si:H 工艺参数 应力 TCR |
| 文章编号： | 1672-8785（2006）06-0025-04 |
| 收稿时间： | 2005-11-28 |
| 修稿时间： | 2005-11-28 |
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