| 低温沉积ZnO薄膜的压敏特性及其热处理影响 |
| |
| 引用本文： | 夏姣贞,陆慧,王璞,徐晓峰,杜明贵. 低温沉积ZnO薄膜的压敏特性及其热处理影响[J]. 半导体学报, 2006, 27(10): 1763-1766 |
| |
| 作者姓名： | 夏姣贞 陆慧 王璞 徐晓峰 杜明贵 |
| |
| 作者单位： | 华东理工大学物理系,上海,200237;华东理工大学物理系,上海,200237;华东理工大学物理系,上海,200237;华东理工大学物理系,上海,200237;华东理工大学物理系,上海,200237 |
| |
| 摘 要： | 采用GDARE法在较低温度下,通过一次和多次沉积制备单层及多层ZnO薄膜.AFM和XRD分析表明,薄膜具有以ZnO(002)晶面取向为主的多晶结构,多层膜的晶粒尺寸增大.经200～300℃退火热处理,薄膜呈现出良好的低压压敏特性.经200℃退火热处理后,多层ZnO薄膜的非线性系数达到61.54,压敏电压20.10V.在一定范围内升高热处理温度,可明显降低压敏电压.分析了不同膜层及热处理温度对ZnO薄膜压敏特性的影响机理.
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 低温 膜层 热处理 压敏电压 非线性系数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)10-1763-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-10 |
| 修稿时间： | 2006-04-29 |
Effects of Heat Treatment on the Varistor Performance of ZnO Thin Films Deposited at Low Temperatures |
| |
| Xia Jiaozhen,Lu Hui,Wang Pu,Xu Xiaofeng and Du Minggui. Effects of Heat Treatment on the Varistor Performance of ZnO Thin Films Deposited at Low Temperatures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(10): 1763-1766 |
| |
| Authors: | Xia Jiaozhen Lu Hui Wang Pu Xu Xiaofeng Du Minggui |
| |
| Affiliation: | Department of Physics,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China;Department of Physics,East China University of Science and Technology,Shanghai 200237,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO thin film low temperature layer heat treatment varistor voltage nonlinearity coefficient |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
