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| GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究 | |
| 引用本文： | 李涵秋,陆奋.GaAs_(1-x)P_x中N-等电子陷阱的研究[J].半导体学报,1983,4(2):187-190. |
| 作者姓名： | 李涵秋 陆奋 |
| 作者单位： | 复旦大学 (李涵秋)，复旦大学(陆奋) |
| 摘 要： | 本文用集团模型EHT方法计算GaAs_(1-x)Px中的N-等电子陷阱能级.计算表明,必须计入原子的激发态轨道才能使结果得到较为实质的改善. |
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