| BiVO4掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷介电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 周焕福,黄金亮,王茹玉,殷镖,孙道明. BiVO4掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷介电性能的影响[J]. 硅酸盐学报, 2005, 33(12): 1453-1456 |
| |
| 作者姓名： | 周焕福 黄金亮 王茹玉 殷镖 孙道明 |
| |
| 作者单位： | 河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003;河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003;河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003;河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003;河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003 |
| |
| 基金项目： | 教育部留学归国人员科研基金（2003-14）资助项目. |
| |
| 摘 要： | 采用传统陶瓷工艺制备了BiVO4掺杂的(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(bismuth zincate niobate,BZN)介质陶瓷,用X射线衍射、扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明BiVO4掺杂能显著降低BZN的烧结温度,由1 000℃降至850℃,同时可优化频率温度系数τf,由-450×10-6/℃变为-254×10-6/℃.BiVO4的掺杂量为5%,烧结温度为900℃时,BZN陶瓷具有较好的介电性能介电常数ε=153,品质因数Q=2 100,频率温度系数τf=-350×10-6/℃.
|
| 关 键 词： | 锌铌酸铋陶瓷 钒酸铋掺杂 显微结构 介电性能 |
| 文章编号： | 0454-5648（2005）12-1453-01 |
| 收稿时间： | 2005-02-21 |
| 修稿时间： | 2005-07-14 |
EFFECT OF BiVO4 DOPING ON DIELECTRIC PROPERTIES OF (Bi1.5Zn0. 5 )(Zn0. 5Nb1.5)O7 CERAMICS |
| |
| ZHOU Huanfu,HUANG Jinliang,WANG Ruyu,YIN Biao,SUN Daoming. EFFECT OF BiVO4 DOPING ON DIELECTRIC PROPERTIES OF (Bi1.5Zn0. 5 )(Zn0. 5Nb1.5)O7 CERAMICS[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2005, 33(12): 1453-1456 |
| |
| Authors: | ZHOU Huanfu HUANG Jinliang WANG Ruyu YIN Biao SUN Daoming |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | bismuth zincate niobate ceramics bismuth vanadate doping microstructure dielectric property |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
