| 二硅化钼材料低温氧化的研究进展 |
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| 引用本文： | 王刚,赵世柯,江莞.二硅化钼材料低温氧化的研究进展[J].无机材料学报,2001,16(6):1041-1048. |
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| 作者姓名： | 王刚 赵世柯 江莞 |
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| 作者单位： | 中科院上海硅酸盐研究所 |
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| 基金项目： | 中科院“百人计划”项目资助(2000.8-2003.8) |
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| 摘 要： | 介绍了二硅化钼低温氧化的研究进展，对当今几种二硅化钼材料低温氧化发生“Pesting”现象的机理模型及改善低温抗氧化的方法进行了评述，在此基础上提出了今后的二硅化钼低温氧化研究的重点和方向。
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| 关 键 词： | 二硅化钼 低温氧化 Pesting 热力学 动力学 |
| 文章编号： | 1000-324(2001)06-1041-08 |
| 收稿时间： | 2000-11-24 |
| 修稿时间： | 2000年11月24 |
Progress in the Low Temperature Oxidation of MoSi2 |
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| WANG Gang,ZHAO Shi-Ke,JIANG Wan.Progress in the Low Temperature Oxidation of MoSi2[J].Journal of Inorganic Materials,2001,16(6):1041-1048. |
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| Authors: | WANG Gang ZHAO Shi-Ke JIANG Wan |
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| Affiliation: | StateKeyLabofHighPerformanceCeramicsandSuperfineMicrostructure;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molybdenum disilicide low temperature oxidation Pesting |
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