| 2～3μmGaAs基InAs/GaSb超晶格材料 |
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| 引用本文： | 郝瑞亭,徐应强,周志强,任正伟,牛智川.2～3μmGaAs基InAs/GaSb超晶格材料[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 郝瑞亭 徐应强 周志强 任正伟 牛智川 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.InAs/GaSb超晶格材料的成功生长是制备这类红外探测器件重要的第一步.
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| 关 键 词： | GaSb InAs/GaSb超晶格 GaAs 分子束外延 |
2～3 μm GaAs based InAs/GaSb superlattices |
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| HAO Rui-ting,XU Ying-qiang,ZHOU Zhi-qiang,REN Zheng-wei,NIU Zhi-chuan.2～3 μm GaAs based InAs/GaSb superlattices[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | HAO Rui-ting XU Ying-qiang ZHOU Zhi-qiang REN Zheng-wei NIU Zhi-chuan |
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