电子封装陶瓷基板 |
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引用本文: | 程浩,陈明祥,罗小兵,彭洋,刘松坡.电子封装陶瓷基板[J].现代技术陶瓷,2019(4). |
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作者姓名: | 程浩 陈明祥 罗小兵 彭洋 刘松坡 |
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作者单位: | 华中科技大学机械科学与工程学院;华中科技大学能源与动力工程学院;武汉利之达科技股份有限公司 |
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摘 要: | 随着功率器件特别是第三代半导体的崛起与应用,半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展,对封装基板性能也提出了更高要求。陶瓷基板(又称陶瓷电路板)具有热导率高、耐热性好、热膨胀系数低、机械强度高、绝缘性好、耐腐蚀、抗辐射等特点,在电子器件封装中得到广泛应用。本文分析了常用陶瓷基片材料(包括Al_2O_3、AlN、Si_3N_4、BeO、SiC和BN等)的物理特性,重点对各种陶瓷基板(包括薄膜陶瓷基板TFC、厚膜印刷陶瓷基板TPC、直接键合陶瓷基板DBC、直接电镀陶瓷基板DPC、活性金属焊接陶瓷基板AMB、激光活化金属陶瓷基板LAM以及各种三维陶瓷基板等)的制备原理、工艺流程、技术特点和具体应用等进行了论述,最后对电子封装陶瓷基板发展趋势进行了展望。
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