VVMOS功率晶体管的负阻击穿

VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一些作者报道MOS器件有负阻击穿效应,而这种负阻击穿效应也会引起二次击穿,导致器件烧毁。我们在测量自制的VVMOS晶体管时,也观察到了负阻击穿,经过研究,提出了纵向寄生npn双极晶体管的VVMOS晶体管负阻击穿模型,在此基础上还提出了几种抑制负阻击穿效应的方法,在采用了这些方法后,负阻击穿效应被减弱,甚至被消除,从而证实了所提出的VVMOS晶体管负阻击穿模型。     

复合功率晶体管——新颖音放功率管

一、概述目前,半导体功率器件基本上分为两部分:一为双极型功率晶体管,它的历史长,工艺成熟,应用时间长,占领了功率器件的大部分市场;另一部分为MOS功率晶体管,主要由VMOS、DMOS等组成,它是在大规模,超大规模工艺成熟之后逐步发展起来的.MOS功率晶体管输入阻抗高,且没有双极型晶体管的电荷存     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

功率BiMos——作为开关和控制应用的一种多功能IC技术

功率BiMos是一种IC技术,它兼有双极型和MOS器件的优点,具有高压纵向pnp输出晶体管。本文将讨论工艺技术、器件性能和参数以及特殊电路的应用。     

MOSFET曾被称为“摸死管”

功率MOSFET(MOS场效应晶体管)和将MOS技术与双极技术相结合而衍生的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是当前功率半导体器件的主流产品。然而，在上世纪60年代后期，我国研制MOSFET的初期，不管是分立的MOSFET还是MOS集成电路，都曾在安装、运输、存贮和应用中莫明其妙地发生栅击穿和阈值电压y，漂移等损坏现象。很快，对这种新颖器件就被传为“MOS，MOS，一摸就死”的“摸死管”，使它陷入可靠性和稳定性问题的困境。     

600V/5A场控横向光激双向可控硅开关

SIPMOS(西门子功率MOS)工艺,除用于制造MOS管外,还可制造集双极与MOS功能为一体的器件,如场效应管控制的三端双向可控硅光激开关。该器件有两个反并联的横向闸流管,采用纵向MOS管驱动,高灵敏的光电晶体管为MOS管提供栅压。横向闸流管通过互联的指型结构得以有效地利用芯片面积。 这种光激开关器件的芯片面积为4×4mm~2。正、反向阻断电压均高于600V,2mA的发光二极管(LED)电流即可触发开关,持续电流为5A,电流传输比达2500:1     

TEMIC兼顾分立元器件和IC的生产

TEMIC目前所供应的产品可分为两大类:分立元件和IC。前者包括功率MOS器件、FET开关器件、二极管、RE晶体管、双极功率开关器件和光电元件;后者则包括ASSP、MCU、功率IC、智能存储器和ASIC。在芸芸众多的产品中,     

MOS/双极型复合功率管的应用

MOS/双极型复合功率管的出现,使双极型功率晶体管的高输入阻抗成为现实.MOS/双极型复合功率管利用MOS器件与双极型器件的各自特点,采用MOS与双极型器件以达林顿形式组合成复合功率管,具有高输入阻抗,低输入驱动,高跨导,低导通阻抗,大电流特性好等优点.《PMOS/     

双极型压控晶体管模型及原理

本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压控制，具有较大的输入阻抗，兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

新型电导率调制场效应管

美国无线电公司综合MOS功率晶体管、双极型晶体管和闸流管的优点研制成功一种新型MOS场效应功率管,命名为电导率调制场效应管(COMFET),其芯片面积为120平方毫米. 新器件的导通电阻比MOS场效应管小一个数量级;当20安漏极电流流过器件时,测得其电阻小于0.1欧.它的前向截止电压达400伏,反向为100伏,因此     

功率MOS场效应晶体管的最新技术研制现状和应用动向

本文阐述了MOS系列功率器件的特性、绝缘栅双极型晶体管和集成型功率器件技术,以及它们的应用.     

了解这些 就可以搞懂IGBT

<正>绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。     

双极/MOS功率复合器件的进展

在功率半导体器件中,比较成熟,应用较广泛的主要是功率仅极晶体管、晶闸管和功率MOSFET.无论在电力控制、还是功率放大应用中,各自均具有其特色和局限性.随着VLSI工艺的发展,微细加工技术的成熟,特别是近年来在技术发展的基础上,人们设计思想的解”放,产生了双极/MOS复合为一体,取其所长,补其之短,在结构上集成,在工艺上兼容的新型复合器件.这些复合器件,较之分立的功率MOSFET功率双极器件,在性能上大有突破;促进了功率半导体器件向更广的应用领域渗透.本文在粗略分析功率MOSFET,功率双极晶体管、晶闸管现状的基础上,讨论和介绍了几种新型的双极/MOS功率复合器件,并估计了这方面的发展.     

功率MOSFET的新进展

一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。     

碳化硅电力电子器件

以硅器件为基础的电力电子技术，因大功率场效应晶体管(功率MOS)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而日臻成熟。目前这些器件的开关性能，已随其结构设计和制造工艺的相当完善，而接近其材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子器件装置与系统的潜力已十分有限。伴随新世纪的到来，实用化和商品化的碳化硅肖特基势垒功率晶体管以其初露的优势特性，证实了它在改善以硅器件为基础的电力电子技术方面将引起革命性变化。     

采用智能集成电路VK05的APFC电路设计

引言智能功率集成电路VK05专门用于半桥电子镇流器电路,采用的纵向智能功率(VIPower)专利技术,在发射极开关(共射-共基)结构内集成一个单片功率双极结型晶体管(BJT)和场效应MOS晶体管。VK05的内部结构如图1所示。该器件有5个连接引脚,其中有3个控制引脚:用于启动电子镇流器的Diac,用于自驱动半桥同步开关的Sec、用于频率设置的Osc。功率级由一个BVces=600V、IC=400mA的高压功率BJT和一个Vds=60V的低压功率场效应MOS晶体管组成。本文基于VK05提出了一种有源功率因数校正(APFC)电路的设计方案,并给出了设计规则和相关实验结果…     

绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率管高压和耐过流的优点。应用IGBJT组成中、大功率的开关稳压电源是新一代的电源高效率技术。下面就IGBJT工作原理和它在开关稳压电源中的应用实例进行分析。     

一种新型功率开关用的MOS栅双极晶体管

已研究成功一种新型单片集成功率开关器件(MOS栅晶体管MGT),其结构是:双极晶体管作输出级,两个MOS FET作驱动级。研究的目的是为了获得一种具有如下特性的功能开关器件:容易驱动,关断时间短和电流密度大。研究的器件结构特点是,在一个小单元内集成三个元件,MGT芯片由很多这种小单元组合而成。这种器件没有寄生闸流管,使它避免了闭锁现象。已研制成功具有阻塞电压为400～500伏的单元MGT器件。它能达到:在2伏集电极-发射极电压下,电流密度高达90安/平方厘米,关断时间短至1μs。一个MGT器件芯片包含36个小单元,制作在5×5mm的芯片上。在150℃时,其阻塞电压为500伏,在10A的电流下,开态电压为2.3伏,关断时间为0.5μs。     

一种新型硅三端负阻器件

提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。