水的添加量对SiO2-PEDT复合抗静电薄膜结构与性能的影响

采用3.4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)溶胶作为导电材料,利用溶胶-凝胶法制备了SiO2-PEDT复合抗静电薄膜.利用平氏粘度计研究了正硅酸乙酯水解与缩聚反应时水的加入量R对复合溶胶性质的影响;用光学显微镜观察薄膜表面结构;利用表面电阻仪研究薄膜的导电性能;用分光光度计考察薄膜的光学性能.研究表明,随水的加入量R的增大,溶胶粘度先增大后减小,在R=4时达到最大值;复合溶胶的胶凝时间缩短;膜层中的粒子增大,变密集,涂层质量降低;膜层的表面电阻逐渐增大.透过率随R增加先降低后升高,在R=4时出现最低值.     

热处理温度对ITO薄膜组织与光电性能的影响

采用溶胶-凝胶工艺制备出纳米晶ITO透明导电薄膜。采用XRD和SEM分析了薄膜物相和显微形貌。采用面电阻仪和分光光度计测量了薄膜方阻和透光率。实验结果表明,随热处理温度升高,晶化趋于完整,组织逐渐均匀致密,晶粒有所长大,700℃热处理时薄膜完全晶化。另外,随热处理温度升高,方阻减小而透光率增加。经过700℃热处理,厚度400nm的ITO膜的方阻约300Ω/□,透光率>80%。     

高性能防眩导电膜的研究

采用溶胶-凝胶工艺合成高性能防眩导电液.重点研究了主要工艺参数对防眩导电膜性能的影响规律.结果表明,SnCl4·5H2O浓度为0.28 mol/L的防眩导电膜经500℃～600℃热处理后具有较好的综合性能,其表面电阻为107Ω/□数量级、可见光透过率超过了85%,表面光泽度低于75%.     

段青辰，1985年出生，工程师，国际焊接工程师;主要从事液压支架结构件拼焊生产线非标机械设计及机器人焊接工艺研究。

研究了助焊剂中活性剂、成膏体、酸碱调节剂对Sn1.0Ag0.5Cu(SAC105)锡膏铺展和焊后残留腐蚀的影响。结果表明，活性剂含量小于8%(质量分数)时，锡膏铺展率随活性剂含量的增加而增大，锡膏焊后SIR值随活性剂质量分数的提高而减小，活性剂含量为9%，焊后SIR值降至1.6×109Ω;成膏体为PEG2000复配改性环氧树脂A时，锡膏铺展率为81.4%，焊后残留腐蚀较少，焊后10天的SIR值基本稳定在1.5×1011Ω，成膏体为松香时，锡膏铺展率为82.6%，焊后10天的SIR值为4.0×109Ω;加入一定量的酸碱调节剂三乙醇胺能提高锡膏的铺展率、降低助焊剂pH值及焊后SIR值，当三乙醇胺含量为1.0%时，焊后SIR值最大，为1.6×1012Ω。     

W-Ti-N薄膜的制备及其热稳定性

以W-10%Ti二元合金靶材为原材料,采用直流磁控溅射法在Si基体上制备了W-Ti-N三元薄膜,研究了N_2分压和溅射功率对薄膜相结构和N含量的影响;在W-Ti-N/Si结构的基础上制备了Cu/W-Ti-N/Si多层结构,并对其在不同的温度下进行真空热处理。结果表明:通过调整N_2分压和溅射功率,即N_2/Ar比为1∶3且功率为70 W时可以获得非晶态W-Ti-N薄膜。薄膜在700℃以下热处理时具有非常好的热稳定性,方块电阻小于0.6Ω/□,略高于退火前的0.285Ω/□。但退火温度超过700℃后,稳定性迅速下降,在800℃退火后方块电阻达到170Ω/□。Cu布线用W-Ti-N非静态薄膜扩散阻挡层退火过程中的失效机理主要为元素间的界面扩散及反应。     

锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响

以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.研究了不同Sn掺杂量5%～20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响.用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析.结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153 Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%.基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制.结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子.通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65 eV.     

溶胶-凝胶法制备的ZnO:Al薄膜的微观结构及光学、电学性能

采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜．通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响．结果表明,退火温度越高,多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强,并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大,透光率增加．薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构．在掺杂浓度1％(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下,得到了电阻率为3．2×10-3Ω·cm、可见光区的平均透射率超过90％的AZO薄膜．     

掺杂浓度对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明：制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3＋和F-的掺杂浓度皆为0.75at%时,薄膜的平均晶粒尺寸最大为43.8nm;导电性能最好,电阻率可低至1.02×10^-2Ω.cm;在可见光范围内薄膜的平均透过率超过90%,吸收边出现明显的蓝移现象。     

溶胶-凝胶提拉法制备ITO透明导电膜

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜,并就薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及透光性等进行了研究分析.结果表明:薄膜的方电阻和透光性与提拉速度、提拉次数、热处理温度、冷却方式及Sn原子掺杂量等因素有关.当Sn原子掺杂量为12.5%(质量分数)、提拉速度为80 mm/min、经5次提拉且每次提拉后经550℃热处理(炉外空冷)而最终制得的ITO薄膜的方电阻为110 Ω/□,透光率可达90%以上.用溶胶-凝胶法制备ITO薄膜具有工艺简单可控,成本较低且宜于大面积成膜等优点.     

溅射沉积Mg2(Sn,Si)薄膜组织结构与导电性能

采用Mg-Sn-Si-Bi合金和高纯Mg双靶,通过转动基材并调节Mg靶溅射时间,在单晶Si(111)衬底上顺序沉积并获得了Mg含量变化的Mg-Sn-Si-Bi薄膜。结果表明,保持合金靶溅射时间不变,薄膜中Mg的含量随Mg靶溅射时间的延长明显增大,同时薄膜中Sn、Si的含量呈减小趋势。薄膜中Mg含量的变化导致其相结构和导电性能发生改变。当Mg含量(原子分数)由71.437%变化到64.497%,薄膜具有单一的立方Mg2(Sn, Si)固溶体相结构;当Mg含量减小到59.813%及以下时,薄膜中Mg2(Sn, Si)固溶体相消失而出现立方Mg2Sn和立方Mg2Si两相;随Mg含量进一步减小到54.006%,薄膜中除Mg2Sn相外还出现了金属Sn相,并且该金属相含量随Mg含量的减少而增大,相应的立方Mg2Sn相含量减少,但Mg2Si相含量几乎没有变化。单一固溶体立方相结构的薄膜具有较大的载流子浓度和迁移率,因此电导率较大。然而,薄膜中金属Sn相的出现导致载流子迁移率显著下降,薄膜导电率也明显降低。