钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下,采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征;采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。     

YBa2Cu3O7／PrBa2Cu3O7／SrTiO3超薄膜表面螺旋位错的研究

本文报道了用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究的几种（ＹＢＣＯ）超薄膜的表面结构，这些膜分别生长在ＳｒＴｉＯ３（１００）基底，和具有厚度为４０ｎｍ的ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７缓冲导的ＳｒＴｉＯ３基底上，ＹＢＣＯ超薄膜厚度范围为２．５ｎｍ－２５ｎｍ。在２．５ｎｍ厚的单层膜表面观察到了岛状结构，并在７．５ｎｍ厚的超薄膜表面首次观察到了台阶高度度不同的三种螺旋位错。同时还讨论了ＹＢＣＯ超薄膜的生长机理。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

用化学共沉SrTiO_3研制钛酸锶铋介质陶瓷

采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ、粒度分析等手段研究了在（１－ｘ）ＳｒＴｉＯ３ｘＢｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２（简称ＳＢＴ）系统中采用化学共沉ＳｒＴｉＯ３时，Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数ｘ小于１０％时，结构为单相固溶体，εｒ随ｘ的增加而增加；当ｘ大于１０％时，为复相结构，εｒ开始下降。这个结果与采用ＳｒＣＯ３和ＴｉＯ２固相合成的ＳｒＴｉＯ３烧块时的结果相近，变化趋势一致。但化学共沉ＳｒＴｉＯ３之晶粒细小，杂质少，故使所制介质具有非常优异的介电性能。     

单晶、薄膜及其它功能材料

４单晶、薄膜及其它功能材料９５０４０用ＣＶＤ法在蓝宝石基片上合成Ｂｉ＿４Ｔｉ＿３Ｏ＿（１２）外延膜─—增本博．粉体粉末冶金，１９９３；４０（７）＝６９３～６９６采用Ｂｉ（Ｃ＿６Ｈ＿５）＿３－Ｔｉ（ｉ－Ｃ＿３Ｈ＿７Ｏ）＿４及Ｂｉ（ｏ－Ｔｏｌ）＿３－Ｔｉ...     

CSD法制备PZT/Bi2Ti2O7薄膜的研究

用化学溶液分解（ＣＳＤ）法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３（ＰＺＴ）和Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜,利用Ｘ－射线衍射技术研究了以Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层的ＰＺＴ薄膜的结晶性。实验结果表明,以高（１１１）取向的Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７为籽晶层可获得高结晶性的ＰＺＴ薄膜,在７５０℃退火１０ｍｉｎ的ＰＺＴ／Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７薄膜具有单一的钙钛矿相。     

高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积

钌酸盐是典型的ＡＢＯ３型过渡金属氧化物，具有金属导电性，其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了ＢａＲｕＯ３的钙钛矿晶体结构和导电机制，并利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术，结合后续退火处理，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有（１１０）取向、室温电阻率约１０－２～１０－３Ω·ｃｍ的ＢａＲｕＯ３高导电性薄膜，俄歇能谱（ＡＥＳ）和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）分析表明：薄膜ＢａＲｕＯ３的纯度高、成分均匀性好，ＢａＲｕＯ３／Ｓｉ界面存在扩散过渡层。     

基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响

研究了用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法在不同基片和底电极上制备ＫＴＮ薄膜的结构,发现基片和底电极的结构及化学稳定民生直接影响ＫＴＮ薄膜的生成和结构。详细讨论了在ＭｇＯ（１００）、Ｓｉ（１００）、ＳｉＷ２、Ｐｔ／Ｓｉ、ＳｎＯ２（Ｓｂ）／ＳｉＯ２等基片与底电极上不能制得纯钙钛矿ＫＴＮ薄膜的原因,对于不与ＫＴＮ发生反应的基片,当基片的结构、晶格常数等与钙钛矿ＫＴＮ越匹配,越有利于ＫＴＮ的取向生长,并在Ｓ     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

IKE安全性分析

文中通过分析IKE协议的安全性,说明IKE是如何保证协商的安全,其中重点分析了密钥产生,身份验证,hash认证等过程的安全性问题,以及影响安全性的其他几个因素,并提出了提高IKE的安全性方法,针对身份验证提出了一点改进.     

一种极低功耗SoC待机模式的优化方法

随着物联网的发展,SoC的低功耗设计越来越重要。多数SoC模块被软件配置成可支持工作模式、空闲模式和待机模式。在很多控制、数据传输类应用中,系统经常因为一个极简单的任务而被迫从待机模式唤醒到工作模式。基于此,提出一种面向极低功耗SoC待机模式的优化方法,可在待机模式下由待机优化管理器控制相关外设完成一些简单的任务,大大延长了CPU和各外设的空闲时间,降低了SoC的功耗。待机优化管理器的结构简单,采用SMIC 130 nm CMOS工艺实现,1.08 V电源电压下功耗为54 nW。     

电压跟随式单相有源功率因数校正的仿真与实现

采用连续导电模式的电压跟随式PFC与传统PFC不同，其输出电压随着输入电压和输出功率的变化而变化，在相同的条件下，其升压电感和功率器件的体积和损耗可以大大降低。本文在分析电压跟随式PFC的工作原理基础上，采用Matlab／Simulink7．0对其进行了仿真分析，并基于专用PFC控制芯片NCP1653进行了实验，获得的结果与理论分析相吻合，说明这种PFC方案能够获得良好的校正效果，适用于小功率应用场合。     

双曲余弦高斯光束的模相关和模结构分析

基于二阶矩方法和正交模系展开法 ,推导出双曲余弦高斯光束的光束传输M2 因子和模相干系数的解析表达式 ,从而可对双曲余弦高斯光束的模相关和模结构进行分析。提出了一种在实验室中产生双曲余弦高斯光束的简单方法。     

近场通信技术及其应用

近场通信是继蓝牙、Wi?Fi、ZigBee后的又一种短距离无线通信技术,它以射频识别技术为基础,允许设备之间进行非接触点对点数据传输和数据交换。为促进该技术的发展,恩智浦公司推出了PN511系列芯片,该系列芯片支持读写器、卡模拟以及点对点三种不同应用模式,并可根据应用需求在不同模式间切换。此外近场通信技术还具有带宽高、功耗小、成本低以及良好的安全性等特点,在手机支付等领域具有广阔的应用前景。     

通信电源的EMC技术研究

从通信电源电磁骚扰的机理着手,分析了通信电源的开关电路及二极管的反向恢复时间引起的电磁骚扰。从减小搔扰源产生的搔扰信号,切断搔扰信号的传播途径,增强被搔扰体的抗搔扰能力三个方面分别提出相应的电磁抑制措施,讨论了电磁兼容设计中需要加以注意的有关问题。最后以车载通信电源为例,主要分析了在一个电源系统中多个子系统之间出现的电磁兼容问题,阐述了在设计时的基本思考及有关问题的解决方案。     

Internet网的服务方式与入网方式一览

目前，世界上最大的计算机网络Ｉｎｔｅｒｎｅｔ网，已成为通达１５０多个国家的国际互联网络。作为引导中国计算机用户进入Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的中国公用计算机互联网ＣＨＩＮＡＮＥＴ也正迅速发展。本文就Ｉｎｔｅｒｎｅｔ网的服务方式和入网方式进行了综述。     

现代无线电频谱管理模式的研究

对现代无线电频谱管理模式进行了简要的介绍,并对这些模式进行了分析比较.提出了我国未来无线电频谱管理的建议,建议频谱资源管理手段应为兼具命令与控制模式、基于市场的产权模式、共享或无执照模式、智能管理模式4种模式的动态分配方式.     

试论开关电源技术的发展

摘要：介绍了开关电源的工作原理和分类,对目前出现的几种典型的开关电源技术作了归纳总结和分析比较,在此基础上论述了开关电源的发展状况和趋势。     

径向线TM01 模激励研究

径向线TM01 模是径向束波互作用中的主模,决定了束波互作用的成败。论文对径向线TM01 模进行了研究：理 论推导了径向线TM01 模的电磁场分布,在此基础上设计了一种由同轴线TEM 模激励产生径向线TM01 模的新型结构,并 通过全电磁仿真软件进行了验证。结果表明：在12GHz 中心频率处转换效率达到99%。