SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备

采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。     

Pt／PZT／Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应

研究了辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和Ｃ－Ｖ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。     

PZT纳米晶薄膜的Sol—Gel法制备及铁电性质

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法，以Ｚｒ的硝酸盐替代醇盐，引入ＰｂＴｉＯ３过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析。     

脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究

用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，并制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分别为８４μＣ／ｃｍ２和５７ｋｖ／ｃｍ。ＩＶ特性测试显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下，面积为３１４×１０４μｍ２，厚度为０３５μｍ的电容器，电容约为５６０ｐＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。     

A dual-mode secure UHF RFID tag with a crypto engine in 0.13-μm CMOS

An ultra-high-frequency (UHF) radio frequency identification (RFID) secure tag chip with a non-crypto mode and a crypto mode is presented. During the supply chain management, the tag works in the non-crypto mode in which the on-chip crypto engine is not enabled and the tag chip has a sensitivity of -12.8 dBm for long range communication. At the point of sales (POS), the tag will be switched to the crypto mode in order to protect the privacy of customers. In the crypto mode, an advanced encryption standard (AES) crypto engine is enabled and the sensitivity of the tag chip is switched to +2 dBm for short range communication, which is a method of physical protection. The tag chip is implemented and verified in a standard 0.13-μm CMOS process.     

硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究

成果简介 β-FeSi2作为一种新型半导体材料,具有Eg＝0.84-0.89eV直接带隙,并能在硅表面外延,为利用成熟的硅器件工艺发展硅基近红外光源,探测器等光电器件,并进而发展光电器件与VLSI及ULSI的集成提供了可能.     

后续热处理配合PLD制备铁电PZT薄膜及其工艺优化研究

利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积工艺在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制行了Ｐｂ（Ｚｒ５２Ｔｉ４８）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜。并用Ｘ射线衍射分析方法研究了不同后续热处理对薄膜相组成和相结构转变的影响。     

SrTiO3（110）上水热法外延生长PbTiO3薄膜

利用低温水热合成工艺，在一定浓度皆Ｐｂ（ＮＯ）３，ＴｉＣｌｒ的混合强碱性水溶液中，和在（１２０℃，０．２５ＭＰａ）的水热反应条件下，首次成功地在ＳｒＴｅＯ３单昌衬底上生长出具有面积构的ＰｂＴｉＯ３外延薄膜。