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1.
本文根据晶界耗尽层模型,分析了受主表面态浓度NS、施主浓度ND、表面态能级ES对n型BaTiO3陶瓷PTC效应的影响,提出“高且薄”的晶界势垒形状在理论上应具有最大的PTC效应,并给出了在减少耗尽宽度rb的同时提高势垒高度φb的理论依据。最后,讨论了在实际研制过程中得到最佳PTC效应所应遵循的配方选择原则与相应的工艺条件,并给出了实例。 相似文献
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本文研究了./ ? , 一( &? ( ) ? + 0 的导电特性和湿阻特性% 通过正电子湮没谱的研究和导电
特性的分析得出以下结论0 # ? 0 一( & ? ( ) ? + 。的体导电属“ 跳跃式” 机制, 电导率的大小由
1 ) ? “ 三决定2 吸附水分子的作用类似施主, 它使表面) ? ‘ 丫) ? / 净比率降低, 造成表面载流
子浓度减少, 使得.
/ ? , 一、
3 2
· 、
) ? 4 0 的表面电阻随相对湿度的增大而增大% 相似文献
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对于% 0 1 & 。施主接杂的?2 . 3 半导瓷, 接入45 6 & ? ,
42 刀) 可形成晶界绝缘层并可
降低烧结温度, 未用? #? % & ? (3 溶液热扩散的方法使? # 1 7 进入晶界可提高晶界势垒, 从
而提高压敏电压及非线性系数, 大幅度降低介电损耗 相似文献
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Heywang假定施主掺杂BaTiO_3陶瓷(BFT)的晶粒边界(GB)存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的表面电荷,建立表面电势垒.在耗尽层假设前提下,由解Poisson方程得表面电子势垒(?)_0=N_s~2/ε_0ε_r (1)式中:N_s为表面态密度,ε_0ε_r为材料介电常数.在居里点以上,有效介电常数按Curic-Wciss定律急剧减小,表面势垒急剧增加,电阻率(ρ(?)exp((?)_0/kT))也急剧增 相似文献
6.
对N (2、2、0)代数(?、?úq(λ、μ))-模糊理想进行了详细的研究。给出了N (2、2、0)代数广义模糊理想和点态化(?、?úq(λ、μ))-模糊理想的概念,讨论了两者之间的等价关系。给出了(?、?úq(λ、μ))-模糊理想的一些等价刻画,并研究了其相关性质。讨论了(?、?úq(λ、μ))-模糊理想的同态像与同态原像的关系。最后研究了(?、?úq(λ、μ))-模糊理想的直积。 相似文献
7.
对, ? . & 一聚乙烯复合物新型? ( ) 热敏电阻进行了探索性研完? 当加入?!%
# /% + 0 ? 12 的聚乙烯时, , ? . , 基复合材料具有较显著的? ( ) 效应, 其特点是
加入量适当可获得室温电阻率较低的热敏材料? 还研究了, ? . & 颗粒大小对, ? . & 3
聚乙烯热敏电阻电性能的影响? 相似文献
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本文介绍一种新型的各射线探测器的制造过程及其特性% 采用背吸杂技术有效地
降低了器件的反向漏电流并提高了成品率, 提出并应用真空镀铜工艺制作& 型啼化镐的
低阻接触, 取得了良好的效果%
该探测器由一个&? 结二极管构成%
在?( )
,
? + 的电压下
其反向漏电流小于,
%
? . ??( 一’“ / 0 1 2 1 ? , 在!( ℃ , ? + 的电压下其反向漏电流小于,
%
3 .
?? ( 一“ / 0 1 41 ?? ? , 因而探浏器可在!( ℃ 下正常工作% 在标准5? 伦各射线源上获得了??
% “ .
?? 。一, / 的输出电流, 其截止频率大于? , ( 。比 相似文献
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《数值计算与计算机应用》2020,(2)
半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H~+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H~+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO_2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H~+在SiO_2体内的输运机制和浓度分布. 相似文献
10.
郭建胜 《计算机工程与应用》2010,46(27):29-31
介绍了序列效应代数的概念,给出了交换的序列效应代数的一些性质,证明了交换的序列效应代数由素理想诱导的商代数仍然是交换的序列效应代数。最后证明了每一个交换的序列效应代数能被表示为某个反格的自态射形成的序列效应代数。这样的表示是有用的,因为它给出了一个交换的序列效应代数作为自态射的集合的具体化。 相似文献
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本文对%& ? ? 一二一, + ? 二) ? , ,. /0 。系半导体陶瓷掺杂) ? , + ? , 1 ?
,
2 3 衬其性能的影
响进行了研究, 获得了合理控制掺杂和烧结的工艺4 相似文献
12.
采用量子力学的密度泛函理论计算电路板生产图形电镀后Cu(110)的表面和吸附了Cu2+、Sn2+与Pb2+及其相应原子的Cu(110)c(2×1)表面的原子结构,得各种参数.再计算上述离子或原子在Cu(110)表面的穴位位置吸附后的吸附能量,并求出吸附后各吸附体系的轨道布居数和态密度分析.结果表明:比吸附原子,3种离子... 相似文献
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14.
n元一阶相关免疫对称函数的构造等价于方程∑Cin-1xi=∑Cin-1xi+1在二元域上的求解。通过求解与其等价的方程C0n-1y0+∑(Cin-1-Ci-1n-1)yi=0构造了一阶相关免疫对称函数,并在两种情形下给出了具体的构造和计数。 相似文献
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用& ? ( ??% 。作敏感膜研制出小型固态高感度?? ) ? ? ) +, +?+. / % ?? ?? 义?? 一0 一? 又?? 一1 % ? ! 传感
器
研究了膜厚、气体湿度和工作温度等对传感器敏感特性的影响, 发现2 3 4 ?? 2 5 )6 7 8. +6 ?
39 9? : . 4 7; ? ) +). 67 % 型? ! 传感器具有灵敏的响应特性
并分析了薄膜表面的化学吸附及其对
薄膜电导的影响, 以及2 3 4 作用对? ! 非常敏感的物理机制
关键词< = 传感器高感度& ? ( < ! 薄膜化学吸附德拜长 相似文献
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ARM Cortex-M0+是2012年新发布的一款将逐步8位/16位微处理器市场的32位低功耗、高性能处理器,规范的汇编框架与样例是一个新微处理器深层次应用开发的基础。鉴于目前ARM Cortex-M0+的汇编程序资料与样例程序十分匮乏,加之汇编设计的复杂性,在充分分析ARM Cortex-M0+汇编寻址方式与指令系统的基础上,以Freescale半导体公司于2013年正式发布的ARM Cortex-M0+KL系列MCU为蓝本,基于CW10.3开发环境,结合软件构件设计思想,提出构件化ARM Cortex-M0+汇编框架,并编制GPIO汇编构件,给出应用实例。旨在降低读者学习ARM Cortex-M0+汇编程序的难度,完成第一个ARM Cortex-M0+规范化汇编程序。 相似文献
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本文采用从头计算密度泛函平面波赝势方法,系统研究了氧气在LaMnO3(001)表面吸附过程。研究结果表明:整个过程属于化学吸附;Pauling、Griffiths以及双中心吸附模式为较优吸附模式;吸附过程中形成了O2-;吸附后表面Mn的化合价均有不同程度的升高,其中Griffiths吸附模式下Mn的化合价变化最多,分别为:Mn3+0.87、Mn3+0.85,有利于催化剂活性组分Pd0-Pd2的转化。 相似文献
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极少样本的GOMPERTZ曲线参数估计方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文给出了一类龚珀资曲线参数估计如下:(?)-(ln(y_m/y_p)/ln(y_(m-1)/y_0))~(1/p)(?)=(multiply from i=0 to m-p (y_i+p)/y_i),((?)-1)/((?)~(m-p+1)-1)p=1,2,3,…,m-1式中当 t=0时,y=y_0(对龚珀资曲线y=ka~b(?)而言),m 为样本顺序极限。文中对一个实例用我们的方法作了龚珀资曲线参数估计,并对估计结果作了分析。 相似文献