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10Be是加速器质谱(AMS)测量中重要性仅次于14C的核素,在第四纪地质研究等方面发挥着重要作用。为更好地开展岩石暴露年龄测定和黄土中10Be浓度测量等应用研究,北京大学加速器质谱(PKUAMS)在深入研究离子鉴别物理过程的基础上,设计研制了1台气体探测器,10Be高能端测量效率达90%以上,10Be粒子计数率明显增加。在离子源引出只有1.2μA(最大值可达2μA)的情况下,标准样品NIST的10Be粒子计数率已达23s-1。 相似文献
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在北京市郊区设立采样点,使用Gent采样器收集PM10(直径小于10μm)和PM2.5(直径小于2.5μm)大气颗粒物。利用仪器中子活化分析(INAA)法对2005年春、夏两季采集的样品进行测量,用k0法中子活化分析(ADVNAA软件)对元素含量进行定量计算,得出春季PM2.5平均浓度为41.43μg/m3,PM10平均浓度为140.82μg/m3;夏季PM2.5平均浓度为50.63μg/m3,PM10平均浓度为119.10μg/m3。通过分析可以看出,样品中污染元素随季节、气象条件变化,并通过富集因子来寻找污染元素的来源。[JP] 相似文献
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采用同位素稀释法由10Be标准参考物质SRM4325制备系列 10Be/9Be标准样品,在北京HI-13串列加速器的AMS系统上对该系列标准(n(10Be)/n(9Be)范围为2.68×10-11~2.38×10-12)进行测量。测量结果显示,n(10Be)/n(9Be)测量值与标称值呈良好线性关系,且归一化后的测量值与标称值吻合。该系列标准可用于北京HI-13串列加速器的AMS系统对地质环境样品中10Be/9Be绝对比值的准确测定。 相似文献
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在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器质谱系统上建立了以SnF2为靶样,引出SnF3-分子负离子形式的126Sn-AMS分析方法。介绍了用于AMS测量的126Sn实验室参考标准的研制以及靶物质SnF2的化学制备过程,通过引束实验确定了可将同量异位素126Te本底干扰压低2~3个量级的SnF3-分子负离子引出形式,实现了126Sn束流的传输以及同量异位素的探测和鉴别。对制备的3个标准样品(126Sn/Sn原子个数比为1.033×10-8、4.54×10-9、6.43×10-10)的测量结果显示,126Sn/Sn原子个数比测量值与标称值呈良好的线性关系(R2=0.999),通过测量空白样品获得系统探测126Sn测量的灵敏度为(1.92±1.13)×10-10。 相似文献
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空心玻璃微球D2/Ne混合气体充气工艺 总被引:2,自引:2,他引:2
本工作主要研究空心玻璃微球对D2和Ne气体渗透系数的差异,以及研究采用热扩散法在高压充气系统上向空心玻璃微球充入D2/Ne混合气体的充气工艺。利用干涉条纹法测量了在充气和保气时Ne的气体渗透系数,它们分别为KNe,350℃=2.6×10-18和KNe,25℃=8.0×10-22mol•m-1•s-1•Pa-1。根据D2的气体渗透系数确定了玻璃微球充D2/Ne混合气体的充气方法和充气平衡时间,平衡时间以充纯Ne时间为准。此外,还研究了空心玻璃微球充入混合气体后的保气性能。 相似文献
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采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260keV氘束流能量条件下T(d,n)4He反应中子源的能谱和角分布进行计算。以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源Monte-Carlo模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP程序对兰州大学3×1012s-1强流中子发生器260keV氘束流能量下的中子能谱和角分布进行了模拟,给出了模拟结果。为检验模拟结果的可靠性,与实验测量能谱进行了比较,Monte-Carlo模拟谱和实验测量谱基本符合。 相似文献
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为确定近临界系统内中子倍增因子随时间的变化与系统的反应性的关系,为反应堆启动提供参考,实验测量了中心中子在1个快中子临界装置3个次临界状态的中子倍增的时间行为,在反应性ρ=-2.27×10-3和-4.79×10-4的两个次临界状态下,阶跃加入反应性,分别等待180和450s后,中子密度(正比于中子倍增因子)才达到稳定值。与单群缓发中子假设计算的变化曲线比较表明,实验测量的中子倍增因子的变化比理论预估的变化快。即使如此,在反应堆启动中,仍需考虑中子倍增的延迟,以便推算正确的反应性。 相似文献
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Am-Be中子源辐射场周围剂量当量与吸收剂量的计算 总被引:2,自引:1,他引:1
根据最近更新的微观中子核反应截面数据(ENDF/B-Ⅶ库)计算了热中子到20MeV中子能区,H、C、N、O、Ar5种元素以及干燥空气和ICRU四元素组织的中子比释动能系数(kerma因子)。在此基础上,结合MCNP程序对Am-Be源外中子能谱的模拟,计算了Am-Be源中子场的周围剂量当量,单位中子注量下为373.0pSv•cm2。利用本实验室计算国产Am-Be源的中子能谱,算得相应中子场的周围剂量当量为374.0pSv•cm2,距离该源1m处空气对中子和γ射线的吸收剂量率分别为1.457×10-2和1.580×10-1μGy/(GBq•h)。 相似文献
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为了研制对辐射增敏的、肿瘤治疗用的117Snm放射性药物,研究了117Snm(113Sn)(Ⅳ)与四(4 磺酸苯基)卟啉(TPPS4)的反应条件和该配合物的体外稳定性及其化学计量组成。研究结果表明,用天然丰度的金属锡粒作靶料,在中子注量率为4×1013cm-2·s-1的条件下,照射90h,可以获得比活度为013GBq/g的117Snm和616MBq/g的113Sn;在pH为2~4、沸水浴中反应30min时,117Snm(113Sn)(Ⅳ) TPPS4标记率大于95%。该放射性配合物有良好的稳定性和抗生理盐水稀释性能,室温下放置48h或用生理盐水稀释5~15倍,其放化纯度基本不变;该配合物中Sn(117Snm(113Sn))与TPPS4的配位比为1∶1。 相似文献
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研究了高氯酸介质中氨基羟基脲与HNO2的还原反应动力学,其动力学方程式为-dc(HNO2)/dt=kc(HNO2)c0.25(HSC)c0.42(H+),在1.0℃时反应速率常数k=(1.05±0.05)(mol/L)-0.67•s-1,活化能为(73.1±3.0)kJ/mol。研究了氨基羟基脲浓度、H+浓度、硝酸根浓度对氨基羟基脲与HNO2还原反应速率的影响。结果表明:增加氨基羟基脲浓度和H+浓度,HNO2还原速度增加;高氯酸根浓度对氨基羟基脲还原HNO2速率基本无影响。 相似文献
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通过开展光敏晶体管的反应堆中子辐照实验,获得位移效应实验结果,并分析位移损伤机理。研究发现,在3×1011~5×1012cm-2中子注量范围内,光敏晶体管增益和光响应度的下降导致集电极输出电流下降。增益的倒数与注量的增加呈线性关系,注入电流越大,线性关系的斜率越小。理论分析表明,通过提高基区掺杂水平或减小基区宽度,可提高增益的抗辐射水平;不同反向偏置电压下的初级光电流辐照前基本相同,随着辐照注量的增大,差异逐渐增大,反向偏置电压越大,初级光电流的退化越小;通过采用PIN结构或加大反向偏置电压来展宽耗尽区以减少受位移效应严重影响的扩散电流份额,可提高初级光电流的抗辐射水平。与PIN光电二极管不同,本实验注量范围内,光敏晶体管的暗电流随注量的增大而减小。 相似文献