氨基羟基脲脉冲辐解研究

研究了脉冲辐解过程中氨基羟基脲与水辐解活性粒子（e^-_aq、·OH和·H）及单电子氧化剂·CO₃^-的反应动力学过程。反应近似为准一级反应，反应速率常数分别为k（e^-aq）=1.41×10⁸ L/(mol·s)、k（·OH）=1.05×10¹⁰ L/(mol·s)、k（·H）=2.68×10⁵ L/(mol·s)、k（·CO^-₃）=4.25×10⁸ L/(mol·s)。其中氨基羟基脲与·OH的反应速率常数最大，故在辐解过程中其为主要反应。     

微量锆在钚纯化循环中的行为

研究了相接触时间、相比、硝酸浓度对锆萃取性能的影响,并通过台架试验研究了流比、料液酸度、洗涤级数、萃取级数、铀浓度对Pu产品中Zr净化效果的影响。结果表明:流比(2AF∶2AX)、料液(2AF)中HNO3浓度、洗涤级数对Zr的净化具有显著的影响,而铀浓度对Zr的净化效果影响有限。台架温试验证明,选择的优化工艺可以满足Pu的收率和Pu产品中Zr的净化因子大于100的要求。     

固溶处理对TC11钛合金环件组织和硬度的影响

采取马杠+马架的方式制备了TC11钛合金环件,并对其进行了固溶+时效热处理,主要分析了固溶温度和冷却速度对TC11钛合金环件显微组织和布氏硬度的影响。研究结果表明,初生α相的体积分数主要取决于固溶温度,在较低温度的固溶温度范围内,初生α相的含量随温度的升高变化不明显,当固溶温度接近相变点时,初生α相的含量迅速减少;冷却速度对次生α相的形貌有显著影响,随着冷却速度的降低,次生α相由极细的针状向条状和短杆状转变;随着固溶温度的升高和冷却速度的增加,合金的硬度增加。     

固溶处理对TB3小规格棒材晶粒尺寸和力学性能的影响

研究不同固溶热处理参数对TB3钛合金小规格棒材晶粒尺寸和力学性能的影响。结果表明,不同温度区间内固溶热处理晶粒尺寸的增速不同,当固溶温度大于820℃时,随温度升高晶粒尺寸显著增大。晶粒迅速长大后,继续延长固溶保温时间及改变固溶热处理的冷却方式对晶粒尺寸的影响不大,重复固溶热处理显著增大晶粒尺寸。固溶态室温强度与晶粒尺寸密切相关,晶粒尺寸越小,室温强度越高。     

氨基羟基脲还原反萃高浓度Pu(Ⅳ)

采用氨基羟基脲（HSC）的硝酸水溶液研究了从30%（体积分数，下同）TBP/煤油中还原反萃高浓度四价钚（Pu（Ⅳ））的性能，并与羟胺-肼（HAN-HN）、N,N-二甲基羟胺-单甲基肼（DMHAN-MMH）在钚净化浓缩循环中反萃行为进行了对比。结果表明：在一定HSC浓度下，适当延长相接触时间、减小相比（o/a）、降低酸度和提高温度，均有利于Pu（Ⅳ）的还原反萃。HSC作为还原反萃剂，可以有效实现30%TBP/煤油中高浓钚的反萃，反萃效果较其它几种还原剂更好，有望在先进二循环流程的钚净化浓缩工艺中得到应用。     

航天紧固件用TC4钛合金棒材固溶时效后的组织与性能

对航天用紧固件TC4钛合金棒材进行固溶时效处理,对棒材不同位置进行显微组织观察、硬度和室温拉伸性能检测。结果表明:TC4钛合金棒材经固溶时效后表面至心部的组织与性能受冷却速度的影响呈现显著差异。固溶时效后的显微组织由稳定的等轴α相、弥散的马氏体α′相和亚稳定β相组成,试样端面上因冷却速度相差不大,次生α相的形态和含量没有明显差异;中部截面上边部至心部的次生α相含量逐渐增多,同时次生α相片层厚度逐渐增大并趋于等轴化。端面上不同位置显微硬度值没有明显差异,但中部截面上由边部至心部的显微硬度值呈总体降低趋势,且中部截面上边部的显微硬度值与端面相差不大。试样心部因固溶过程中冷却缓慢,整体试样的室温拉伸性能明显低于去除心部的试样。     

钼及钼合金应用

钼及钼合金具有良好的导热性、导电性、低热膨胀系数、高温强度、低蒸气压和耐磨损等特性，使其成为各行业应用的首选材料。１应用１．１电子电力设备中的应用 这是钼及钼合金应用的最大行业，包括灯用钼丝、照明及电子管部件、按特殊配方制造的电路印刷用的粉末和涂覆在多层电路板上用的工具、微波设备的内部部件、高性能电子插件及散热装置、医疗电子电力设备、Ｘ－射线管内部元件（靶、支架和隔热屏）、Ｘ射线探伤器、集成电路（ＩＣ）部件的低膨胀材料以及设备供电和散热用的“缓冲器”、一些部件中硅基片的代用品、整流器用的镀镍、镀…     

N,N-二甲基羟胺对Pu(Ⅳ)的还原反萃和相应的计算机模型

研究了N,N-二甲基羟胺(DMHAN)的HNO3溶液对30%TBP/煤油中Pu(Ⅳ)的还原反萃行为,考察了N,N-二甲基羟胺浓度、HNO3浓度、温度以及两相接触时间对Pu(Ⅳ)反萃率的影响.结果表明:延长相接触时间能显著提高钚的反萃率;增加HNO3浓度、加大DMHAN的用量、升高温度均能加快钚的反萃速率,但当相接触时间超出一定范围时,这些因素都不能显著增加钚的反萃率.编写了DMHAN单级反萃Pu(Ⅳ)的计算机模拟程序,程序计算值与实验值在一定范围内符合良好.     

从1999—2000年美国专利文献看钼的应用

介绍了1999－2000年钼相关美国专利中反映出的钼在电子、生物医学、军事、化工及电子计算机等领域的广泛应用。