60Coγ射线辐射对姬松茸子实体中Er、Dy、Tb和P、K及微量元素含量的影响

通过不同剂量^60Coγ射线辐射姬松茸菌丝体产生子实体中稀土与P、K及微量元素含量的影响及其相关性的研究,结果表明,^60Coγ射线辐射姬松茸菌丝体对子实体中稀土和P、K及微量元素含量因辐照剂量而异,稀土(Er和Dy)含量随着辐照剂量升高而减少,而Tb含量随辐照剂量的增加先减少后又增加。P、Zn和Ca的含量随着辐照剂量的变化具有相似规律,而K、Cu和Cl含量随着剂量的变化规律相似,均随着辐照剂量增加而减少。相关分析表明,子实体中稀土和P、K及微量元素含量同辐照剂量存在不同程度的关系,且其稀土与P、K及微量元素间亦存在不同程度的关系,其中Er含量与辐照剂量间的相关性极为显著,Dy和Tb含量与Mo含量间的相关性亦分别达到显著和极显著水平。     

nMOSFET低能X射线辐照特性研究

讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能（10keV）X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阈值电压的影响。结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与^60Co辐照影响的规律基本一致。     

姬松茸新菌株J3的细胞生物学鉴定与菌盖不同部位微量元素含量分析

利用扫描电镜和X射线能谱仪对姬松茸菌株J3与原菌株J1子实体的菌盖皮、菌盖内和菌褶中常见的微量元素S、P、Ca、K、Fe、Cu和Zn进行了测定,计算了它们的相对重量百分比。利用扫描及透射电境观察姬松茸菌株J3与原菌株J1菌丝体、子实体的表面和内部结构。结果表明菌盖皮、菌盖内和菌褶均含上述各种微量元素,但含量各不相同;姬松茸J3菌丝表面有明显竹节状,在菌丝的外部形态特征上不同于原菌株J1。此外,姬松茸J3细胞壁厚,而出现重度质壁分离;姬松茸菌株J3子实体中淀粉粒、线粒体均比原菌株J1多。由此,说明姬松茸J3与原菌株J1在细胞学特性存在一定差异。     

青紫心甘薯黄酮减轻60Co辐射诱导的小鼠胸腺淋巴细胞损伤的超微结构研究

目的:观察青紫心甘薯黄酮对60Co辐射损伤体外培养的小鼠胸腺淋巴细胞超微结构的影响.方法:建立单次60Co辐射损伤体外培养的小鼠胸腺淋巴细胞的病理模型,应用透射电镜观察细胞超微结构的变化.结果:在强度为3Gy 60Co辐射情况下,小鼠胸腺淋巴细胞超微结构在3 h后即出现核膜消失、核异染色质浓缩及边集、核碎裂、胞内空泡形成、线粒体嵴断裂、基质空泡化、粗面内质网扩张等典型细胞凋亡改变.2.500 g/L青紫心甘薯黄酮能抑制60Co辐射所致淋巴细胞的损伤,细胞的正常超微结构保存良好.结论:青紫心甘薯黄酮可有效地保护小鼠胸腺淋巴细胞对抗60Co的辐射损伤.     

22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究

通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐照后器件阈值电压负向漂移;鳍数较少的器件阈值电压退化程度较大。通过分析陷阱电荷作用过程,揭示了产生上述试验现象的原因。     

水晶掌胚状体发生的超微结构观察

对多肉植物水晶掌离体器官从培养前到愈伤组织产生，直至早期胚性细胞、球形胚、鱼雷胚、心形胚、叶状胚等各个时期的胚状体超微结构进行了较为详细的观察。结果表明：水晶掌离体培养胚状体发生过程中细胞质、细胞壁、细胞间隙及胞间连丝、细胞核、液胞、线粒体、内质网、高尔基体、核糖体等细胞结构呈现规律性的变化。     

还精煎对老年小鼠肝细胞亚微结构的影响

本实验用纯种小白鼠分成三组:正常对照组、老年组、还精煎组。动物迅速杀死后,取肝组织用电镜常规技术作固定、脱水、包埋和切片,铅轴染色,DXA_4—10电镜观察。对照组动物肝细胞超微结构正常,肝细胞多为三角形,含1—2个核,核膜清楚、核红周围有核红相随染色质围绕,异染色质分布在核膜内层,常染色质均匀分布于核液内。细胞质内有丰富的细胞器及内含物,线粒体嵴清楚,粗面内质网平行排列成群,滑面内质网分布于细胞质中,高尔基体分布于核附近及胆小管处,此外尚有溶酶体、微粒、肝糖元、少量脂滴及色素。老年组动物肝细胞的核及线粒体的亚微结构和核糖体的含量有显著变化。细胞的核仁失去典型的核仁丝结构,出现核仁病     

浮栅晶体管不同射线剂量响应特性研究

针对浮栅晶体管在不同射线下的响应差异问题,进行了⁶⁰Co-γ射线、25 MeV质子和1 MeV电子的辐照试验,研究了不同射线下浮栅晶体管的剂量响应差异。采用蒙特卡罗方法对器件灵敏区的吸收剂量进行了修正。通过中带电压分离出界面陷阱电荷,分析了不同射线下电离辐射响应差异的微观机理。研究结果表明,在等效剂量下,质子辐照后电离响应特性与⁶⁰Co-γ射线较为接近,电子辐照后响应程度略低于质子和⁶⁰Co-γ射线。对器件灵敏区的吸收剂量进行修正后,三种射线下的剂量响应特性差异降低。质子辐照后界面陷阱电荷数量多于⁶⁰Co-γ射线和电子射线。试验研究为浮栅晶体管辐照传感器的研制提供参考。     

SiGe HBT与Si BJT的~(60)Co射线总剂量辐照效应比较

研究了国产结构参数近似的SiGe HBT与Si BJT在60Coγ射线辐照前和不同剂量辐照后性能的变化,并作了比较。辐照后集电极电流Ic变化很小,基极电流Ib明显增大,表明辐照后电流增益的下降主要是由于Ib的退化所导致。当辐照剂量达到10kGy(Si)时,SiGe HBT和Si BJT的最大电流增益分别下降为77%和55%,表明了SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗γ射线辐照性能。对辐射损伤机理进行了探讨。     

陆地棉和海岛棉纤维发育的电镜比较研究

扫描电镜观察开花前一天两个棉种的胚珠(图2)均未见有纤维原始细胞突起。开花当天的胚珠表面(图1),已有珠状突起。以后纤维伸长,到开花后四天(图3),纤维已把种子包被,並显示棉种区别。透射电镜观察胚珠表皮细胞的超微结构,开花前一天,细胞核具多个核仁,液泡小,数目多,内含酚类物质。开花当天(图4)的表皮细胞的核位于中央,可观察到由于电子密度差别而形成亮,暗两类细胞。开花后一天(图5)已可见突起的纤维细胞,细胞明显增大,核增大,核仁也增大,核仍处中央。细胞顶部的液泡数增多,内含酚类物质减少。顶部细胞壁变薄,呈波浪状。线粒体,高尔基体及内质网等增多。     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.     

^60Coγ射线辐射小鼠肠壁屏障及脾T淋巴细胞增殖活性改变的观察

目的：探讨^60Coγ线照射小鼠肠壁机械屏障及免疫损伤状况,为放射损伤后内源性感染的防治提供实验资料,方法：30只小鼠随机分成三组,分别为Ⅰ（0Gy)、Ⅱ(4.5Gy)和Ⅲ（6.0Gy)组,于全身一次性照射后第9天行HE染色观察肠壁病理组织学改变,同时采用MTT法检测脾T淋巴细胞的增殖活性。结论：（1）组织学观察发现^60Coγ线照射组肠粘膜轻度充血,细胞连接疏松;（2）不同照射剂量组小鼠脾T淋巴细胞增殖活性均较对照组显著下降,且随照射剂量增大,增殖活性明显下降。结论：^60Goγ射线照射小鼠肠壁机械屏障及脾T淋巴细胞增殖功能的受损为其内源性感染创造了条件和机会。     

典型宇航用DC/DC电路辐射研究

本文研究了典型D C-D C电源模块的60Coγ射线辐照效应,给出了不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,典型D C-D C电源模块输出电压等参数与辐照剂量之间的关系,结合VD M OS器件和PW M的电离辐照效应损伤机理对D C-D C电源模块的失效模式进行了分析。     

一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si／SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化。结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与^60Co辐照影响的规律一致。     

CMOS器件的x光总剂量效应

主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。     

辐射缺陷对固体激光器振荡特性的影响

在0～10~9伦琴剂量范围内研究了用~(60)Coγ射线辐照的钕玻璃和YAG:Nd~(3 )激光器的时间的能量和光谱特性。实验确定,电离辐射形成的辐射缺陷将大大改变固体激光器的振荡特性。     

NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.     

骨的恶性血管内皮细胞瘤超微结构研究

本文报告3例骨的恶性血管内皮细胞瘤的超微结构。肿瘤为互相无数吻合的血管腔隙,腔壁衬以增生的,异形性的内皮细胞。肿瘤细胞呈芽状增生突向血管腔呈乳头状结构。在肿瘤生长活跃区,细胞聚集成片块状,无腔隙,该处肿瘤细胞间变更为明显。肿瘤细胞核圆形,椭圆形。时有核凹陷使其几成分叶状。核仁极清晰多数目1～4个,并有明显边集现象。胞质内的粗面内质网及Golgi复合体均不发达。线粒体数量多,但其大小,形态各异,表示其有畸变,并可见相当数量的退变线粒体。丰富的游离多聚核糖体满布整个细胞质。而肿瘤细胞最重要的特征是     

紫杉醇诱导ASTC-a-1细胞的程序性死亡机制研究

利用质粒转染技术和显微荧光成像技术在活细胞中研究了紫杉醇诱导人肺腺癌细胞(ASTC-a-1)的程序性细胞死亡(PCD)过程,利用基因荧光探针分别标记细胞以及细胞的内质网.实验结果表明紫杉醇诱导的细胞质肿胀主要是由于内质网的肿胀引起的;利用rhodamine123标记细胞内的线粒体,研究了紫杉醇对线粒体大小的影响,结果表明紫杉醇诱导了线粒体的肿胀;caspases广谱抑制剂z-VAD-fmk对紫杉醇诱导的细胞肿胀没有影响,表明caspases并没有参与紫杉醇诱导细胞质肿胀的调控过程;Hoechst33258和PI染色实验结果表明紫杉醇没有引起细胞核的浓缩和DNA的断裂以及细胞膜的破裂.以上研究结果进一步确认紫杉醇诱导ASTC-a-1的PCD过程类似paraptoais方式,既不是传统的凋亡方式,也不是坏死方式.