有机片式固体钽电解电容器制备工艺研究

研究了导电聚合物PEDT作为阴极材料的有机片式固体钽电解电容器的制备工艺,通过调整隔离材料、掺杂剂等参数有效改善了有机片式固体钽电容器的性能.重点研究了阻隔剂、掺杂剂含量等参数对有机片式固体钽电容器电容、等效串联电阻、漏电流等性能的影响.结果表明,当隔离材料体积分数为0.5%～1.5%时,薄膜具有较好的耐压性能,电容器的漏电流较小(<5μA);当掺杂剂质量分数为1.5%～2%时,掺杂剂可以有效地进入PEDT主链进行掺杂,PEDT薄膜的电导率较高,从而使电容器获得较低的等效串联电阻.     

聚乙烯二氧噻吩热分解性能对其作阴极片式钽电解电容器自愈性能的影响

以化学原位聚合制备的导电聚合物聚乙烯二氧噻吩(3,4-polyethylene dioxythio phene,简称PEDT)薄膜在固体钽电解电容器上的应用为背景,采用TG研究了化学聚合中单体/氧化剂配比对PEDT热分解温度的影响,并以此为基础,分析了材料热性能对PEDT作阴极的固体钽电解电容器自愈特性的影响.实验结果表明,随着单体/氧化剂配比的增大,材料的热分解温度有较大变化.而以PEDT作阴极的固体钽电解电容器的自愈速度则随材料热分解温度的增大有所下降.     

聚合物阴极钽电解电容器被膜技术研究

研究了以导电聚合物PEDOT作为阴极材料的高频低ESR有机片式固体钽电解电容器的被膜技术,重点讨论不同的聚合温度、掺杂浓度和驱溶温度对降低片式固体钽电解电容器ESR的影响.研究结果表明当聚合温度为0～10℃、掺杂浓度为3%(W),驱溶温度80℃时,将得到致密的主链掺杂有效的PE-DOT膜层,从而得到较低的ESR,并表现...     

钽电解电容器工艺现状和发展方向

随着电子技术向自动化和小型化发展,也要求钽电解电容器朝着小型化、片式化、高性能的方向发展。本文主要对钽电解电容器工艺现状和发展方向进行了详细的探讨。     

高频、低ESR钽电解电容器新工艺的开发

从阳极尺寸和结构设计、阴极被膜工艺改进,分析固体钽电容器的等效串联电阻（船尺）值的影响因素,提出了制造高频、低ESR值固体钽电解电容器的新工艺。投入10V／100μF、10V／470μF两种规格产品,结果表明：阳极块厚度控制在1．5-2．1mm时,同一规格产品具有最小体积,接触电阻r金更小;在硝酸锰溶液中添加强氧化剂和表面活性剂,制得的MnO2层的r解更低;同时采用多芯并联结构,能使固体钽电解电容器的ESR值降低到通用钽电容器的ESR值的1／3-1／2,且100kHz时电容量变化值小于20％。     

在钽电解电容器多孔阳极体表面化学原位被覆聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜研究

研究在传统固体钽电解电容器多孔阳极体微孔内表面原位化学聚合制备PEDT导电聚合物薄膜的方法,通过对比所制有机固体钽电解电容器等效串联电阻(ESR)值的变化,讨论了采用化学原位聚合被膜过程中,受限空间里高分子链形成机理以及在受限条件和开放平面条件下被覆的聚合物薄膜导电性能的变化,采用SEM、AFM、X射线能谱对所制样品表面形貌变化以及多孔阳极体内部聚合物薄膜的被覆情况进行了研究。结果表明,在受限的空间里化学聚合反应生成的聚合物薄膜电导率会由于受限能的影响而降低,其影响程度相似于聚合溶液浓度的变化对聚合物薄膜电导率的影响。     

三工位片式钽电容器真空预烧炉的研制

介绍了三工位片式钽电容器真空预烧炉的基本结构、工作原理及钽电容器阳极块真空预烧的工艺过程,并对该设备在片式钽电容器制造行业的意义进行了阐述。     

改善有机片式固体钽电解电容器性能工艺研究

研究了在被膜过程中表面活性处理及掺杂对聚合物片式钽电容器容量、耐压、等效串联电阻(ESR)等特性的影响。研究结果表明表面活性处理后可以有效改善Ta2O5/PEDOT界面间的匹配,提高电容器容量引出效率;通过添加中间阻隔层(硅烷偶联剂)可以有效地阻挡杂质氧化性离子进入介质膜Ta2O5层,降低聚合物片式钽电容器的漏电流,提高耐压特性;实验结果表明在掺杂剂溶液的浓度为3%,补形成电压为赋能电压的70%时,能有效降低电容器ESR及漏电流。     

世界钽粉生产工艺的发展

论述了国内外电容器级高压钽粉、中压钽粉、高比容钽粉的生产工艺发展过程。在钽粉生产工艺发展过程中,各种先进的装备被应用,各钽粉生产厂家围绕着钽粉比容的提高,杂质含量的降低,物理性能的优化等综合性能的改善,不断开发出新工艺、新技术,使钽粉适应并推动着钽电容器的发展。     

2200℃片式钽电容器真空烧结炉的研制

介绍了2200℃片式钽电容器真空烧结炉的基本结构、工作原理及烧结试验数据，并对该设备在片式钽电容器制造行业的作用进行了阐述。     

电容器级钽粉关键技术与开发研究

引述了Ta电容器与Al电容器、多层陶瓷电容器相比突出的性能与应用特征，分析了Ta电容器片式化、小型化促进电容器级Ta粉高比容化发展的新趋势，叙述了航空、航天和军工领域对高压电容器高可靠性能的需求，以及对中高压Ta粉向更高电压、更低SER方向发展的引领，回顾了电容器用高比容Ta粉、中高压Ta粉发展应用进程，介绍了经典氟钽酸钾（K2TaF7）金属Na还原法、电子束熔炼法、球磨片式化法生产的高比容Ta粉、高压Ta粉、中压（片状）Ta粉的性能、产品品级及关键技术，分析了30～80kμFV／gTa粉耐压性能影响因素，介绍了Ta粉高比容化、高压化新技术、装置、产品形貌、性能及优缺点，在此基础上提出了电容器级Ta粉高比容化、高压化创新进步的思路。     

电容器用钽阳极失效分析与研究

利用扫描电镜进行电容器用钽阳极失效原因分析,造成单支阳极块漏电流异常偏大甚至被击穿的主要原因为:局部存在的夹杂物质引起氧化膜生长异常导致颗粒表面局部钽氧化物薄膜不连续,大量的电子通过造成漏流偏大甚至击穿。阳极块中出现的异物为原料钽锭中存在的钽的碳化物夹杂,由于其高熔点、耐酸蚀的特点使得钽粉后续处理过程中无法去除而保留在了钽粉中。背散射电子成像可应用于钽样品检测。      

成型烧结过程对钽阳极电性能的影响

以牌号FTA500钽粉为代表,选择容量为50 000 μF·V/g的钽粉,探索了成型过程和烧结过程对钽阳极漏电流、容量等电性能参数的影响。研究表明:随着成型压制密度逐渐增大时,钽阳极块的开孔率减小、容量降低,当成型压制密度为5.00 g/cm3时,阳极块漏电流系数为最低;随着烧结温度的提高,钽阳极烧结密度增大、容量下降、漏电流系数降低,同时钽阳极损耗增大,体积收缩率增大,击穿电压升高。      

液钽电容器外壳用深冲EB钽带加工工艺研究

本文通过对锻造、轧制及热处理工艺的研究,测试了材料的力学性能、晶粒度及金相组织,确定最佳工艺为轴向镦粗径向拔长＋三向循环镦粗拔长的锻造工艺,换向轧制的开坯轧制工艺,950℃×90 min的热处理工艺,该工艺制备的材料符合性能要求。     

电容器用钽铌粉的研究进展

概括介绍了电容器用钽铌粉的研究进展,介绍了钽粉的3种钠还原制备方法的化学反应机理并进行了比较,同时还介绍了铌粉的制备方法,包括铝热还原法、电解还原法、蒸气还原法、钠还原法和金属热还原法;阐述了钽铌粉中杂质的测定方法以及有关钽铌粉的其它研究进展.     

钽粉制备工艺研究进展

介绍了制备金属钽粉的传统工艺氟钽酸钾钠热还原工艺及其发展状况,评述了几种制备金属钽粉的最新工艺,包括均相还原法、电子间接还原法、氧化钽加氯化钙钠还原法及FFC法,阐明了新方法的原理及特点,并提出了钽粉生产今后的发展方向.     

还原氧化钽制备钽粉工艺研究进展

评述了几种由氧化钽还原制取钽粉的新工艺。并阐述了不同方法的工艺原理、特点和产品特性。钠还原法反应时间短,还原温度范围广,能过得到高纯度高比表面的钽粉。FFC法具有工艺简单,污染小,成本低的特点,可以用来制备电容器级粉末。SOM法电解速度快,具有很好的发展前景。采用镁蒸汽还原能够得到性能好的钽粉,但是还原时间长,还原装置复杂。