IDT推出全球首款超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS振荡器

IDT公司推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗高达75%,包括计算、通信和消费市场。     

DT推出全球首款超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS振荡器

IDT公司推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器，在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中，节省功耗高达75％．包括计算、通信和消费市场。     

IDT推出全球首款超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS振荡器

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司（Integrated Device Technology,Inc.;NASDAQ：IDTI）,推出业界首款拥有突破性±50 ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50 ppm时间基准的广泛...     

IDT推出全球首款超低功耗±50ppmCrystalFree^tmCMOS振荡器

IDT公司近日推出业界首款拥有突破性±50ppm频率精度和超低功耗的CMOS振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求±50ppm时间基准的广泛应用中,节省功耗高达75％,包括计算、通信和消费市场。     

振荡器

低抖动时钟振荡器扩大工作温度范围 T3312/3212时钟振荡器工作温度范围是-40℃～85℃,在产生20～100MHz时钟信号的条件下,抖动小于5ps(rms)。T3312在3.3V工作电压下最大工作电流35mA,T3212在5V工作电压下工作电流45mA。 器件可保持45:55的波形对称度,上升时间和下降时间的典型值为4ns,在整个工作温度范围内频率稳定度±50ppm。振荡器兼容TTL电平和HCMOS电平,采用表面封装形式,大小为5×7×1.9mm。(批量单价8.75     

全球精度最高的全硅CMOS振荡器

混合信号半导体解决方案供应商IDT公司(Integrated Device Technology,Inc.)宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的100 ppm总频率误差。IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术,可以用一个100 ppm及以下频率精度的单片CMOS IC取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口,如千兆以太网、SAS、超高速USB(USB 3.0)和PCI     

适用于RFID芯片的CMOS振荡器

在分析传统环形振荡器频率稳定性问题的基础上,提出了解决问题的方法,并相应设计了一种适合于RFID芯片的振荡器,大大提高了频率的稳定性.用0.5μm的CMOS模型仿真,验证了该振荡器在低于2MHz的频率下,其频率漂移小于0.5%/V,-40～100℃范围内温度系数为180ppm.     

IDT推出全球精度最高的全硅CMOS振荡器

IDT公司（Integrated Device Technology,Inc．）宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的100ppm总频率误差。     

C波段高稳定陶瓷谐振振荡器的设计

介绍了利用陶瓷谐振器（CR）来提高振荡器频率稳定度的方法,并利用专用微波电路设计软件（AWR）对该方法进行了分析,同时还对压控支路进行了温度补偿设计。根据分析结果制作的C波段高稳定陶瓷振荡器取得了令人满意的指标：在全温范围测试结果为温漂≤50 ppm/℃,带内线性≤1.1,频率稳定度≤±15 MHz,相噪≤-108 d...     

FXO-HC32系列：振荡器

FoxElectronicsAsiaLtd．推出紧凑型XpressOXOHCMOS振荡器的2．5V电压型款,FXO—HC32系列丰富了XpressO振荡器系列,它们是工作电压为2．5V的3．2mm×2．5mm封装振荡器,具有±25ppm的高稳定性及O．75MHz-180MHz的宽频率范围。     

Visl珂推出具有极低的绝对TCR值、超低容差的新型超高精度BulkMetal（R）Z箔电阻E102Z

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新型超高精度BulkMetal？Z箔电阻——E102Z。该款电阻可在-55℃到＋125℃的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0．2ppm／℃）,容差为±0．005％（50ppm）,在＋70oC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0．005％（50ppm）。E102Z符合EEE—INST-002规格和MIL—PRF55182军用标准,设计用于非常规环境条件,漂移极小,适用于军事、航空和医疗应用。     

Fox Electronics提供适用于宽温度范围的±25ppm XpressO振荡器

Fox Electronics现在推出采用微型3.2mmx2.5mm封装的XpressO XO振荡器产品,在-20℃～+70℃的工作温度范围内具有±25ppm的超级频率稳定性。新型HCMOS3.3V     

CMOS数控振荡器设计

设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz～6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW～3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。     

X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

采用介质谐振器的砷化镓MESFET振荡器的温度稳定性

本文提出了采用介质谐振器的场效应晶体管振荡器的简单的温度稳定性模型,并根据振荡条件,用该模型推出了振荡功率和振荡频率与温度的关系。具有适当的线性谐振频率/温度特性的叠式谐振器已试制成功,并被用来稳定采用介质谐振器的振荡器(DRO),在频率为11.5GHz、温度为-20℃到80℃时,获得了±120kHz的频率稳定度((?)±0.1ppm/K)。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

一种基于CMOS工艺的高精度片内振荡器的设计

采用恒流源充放电及温度补偿技术设计了一款结构简单、易于集成的片内振荡器。该模块的核心为利用带隙基准电流源产生一路零温度系数电流,并用该电流源对电容进行充放电;设置比较器的高低阈值电压的差值为负温度系数与电容的正温度系数相互补偿,尽可能减弱温度对振荡周期的影响,产生高稳定且占空比可调的矩形波。采用华虹NEC0.35μmCZ6H工艺设计,经CadenceSpectre软件仿真表明标准状况下该模块振荡频率为6.321MHz,在-20到100℃的温度区间内其温度系数仅为42ppm/℃。     

Fox Electronics推出2.5V电压的紧凑型XpressO XO HCMOS振荡器产品

Fox Electronics Asia Ltd.现已推出紧凑型XpressO XO HCMOS振荡器的2.5V电压型款,全新FXO-HC32系列丰富了XpressO振荡器系列,它们是工作电压为2.5V的3.2mmx2.5mm封装振荡器,具有±25ppm的高稳定性及0.75MHz～180MHz的宽频率范围。     

TI推出CMOS电压基准产品系列

日前，德州仪器（TI）宣布推出支持大输出电流的3ppm／℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。虽然REF50xx主要面向新一代工业过程控制，但是也广泛适用于多种应用，其中包括医疗仪器、高精度数据采集以及测试与测量等。     

MEMS振荡器与石英技术

严格根据应用情况选择合适类型 从简单的精度约30 000ppm的R C振荡器,到精度优于0.001ppb的原子钟,有很多满足不同应用要求的时钟选项.多年以来,体声波(BAW)晶体振荡器可用以满足大多数要求,它提供的精度在10ppm范围内.精度低一些的选择,如SAW振荡器、陶瓷振荡器以及IC振荡器,它们各自具有其满足特定需求的优势.