非有意掺杂LECSI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ中ＥＬ２浓度及其分布的变化，为了分析这一变化，还检测了位错和Ａｓ沉淀的分布，在实验结果基础上，对ＥＬ２分布不均匀性的起源和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理进行了讨论。     

2～3英寸半绝缘LEC GaAs单晶特性分布研究

本文叙述用Van der Pauw法和腐蚀法测量的2～3英寸半绝缘LEC-GaAs单晶的特性分布,即电阻率、霍尔迁移率、霍尔浓度和位错密度的纵向和横向分布。通过测试分析,揭示了原生晶体和经过整锭热处理晶体的特性分布规律,发现有的结果与国外报道的类似,有的结果至今未见报道;一些晶体经过热处理,均匀性有明显改善,但有的就变化不大。这表明,对于不同的原生晶体,可能需要采用不同的热处理条件,才能获得均匀的结果;另外,对所得结果进行了初步的分析和探讨,寻找了电学性质均匀性与晶体完整性的内在关系,为改善晶体的均匀性提供了有用的实验依据。     

SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究

研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型.     

组分和热历程对LEC GaAs中深施主能级(EL2)的影响

用红外吸收的方法测量了不同组分的原生未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度([EL2]),并用热处理后快速冷却的方法模拟晶体生长后冷却过程中的不同阶段,测量分析了各阶段[EL2]的变化.在实验结果的基础上对EL2生成过程及影响其生成的因素进行了讨论.     

热处理改善未掺杂LECGaAs中EL2分布均匀性的机理研究

本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理．     

激光热处理光束优化系统

激光束的光强分布以及光斑形状对激光热处理硬化层性能影响极大,一般要求光强均布的矩形光斑或宽带光斑;但是光强均布的激光束不一定产生均匀的硬化层,目前的激光热处理光束优化装置得到的是中间厚,两边薄的月牙形分布硬化层.为了改善激光热处理硬化层分布的均匀性,在分析国内外激光热处理光束优化系统研究现状及存在问题的基础上,提出了光束优化系统的两种方案,激光扫描环形光斑和线形光斑.建立了两种光斑温度场的数学模型,模拟了温度场分布.从理论上说明了两种方案能够改善激光热处理硬化层分布均匀性.     

热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

对非掺杂（ND）半绝缘（SI）液封直拉（LEC）GaAs单晶在500－1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火，研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响，了热处理及淬火影响EL2浓度的机理。     

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。     

热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性

对未掺杂原生ＬＥＣＳＩＧａＡｓ单晶在５００～１１７０℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火，研究了这种热处理对ＥＬ２分布的影响，并检测了位错和Ａｓ沉淀的变化。结果表明，６５０℃以上温度的热处理可以改善ＥＬ２分布均匀性，且在６５０～９５０℃温度范围的热处理中，ＥＬ２均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外，两步或三步热处理的样品中ＥＬ２分布甚至比单步热处理样品中更优。９５０℃以下的热处理和淬火对位错和Ａｓ沉淀无明显影响。但是１１７０℃热处理井淬火后位错密度增加大约３０％，Ａｓ沉淀消失。对经１１７０℃淬火的样品再进行８０Ｏ℃或９５０℃的热处理，Ａｓ沉淀重新出现。ＥＬ２分布的变化可能与点缺陷、位错和Ａｓ沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型，利用该模型可解释不同条件热处理后ＥＬ２分布的变化。     

半绝缘GaAs热稳定性的研究

用霍尔效应、红外吸收和二次离子质谱方法对不同碳(C)含量的未掺杂半绝缘(SI)GaAs晶体的热稳定性进行了研究,发现EL2浓度([EL2])相近、碳浓度([C])不同的样品中,高碳含量的样品更易出现热转型.长时间热处理后,样品反型层中的载流子浓度超过了[C].这些结果表明,热处理过程中样品表面层不仅发生了施主中心EL2的外扩散,而且有新的受主中心产生.     

掺In GaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。     

热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响

在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2～ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2～ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 ,发生了间隙原子向样品内部的扩散     

Effect of the annealing temperature on erbium ion electroluminescence in Si:(Er,O) diodes with (111) substrate orientation

The influence of the temperature of secondary annealing, stimulating the formation of optically and electrically active centers, on the erbium ion electroluminescence (EL) at λ≈1.54 μm in (111) Si:(Er,O) diodes has been studied. The diodes were fabricated by the implantation of 2.0 and 1.6 MeV erbium ions at doses of 3×10¹⁴ cm⁻² and oxygen ions (0.28 and 0.22 MeV, 3×10¹⁵ cm⁻²). At room temperature, the EL intensity in the breakdown mode grows with the annealing temperature increasing from 700 to 950°C. At annealing temperatures of 975–1100°C, no erbium EL is observed in the breakdown mode owing to the formation of microplasmas. The intensity of the injection EL at 80 K decreases with the annealing temperature increasing from 700 to 1100°C. __________ Translated from Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, Vol. 35, No. 10, 2001, pp. 1224–1227. Original Russian Text Copyright ? 2001 by Sobolev, Emel’yanov, Nikolaev.     

DETERMINATION OF TOTAL EL2 AND NET ACCEPTOR CONCENTRATION IN UNDOPED SI GaAs BY MULTI-WAVELENGTH INFRARED ABSORPTION METHOD

Total EL2 concentration distribution and net acceptor concentration distribution in uncloped semi-insulating(SI) LEC GaAs have been measured by multi-wavelength infrared absorption method. The experimental results indicate that total EL2 concentration radial distribution is W-shaped and net acceptor concentration radial distribution is sample-dependent, it can present a n shape, a A shape, or a W shape corresponding to different samples.     

未掺杂半绝缘GaAs中受主及电中性EL2分布的研究

测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中总的、电中性的ＥＬ２及净受主浓度分布和碳分布。结果表明，总ＥＬ２浓度径向分布呈Ｗ形而不是均匀的，净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是Ｍ形。电中性ＥＬ２的Ｗ形径向分布由总ＥＬ２浓度的Ｗ形径向分布决定，而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度．意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。     

Si离子注入GaAs的红外快速退火

研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工艺可获得高质量的有源层以及抑制电子陷阱EL2的外扩散。     

On the Evolution of Carrier Distribution and Wavelength Switching in Asymmetric Multiple Quantum-Well Lasers

The evolution of the carrier distribution with current in two different asymmetric multiple quantum laser structures was studied experimentally through measurements of electroluminescence (EL). The EL was measured through the substrates of lasers and provided information about the carrier distributions. The carrier concentration was observed to increase with current both below and above threshold, presumably owing to the change of threshold conditions. The switch of the lasing wavelength from long to short wavelength was explained by inhomogeneous broadening of the gain of the wells and by incomplete clamping of the carrier concentration above threshold, as inferred from the measured EL and gain spectra. The role of thermal effects was investigated by comparing the laser performance under continuous-wave and pulsed operation