干冰微粒喷射法清洗ITO玻璃及其对有机电致发光器件性能的影响

采用干冰微粒喷射法对ITO玻璃表面进行了清洁处理,并与浸泡式低频超声波湿法清洗的ITO玻璃进行了对比测量,结果表明:干冰微粒喷射法处理后,ITO薄膜表面的接触角减小,表面污染物颗粒数量下降,ITO薄膜表面上碳的含量较之未处理时降低了48.5%,锡、铟的含量分别增加了533.33%和267.57%,说明干冰微粒法对ITO薄膜表面的有机污染物和杂质颗粒的清洗效果超过了超声波湿法。此后,制备了干冰微粒法清洗ITO阳极的有机电致发光器件(OLED)器件,以及结构相同但ITO电极是用超声波湿法清洗的OLED器件,对这两种器件的参数进行了测量,其结果表明:干冰微粒喷射法清洗器件的启亮电压、亮度和电流效率与超声波湿法清洗的相比较均有所改善。     

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。     

硅片纳米微粒清洗洁净新技术

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽正在不断减小,对硅片表面质量处理的要求也就越来越高.传统的湿法清洗已经不能满足要求,故必须研发新的微粒清洗方法.简述了硅片表面污染物杂质的类型、传统的微粒湿法清洗法和干法清洗法,然后在此基础上分析了几种硅片制备工艺中纳米微粒的去除新技术,包括低温冷凝喷雾清洗工艺,N2O电子回旋加速共振等离子系统清洗技术,以及超细晶圆质量无危险的清洗方法等.     

硅片清洗原理与方法综述

对硅片清洗的基本理论、常用工艺方法和技术进行了详细的论述 ,同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 ,并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述。     

干冰微粒喷射法清洗ITO玻璃的研究

对干冰微粒喷射法和低频超声波法清洗ITO玻璃的效果进行了比较研究.用接触角测量仪、SEM和XPS测量了清洗前后ITO玻璃表面的浸润性、污染颗粒数量和元素成分及含量等洁净度指标.研究表明,与超声波法清洗相比,干冰微粒喷射法清洗可以使ITO玻璃表面的接触角更小,有机碳含量减少40.5%,污染颗粒数量也显著减少,是一种清洗ITO玻璃的有效方法.     

超临界流体在微电子器件清洗中的应用

本文介绍了超临界流体及其特性、超，临界流体清洗工艺及特点。结合现有的研究结果，论述了在微电子加工中应用超临界流体的可行性和有效性。并以硅片的清洗和干燥为例，说明了超临界CO2的应用优势，指出了超临界流体在微电子技术中尚需要解决的技术问题及其广阔的应用前景。     

硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势

简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等.并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势.     

光伏太阳能硅片清洗工艺的探索

对两种不同清洗方法的工作原理、清洗效果和适用范围等特点进行了分析。不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。介绍了硅片清洗机的清洗工艺和腐蚀工艺。指出了硅片清洗工艺的发展趋势。     

超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗

简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。     

300 mm圆片后抛光清洗--满足纳米微粒去除的挑战

随着半导体制造关键尺寸的继续缩小,硅片表面清洗要求变得更加严格。当前这一要求包括有效地去除硅片表面的纳米微粒(<100nm),并控制主要金属杂质不超过1E+10原子/cm~2。传统的擦片机和兆声湿式批量清洗工艺面临达到这些目标的挑战。单片清洗澡机在硅片表面产生更加均匀的声强分布,更有效地去除了纳米微粒。介绍了湿式批量洗洗机和单片清洗澡机的兆声清洗效果。湿式批量浸泡术和兆声能量单片清洗机结合可以有效地去80mm磨料微粒。     

HF/O3在300mm硅片清洗中的应用

随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,必须发展新的清洗方法.本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,分析了其中的不足之处,在此基础上,对新发展的HF/O3槽式清洗法和HF/O3单片清洗法进行了详细的说明,从而对300mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述.     

绿色二氧化碳超临界清洗设备

半导体IC清洗技术由于水溶液的表面张力大而无法进入硅片上器件的狭缝与电路线条间隙中进行清洗,同时不易干燥,且干燥时会造成二次污染,从而使得整个工艺耗水量大且清洗效果不佳.以超临界流体为媒体的清洗技术是克服以上缺点的最佳途径.提出并研制了一种绿色二氧化碳超临界清洗设备,它利用超流体二氧化碳来进行硅片的清洗和无张力的超临界干燥,而且该设备还可以对微细结构进行无粘连的牺牲层释放.设备的成本低,二氧化碳使用量少,并且可以循环使用,属于绿色无污染的新型半导体清洗设备.     

硅抛光片表面颗粒度控制

硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能,其中表面颗粒度会引起图形缺陷、外延缺陷、影响布线的完整性,是高成品率的最大障碍。探讨了如何减少硅表面颗粒度的方法。第一部分从兆声波清洗的机理出发,研究了清洗温度及清洗时间对硅抛光片表面颗粒度的影响;第二部分通过实验对比了增加多片盒清洗工艺对硅抛光片表面颗粒度的影响。     

窄间隙介质阻挡放电清除硅片表面颗粒污染物

硅片清洗技术已成为制备高技术电子产品的关键技术。采用窄间隙介质阻挡放电方法研制了低温氧等离子体源,把氧离解、电离、离解电离成O、O-、O+和O2(a1Δg)等低温氧等离子体,其中O-和O2(a1Δg)活性粒子进一步反应形成高质量浓度臭氧气体,再溶于酸性超净水中,用于去除硅片表面颗粒污染物。实验结果表明:当等离子体源输入功率为300 W时,臭氧气体质量浓度最高为316 mg/L;高质量浓度臭氧气体溶于pH值为3.8的超净水中形成臭氧超净水,质量浓度为62.4 mg/L;在硅片清洗槽内,高质量浓度臭氧超净水仅用30 s就可去除硅片表面的Cu、Fe、Ca、Ni和Ti等金属颗粒物,去除率分别为98.4%、95.2%、88.4%、85.2%和64.1%。本方法与目前普遍使用的RCA清洗法相比,具有无需大剂量化学试剂和多种液体化学品、清洗工艺简单、投资及运行成本低等优势。因此,窄间隙介质阻挡放电清洗硅片表面颗粒污染物技术具有广阔的市场应用前景。     

圆片清洗过程中静电控制

随着半导体技术的不断发展,对集成电路封装过程中的静电控制要求也越来越高。传统清洗机清洗圆片时,通常会产生大量的静电电压,可能引起芯片失效、损伤造成漏电流增大从而导致电路的损坏。如何降低清洗机清洗圆片时产生的静电电压,对减少封装过程中因ESD引起的芯片失效有着比较重要的意义。为此我们利用高压喷雾旋转清洗机针对圆片清洗这个步骤进行了一系列的试验。文中涉及控制清洗液的电阻率,并尝试改变清洗过程中的相关清洗条件,最终达到封装过程中要求的±200V的静电控制要求。     

半导体晶圆的污染杂质及清洗技术

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。     

全自动太阳能硅片清洗机的研制

全自动太阳能硅片清洗机是对脱胶预清洗之后的硅片进行进一步的清洗。为了保证得到洁净的硅片,除了采用碱溶液清洗之外,清洗设备还增加了浸泡、超声清洗、抛动、鼓泡等清洗工艺,提高了硅片的清洗质量和可靠性,保证了硅片的清洗合格率。采用先进的自动控制系统,不仅能满足客户的现有工艺要求,还可以根据用户的需求进行不同的工艺配置。