改进型折叠式共源共栅运算放大器电路的设计

在套筒式共源共栅、折叠式共源共栅运放中,折叠式共源共栅运算放大器凭借较大的输出摆幅和偏置电压的较低等优点而得到广泛运用。但是,折叠式的这些优势是以牺牲较大的功耗、较低的电流利用率而换取的。本文以提高电流利用率为着手点设计了一种改进的折叠式共源共栅运算放大器,在相同的电压和负载下改进的折叠式共源共栅运算放大器能显著提升跨导、压摆率和噪声性能。仿真结果表明在相同功耗和面积的条件下,改进的折叠式共源共栅运算放大器的单位增益带宽和压摆率是折叠式共源共栅运放的3倍。     

AlGaN/GaN共栅共源HEMTs器件

研究了蓝宝石衬底AlGaN／GaN共栅共源器件的特性。该器件包括栅长0．8μm共源器件与栅长1μm的共栅器件。研究表明,共栅共源器件的第二栅压对的器件饱和电流与跨导有明显的调制作用,容易实现功率增益控制。与共源器件相比,共栅共源器件在微波特性上fT大约9GHz,比共源器件稍小,但是具有较低的反馈,显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗,与共源器件相比,稳定性更好,可以避免振荡的产生,结合GaN的高功率特性GaN共栅共源器件非常适合微波频段宽频大功率领域的应用。     

有线电视与有线广播共缆和共网传输技术

本文就有线电视广播共缆传送音频功率信号的方式,较深入地进行了讨论,并提出了个人的观点。     

提高共源共栅CMOS功率放大器效率的方法

利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里描述了一种采用共源共栅电感提高效率的5.25 GHz WLAN的功率放大器的设计方法,使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路,在此基础上设计输入输出匹配网络,然后使用ADS软件进行整体仿真,结果表明在1.8 V电源电压下,电路改进后与改进前相比较,用来表示功率放大器效率的功率附加效率(PAE)提高了两个百分比。最后给出了功放版图。     

高性能折叠式共源共栅运算放大器的设计

折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构.Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12 MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105 dB,达到了预期的设计目标.     

有线电视与有线广播共缆共网传输技术方案的选用

有线电视与有线广播共缆共网传输技术方案的选用□展卫东（江苏省如东县广播电视局２２６４００）近年来，有线电视已在广大农村悄然起步。这是继农村广播网的建立之后，农村广播电视事业再造辉煌的又一可喜的先声，是促进农村广播电视事业大发展的绝好时机。面对这个新的...     

一款高性能共源共栅运算放大器设计

基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺,采用复用型折叠式共源共栅结构,设计一种折叠式共源共栅运算放大器。该电路在5V电源电压下驱动5pF负载电容,采用Cadence公司的模拟仿真工具Spectre对电路进行仿真。结果表明,电路开环增益达到了71.7dB,单位增益带宽为52.79MHz,开环相位裕度为60.45°。     

蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件

报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的 f T、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.     

互联网视域下用户共情空间研究

互联网思维的核心是以用户为中心，注重对信息传播的方式和情感的维护，因而构建出不同的空间体系。从这种构建出来的空间概念来理解共情，则能更好地把握媒介为用户维护所作出的努力与改变。本文从以场景构建为主要目的的认知共情空间和以情感传递、感染为特点的情绪共情空间出发，分析这两种共情空间体系的特点和联系，以把握用户在其中的主体性作用。     

蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源微波HEMTs器件

报道了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的制备与特性.该器件包括栅长为0.8μm共源器件与栅长为1μm的共栅器件.实验表明,共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性,从而控制功率增益.与共源器件相比,共栅共源器件表现出稍低的fT、较低的反馈、显著增加的功率资用增益及较高的端口阻抗.     

一种自偏置低压共源共栅带隙基准电路设计

随着CMOS工艺的发展,器件尺寸逐渐缩小,短沟道效应的影响日益突出。共源共栅电流源可以很好地抑制小尺寸效应,但其消耗的电压余度较大,偏置电路设计繁琐。因此介绍了一种采用自偏置低压共源共栅电流源的带隙基准电路结构,用两个电阻代替了偏置电路。仿真结果显示,该带隙基准电路的最低电源电压约为2.98V,相对于普通的共源共栅结构,降低了2个MOSFET阈值电压;工作在最低电源电压下,功耗约为270μW,相对于带偏置电路的结构,降低约75μW。仿真结果证明,该电路能够简化共源共栅电路的设计和调试,并减少低压共源共栅电路的功耗。     

一种折叠共源共栅运算放大器的设计

折叠共源共栅运放结构的运算放大器可以使设计者优化二阶性能指标,这一点在传统的两级运算放大器中是不可能的。特别是共源共栅技术对提高增益、增加PSRR值和在输出端允许自补偿是有很用的。这种灵活性允许在CMOS工艺中发展高性能无缓冲运算放大器。目前,这样的放大器已被广泛用于无线电通信的集成电路中。介绍了一种折叠共源共栅的运算放大器,采用TSMC 0.18混合信号双阱CMOS工艺库,用HSpice W 2005.03进行设计仿真,最后与设计指标进行比较。     

共射-共基电路的高频响应分析及PSPICE仿真

对共射-共基组合放大电路的高频响应进行了详细的分析,给出了上限截止频率的简单计算方法,从密勒效应的角度对比了单管共射放大电路与共射-共基组合放大电路的上限截止频率,并利用PSPICE软件进行了仿真,仿真结果也验证了理论分析的正确性。     

折叠式共源共栅运算放大器的0.6μm CMOS设计

折叠式共源共栅结构的运算放大器不仅能提高增益、增加电源电压噪声抑制能力,而且在输出端允许自补偿.基于0.6μm CMOS工艺,验证了一种折叠共源共栅的运算放大器的参数指标.理论计算和实际分析相结合,仿真结果达到设计指标要求.     

共阴极节能LED显示屏设计研究

传统共阳电路存在着屏体温度过高和功耗过大的缺点.而共阴电路能很好地解决这两个问题.就共阴电路LED显示屏的原理、节能、低热低温升等方面进行了详细的阐述.测试结果表明,共阴电路屏体温度平均低于传统共阳电路14.6℃,功耗降低了40％以上,很好地响应了国家节能环保政策,满足了客户对产品可靠性、使用寿命和显示一致性、节能环保等需求.     

利用共栅—共源电路产生高电压输出

文章介绍了利用共栅共源电路与电源控制器相结合构成的高电压输出电路,该电路能够在保证较高效率的同时,由较低的电压获得高输出电压。     

共源共栅两级运放中两种补偿方法的比较

给出了两种应用于两级CMOS运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸.通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了共源共栅密勒补偿技术相对于直接密勒补偿技术的优越性.     

共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较

提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。     

低温共烧陶瓷共烧焊盘可焊接性研究

共烧焊盘可焊性是关系LTCC外壳基板能否实际应用的关键因素之一。针对实际产品中出现的不良例,本文进行了相关研究,发现共烧焊盘表面玻璃相是导致焊盘可焊性失效的主要原因,同时分析了玻璃相产生的机理及其影响因素。结合实际生产工艺,降低最高烧结温度可有效消除共烧焊盘表面玻璃相,提高焊盘可焊性。     

一个自偏压互补折叠式共源共栅放大器的设计

对传统CMOS折叠式共源共栅运算放大器进行分析和总结,利用自偏压互补折叠技术实现了一种高性能CMOS自偏压互补折叠式共源共栅运算放大器。这个设计消除了6个外部偏置电压,减小了供电电压,并且提高了输出摆幅和开环增益,同时,使用这个方案还可以使芯片面积、功耗、偏置部分对噪声和串扰的灵敏度降低,最后描述了设计过程并给出了设计的仿真结果,证实该结构的可行性。