钽及钽合金的工业应用和进展

主要介绍了近几年内钽及钽合金工业的发展概况，及其在电子、高温合金、武器系统等的新发展和应用，指出钽的应用领域将继续开发。同时，随着钽电容器的发展，钽的需求也将大幅发展。     

钽电容器供需现状

由于电子市场的不景气，给钽的需求以很大的打击，至今钽的需求仍极疲软，但随着库存积压的减少，今年钽的消费量将会慢慢恢复。尽管今年的需求量达不到1999年和2000年的水平，但比2001年将有一定程度的增加。 钽的需求与电子市场关系密切，钽金属总消费量的约80%是用于电子工业，电容器级钽粉约占钽总出库量的6成，此外，与钽电容器相关的还有钽丝及炉用钽材。钽在电子工业的应用还有钽溅射靶、五氧化二钽等。 集成电路(IC)基板和半导体的出库量是钽需求动向的睛雨表。据美国半导体工业协会统计，2001年世界半导体总出库量比2000年下降31.…     

钽需求与电子工业息息相关

钽及其高附加值产品的需求仍与电子工业、航天工业的繁荣与否息息相关。电子工业随着全球经济的衰退而低迷，钽成品、半成品库存增加，需求不如前几年那么高涨。 自9·11恐怖事件发生以来，人们对航空业的信心显著下降，影响了对飞机及其替换零件的需求。但钽的总需求还保持平稳，由于用户增多，钽在电子工业中的应用长远来看将会增加，这在一定程度上抵消了每部移动电话中钽电容器用量的减少。 爱立信公司开发了一种无钽电容器的移动电话，将于2002年投放市场。摩托罗拉在过去5年中将每部移动电话的钽电容器用量减少了10%。移动电话业一度…     

电容器用金属丝

传统的电容器用金属丝以钽为主，然而近5年来．钽电容器的市场份额受到了极大的挑战，除了人们所关心的失效模式以及高频下的响应外，同样面临着诸如资源、成本等方面的考验。另外，随着某些替代品，如铌电容器日益受到人们的广泛关注，都对钽电容器的发展产生了极大的冲击。     

高技术产品用无源元件与中国钽工业发展

世界高技术产品市场总体看呈增长趋势，预计2020年销售额将比2000年翻一番。以高技术产品为主要应用领域的电阻、电容、电感等无源元件，也将随着高技术产业的发展呈现出良好的市场前景，但是钽电容器市场近几年表现出骤涨急落的发展态势。由于钽电容器产能过剩，且面临着被替代的威协，因此价格将无法返回到2000年以前的水平，并呈现整体持续走低的趋势。中国的钽工业发展应注重提高企业自身的综合竞争力，加强企业间的沟通、交流与合作，维护我国钽工业的整体利益，增强环保意识，做好国外转移到我国的初级产品和低端产品生产的环保工作。     

铌电容器及其电介质的稳定性

介绍了铌电容器发展的起因、背景、历程及现状。确定了铌电容器电介质氧化膜的稳定性是影响其性能的首要因素，并对产生电介质氧化膜的电化学反应进行了对比研究。结果表明：选择合适的形成液类型及形成时间等条件，可以明显改善五氧化二铌电介质膜的稳定性，从而使铌电容器的性能得到有效改善和控制，并进一步接近钽电容器性能，具有工业化应用潜力。     

铌电容器的开发

铌与钽相比,资源多、价格低、性质接近,是钽电解电容器最好的替代材料。本专题报道了铌电容器开发的进展情况。     

电容器用铌粉

铌与钽相比,资源多、价格低、性质接近,是钽电解电容器最好的替代材料。本专题报道了铌电容器开发的进展情况。     

钽铌电子材料新进展（I）

代表中国钽铌工业整体水平的宁夏东方有色金属集团有限公司，近年来，研究了钽粉的微观结构，开发出降低杂质含量，改善物理性能等新技术以及Ta2O5钠还原制取高比容钽粉、TaCl5低温钠还原制取纳米级钽粉的新工艺方法；研制并生产出性能优良的、适用于钽电容器的高比容钽粉，同时也开发了高比容铌粉、一氧化铌粉的制造新技术，制得高性能的电容器级铌粉和一氧化铌粉，为铌电容器作为一种新型电容器产业参与竞争提供了优质的基础材料。     

开发钽的新资源 缓解市场需求

电子工业的快速发展促使钽市场无求迅猛增长．过去10年间，袒电容器在计算机、家用电器、汽车、通讯特别是移动电话上的用量增加了3倍．虽然在电子工业中，钽电容器用量还低于5%远不及层状陶瓷电容器和铝电容器的产量大，但是担电容器产量每年递增对％．1994年年产100亿只，1997年上升为150亿只，1998年已增至180亿只．其他电容器产量增长缓慢．袒粉用量并不与袒电容器产量同步增长．例如1986年～1996年，铝电容器增长200％，但坦纷用量仅增加物％．这是因为，1994年以来，多功能设备问世，要求高容量电容器，高储能能力扭的出现，使每只电…     

中国钽电容器工业的进展

简述了中国钽电容器工业的发展历史,主要厂家,产品的主要品种,性能及其应用,生产设备及工艺水平,产品质量一致性和可靠性,历年年产量,进出口状况和市场分析,历外来对钽材的需求量,各种规格钽粉和钽丝的消耗量及对未来的展望。     

我国电容器级钽丝的发展

回顾了我国电容器级钽丝发展历程,评述了我国电容器级钽丝发展现状、技术发展历程以及在世界钽工业发展中所处的地位,分析了我国钽丝加工技术领域存在的问题,就我国钽丝行业发展提出通过政府协调、政策引导和市场机制的综合运用,实现钽丝行业的有效整合,构筑技术创新和人才竞争机制,密切关注钽丝市场的需求动态,加大技术研发投入,强化自主知识产权的保护意识,使我国钽丝行业健康、有序地持续发展.     

制造电容器用的廉价纯铌粉末

德国Starck公司新近开发了一种能以很低生产费用制取具有高比表面积高纯度铌粉的生产工艺 ,所生产的这种纯铌粉适合作为制造电解电容器用的原材料。纯铌粉的生产工艺包括利用镁蒸气首先将Nb2 O5还原 ,该还原过程可以分一步、两步或三步来完成 ,这取决于对于铌粉产品所要求的纯度和物理性能 ,所生产的纯铌粉末具有范围颇大的比表面积 ,它关系到铌粉的比容量的大小。所生产的高纯度铌粉的物理特性类似于电容器级纯钽粉 ,因此 ,铌电容器可以按照类似于在生产钽电容器时所采用的生产工艺和要求来进行生产。采用钽将纯铌粉合金化 ,则可大大提高…     

日本的钽市场

日本的钽粉末市场同整个世界钽市场一样，在2001年的7月~8月出现了大跌。去年的内需正如新金属协会当初预测的那样(见表1)国产和进口加起来为225t，比1999年减少了16%。但是从电容器生产下降的情况看(见表2、表3)，30%~40%这样大幅度的减少似乎是不可避免的。从各季度电容器生产的情况看，前年第3、4季度达到23亿个的峰值平台后急剧下降，到2001年4月~6月为12亿个几乎减少一半。 表1 日本近年纯钽粉需求(t) 年份 1997 1998 1999 2000 2001 国产 136 143 160 233 195 进口 19 13 25 36 30 合计 155 156 185 269 225 注：新金属协会统资料。…     

液体全钽电容器外壳拉深关键技术及传递模设计

纯钽板通过深拉深制成的液体全钽电容器外壳在国内一直不能满足质量要求,主要原因是由于钽板在深拉深时极易产生粘结瘤。本文通过板料拉深时粘结瘤形成原因的分析,论述了模具材料、模具表面质量、板料表面质量及润滑等条件对钽板在拉深过程中形成粘结瘤的影响,指出选用高速钢做模具材料并对模具表面进行氧氮处理和采用以氟氯油为基础油的润滑油进行润滑可有效地解决粘结瘤的产生,并通过实验验证了解决方案。最后设计了一副传递模将实验结果应用于指导实际生产并获得成功。     

钽电容器市场需求平稳

据来自在捷克的布技格举行的钽铌国际研究中心年会上消息，尽管存在价格的竞争及亚洲消费的下降，但是担电容器的需求仍保持在1998年中期的发展水平．英国AVX有限公司钽分公司市场都经理G．Louch谈到目前钽电容器的需求趋势，他预计钽电容器的应用将从1998年的180亿只增加到2002年的310亿只，年增长速度超过100％自1995年以来，由于网络电话，个人电脑，数字式用相机，汽车及其它电子产品对钽电容器的大量应用，钽电容器的需求已经从1995年的104亿只不断的增加．但是其它行业的与会者们已经注意到，由于作为最大工业发展地区的亚洲受到经…     

钽需求恢复

据最新报道，电容器对钽的需求自2001年严重下降后，今年将恢复。 电子工业的发展是钽需求量增加的主要动力。据Roskill信息服务处的最新报告，钽电容器产量从1988年的50亿只上升到2000年的240亿只。然而2001年其产量下降15%，为205亿只。自20世纪90年代中期以来，五氧化二钽的需求平均每年增长24%，2001年达到峰值，为2600t。 便携式电子产品，尤其是笔记本电脑、移 动电话的产量增加极大地促进了钽用量的增加。2001年移动电话需求量的减少冲击了钽市场，Roskill预测，2002年钽电容器的产量约为230亿只。 预计到2005年，移动电话对钽的需…     

电子工业、超合金市场激活钽需求

装有钽电容器的便携电话及其它电子仪器的销量猛增，世界钽需求旺盛。但电子元件并不是钽需求增长的唯一领域，目前，超合金领域的消费量也大幅增长。美国马萨诸塞州牛顿的H. C. Starck有限分公司市场销售部经理Lee Sallade说：2000年钽的需求已超过20%，预计2001年仍将有20%左右的增长幅度。无线电通信及其它电子仪器的快速发展，使其产品产量猛增，钽电容器的使用数量也迅速增加，如摄像机，过去每个集成电路可能只有10个~15个电容器，现在多达30多个；又如计算机，奔腾处理器原有125个无源部件，包括电容器，而奔腾Ⅱ则有345个，奔腾Ⅲ…     

碳还原法制备电解电容器用一氧化铌粉末

一氧化铌(NbO)具有与金属相近的导电能力,作为阳极赋能时,与铝、钽、铌等阀金属一样,能在阳极表面形成介电性能优良的无定型氧化膜。研究了真空碳还原Nb2O5制备NbO的原理、工艺条件以及一氧化铌粉末的理化性能和电性能等,参照GB/T3137-1995关于电容器用钽粉电性能测试方法,经实测,一氧化铌粉末具有比电容105120μF·V/g,损耗11.2%,漏电流2.5×10–4μA/μF·V,表明其湿式电性能已达到甚至优于相应的高比容钽粉的水平;沿用钽电容器生产工艺,探索性地进行了小批量以NbO为阳极的电解电容器生产,其成品合格率达到77%。     

高纯钽及如溅射靶的含高纯钽的制品

本发明涉及高纯钽和舍有高纯钽的合金。钽金属优选具有至少99．995％的纯度，更优选具有至少99．999％的纯度。另外，本发明涉及钽金属及其舍金，这种钽金属及其合金具有约50微米或更低的粒度；或者具有这样的织构：任意5％厚度增量内，强度低于约15random或强度的对数比大于约一4．0；或者具有这些性质的任意组合。本发明同样涉及由钽金属制成的物品和元件，包括但不限于溅射靶、电容器外壳、电阻膜层、导线等。本发明还涉及制备高纯钽金属的方法，