可集成互感耦合电路的实现

在分析互感耦合电路端口电压和电流关系的基础上提出了一种新的互感耦合电路的系统设计方法,并以CCCII和CCDDCC为有源器件实现了具体电路。提出的电路仅有4个有源器件,2个接地电容和2个接地电阻,能够实现初、次级电感L1,L2和互感M(或-M)。初、次级电感和互感能够通过调节有源器件CCDDCC的偏置电流和电阻RM实现独立可调。作为应用和验证设计的正确性,将提出的互感耦合电路应用到双调谐回路。     

基于电流互感的助航灯检测电路寄生电源设计

针对助航灯检测电路的供电问题,研究了从助航灯调光回路寄生取电的方法.助航灯通过电流改变光强等级,鉴于其工作电流范围大的特点,采用基于电流互感器寄生取电方法.建立了互感器取电模型并结合实验得出互感器输出功率与一次侧电流以及负载的关系.根据检测电路功率要求,优化了互感器一次侧设计参数,并采用基于功率电阻的过压保护电路,限定互感器输出电压.实验证明,在助航灯工作在一级至五级光强等级时,电源输出电压稳定,满足检测电路功率要求.     

电子式电流互感器的高压侧供电电源设计

电子式电流互感器的高压侧电路供电问题是其研制的一个难点。设计了一种用于电子电流互感器高压侧供电的激光电源,实验表明该电源性能良好,可作为高压侧电子线路的供能装置。     

形态各异的变压器

变压器是利用电感线圈互感原理制成的一种用途广泛的元器件。变压器在电路中具有很重要的功能，它可以对交流电（或信号）进行电压变换、电流变换、阻抗变换或相位变换，并起传递信号、隔断直流等作用。     

一种全集成高效率多通道神经电刺激电路

设计了一种超低待机功耗、高效率的16通道高压神经电刺激集成电路(IC)。该电路主要包括1个基于串-并联电荷泵的高压产生模块，以及1个16路独立配置的通道输出驱动电路模块。高压产生模块将输入的1.65 V低压域电压转换为高压域电压6.6、9.9、13.2 V;通道输出驱动电路根据设定的刺激电流和电极负载情况动态选择合适的高压域电压以提高电刺激效率。经测试，在1.65 V输入电压和3.3 V电源电压下，该电路待机时静态功耗约为7.6 nW,由待机至电刺激电路工作切换时间小于36 ns,电荷泵输出最大电压可达12.7 V,约为电源电压的4倍，通道控制电路能输出最高1 mA的刺激电流。与传统的固定电源电压电刺激电路相比，消耗的能量最高减少了76.9%。     

有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应

利用正则变换和幺正变换的方法研究了有互感的介观电感电容耦合电路的量子效应，并把介观电感电容耦合电路和另外几种耦合电路进行了比较。发现在耦合电容存在的有互感的电路中，通过调节互感耦合系数来控制电路的量子涨落和压缩效应是很方便的。电路中电荷和电流的不确定关系与正则变换参数ψ和不确定关系参数ξ有关。当ξ→1或ψ→nπ／2(n=0，1，2，…)时，电荷和电流的不确定关系接近最小值h／2。     

有互感和电源的电容耦合电路的量子涨落

通过正则变换和幺正变换的方法研究了有互感和电源存在的情况下的介观电容耦合电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子涨落与电源无关。当电路元件确定时，如果L1／L2的值很大或很小，耦合对涨落的影响很大。互感从有到无的过程中，回路1中电流的涨落和回路中2中电荷的涨落有明显的变化。换句话说，互感的有无对涨落的大小起着举足轻重的作用。     

一种用于电源管理IC的电流采样电路

利用高压集成功率集成器件,设计了一种用于电源管理IC的电流采样电路.此采样电路具有结构简单、精度高、耐高压(＞800 V)、低损耗等特点;同时实现了功率芯片的自供电功能,无需外加芯片供电电源.     

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。     

主机属机同时供电电路

在许多由主机和属机组成的系统中,通常要求主机与属机同时接通并同时断开市电电源。某些具有此功能的设备是在主机电源线上串入一只或几只二极管来检测主机电流,以此控制属机的电源通断。虽然二极管的压降不大,但会给主机造成电压损失和电源干扰。本电路采用电流互感变压器来检测主机电流,可使主机的电源电压损失减小到只有几个毫伏,而且不会造     

非线性时变互感的瞬态电路模型

基于电路理论和数值积分的原理，导出了非线性时变互感关于Ｂａｃｋｗａｒｄ Ｅｕｌｅｒ和Ｎｅｗｔｏｎ－Ｒａｐｈｓｏｎ算法的瞬态电路模型，将文献［１］中提出的非线性时变ＲＬＣ电路瞬态分析的方法推广到含非线性时变互感的情况，使非线性时变ＲＬＣＭ电路的瞬态分析简化为若干线性时不变电阻性电路的直流分析。     

基于互感模型的混合封装电力电子集成模块内 电磁干扰的研究

研究了大电流混合封装电力电子集成模块(IPEM)内功率电路对控制驱动电路的电磁干扰问题研究表明,功率电路的内部环流通过互感耦合的方式会对IPEM内部的控制和驱动电路产生重要影响,特别是环流的高频分量为了对环流的EMI进行评估,建立了IPEM的内部环流实验模型另外,一种简化的基于局部元等效电路(PEEC)原理的建模和计算方法被用于计算环流回路与控制和驱动回路之间的互感,实验证明结果是比较准确的.     

一种提高功率因数的GQS滤波电路

本文介绍了一种在直流电源中运用的带滤波电感的ＧＱＳ滤波电路,此电路在传统滤波电路的基础上,加用滤波电感,可大大降低对电网的谐波污染,提高电源的功率因数。     

Analysis of inverse E class power amplifier with finite DC feed in sub-nominal condition

In this work an inverse E power amplifier with finite DC feed in sub-nominal condition is discussed. In the conventional inverse E the DC feed inductor is considered very large which imposes some conditions to the circuit such as constant current drawn from voltage supply and also a large value for inductance is hard to implement on-chip so this work removes the very large condition from DC feed inductance and proposes a finite DC feed for the structure and extracts the circuit parameters and design equations with regards to this matter. Furthermore to achieve a flexible design this work uses the phase shift between input and output voltages to control efficiency, peak switch voltage and peak switch current then the value of circuit elements and the tradeoffs for every choice are discussed in details and a design guideline is presented for achieving different goals in a finite DC feed inverse E PA. Finally the circuit is simulated in the 0.18 µm CMOS technology and the results are being verified.     

DC—DC正激变换器次级有源箝位电路

提出一种新型DC－DC正激变换器次级有源箝位电路。它一方面将储存于变压器漏感能量无损耗地转移到负载,另一方面有效降低了次级功率二极管电压应力。本文对其一个周期内工作原理及相关理论进行分析,并给出2.8kW DC-DC变换器实验结果及波形。     

单端正激变换器谐振磁复位技术的研究

针对单端正激式DC／DC变换器的磁复位问题,本文对无需外加辅助电路,仅通过开关器件寄生电容与变压器励磁电感实现的谐振式磁复位电路进行了研究。文中详细分析了电路在一个开关周期内的6种不同开关模态．给出了参数设计的计算公式,进行了仿真分析和实验研究,并应用于车载式锂离子动力电池充电单元的研制。     

Lumped-circuit model extraction for vias in multilayer substrates

Via interconnects in multilayer substrates, such as chip scale packaging, ball grid arrays, multichip modules, and printed circuit boards (PCB) can critically impact system performance. Lumped-circuit models for vias are usually established from their geometries to better understand the physics. This paper presents a procedure to extract these element values from a partial element equivalent circuit type method, denoted by CEMPIE. With a known physics-based circuit prototype, this approach calculates the element values from an extensive circuit net extracted by the CEMPIE method. Via inductances in a PCB power bus, including mutual inductances if multiple vias are present, are extracted in a systematic manner using this approach. A closed-form expression for via self inductance is further derived as a function of power plane dimensions, via diameter, power/ground layer separation, and via location. The expression can be used in practical designs for evaluating via inductance without the necessity of full-wave modeling, and, predicting power-bus impedance as well as effective frequency range of decoupling capacitors.     

多线圈耦合电路的回路分析

本文从互感支路的伏安关系出发,导出了多线圈耦合网络具有理想电流源支路时的回路方程。方程的个数为独立回路数减去理想电流源支路数。建立方程的工作量与不具有互感电路情况大致相等。与一般节点法相比,在建立方程中不必求电感支路的电感逆矩阵;与改进节点法相比,一般情况下,方程的个数要少。本文建立的方程特别适用于具有大量多线圈偶合网络的分析。