分立器件

SiA923EDJ:功率MOSFETVishay Intertechnology推出双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET SiA923EDJ。采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装。新的SiA923EDJ可用于DC/DC转换器,以及智能手机、MP3播放器、平板电脑和电子书等手持设备中的充电和负载开关。SiA923EDJ在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V时     

具有超低导通电阻的P沟道功率MOSFET

SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件,将P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半,在4．5V、2．5V和1．8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和H65mΩ。     

Vishay推出最低导通电阻的新款MOSFET——采用PowerPAKSC-70封装,2mm×2mm占位面积可显著节省空间

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5 V下具有更低的     

Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET

正日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20V(12VVGS和8VVGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm×2mm。     

SiA850DJ：190VN沟道功率MOSFET

Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。     

Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。     

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

SiA427DJ：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET器件SiA427DJ。SiA427DJ所采用的超小尺寸2mm×2mm PowerPAK SC-70封装为小型手持式电子设备进行了优化。     

Vishay N沟道MOSFET新增SiA446DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150 V N沟道MOSFET——SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm×2mm,在10 V下具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器,以及以太网供电(PoE)的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用,Power-PAK SC-70的占位比3mm×2.8mmTSOP-6封装小55%,同时热阻低40%。,、     

SQJ940EP/942EP：MOSFET

Vishay推出通过AEC—Q101认证的采用非对称PowerPAK SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET功率MOSFETSQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix的这两款器件可用于车载应用，把高效同步DC／DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm×6mm封装里。     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

SiA975DJ：P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。     

Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET

日前,Vishay宣布推出业界首款带有同体封装的190V功率二极管的190V n通道功率MOSFET-SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0．75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封装的SiA850DJ还是在18V VGS时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。     

采用热增强封装的150V N沟道MOSFET

SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。     

飞兆半导体推出具有业界最低RDS（ON）的20V MicroFET MOSFET

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS（ON）的20V 2mm×2mm×055mm薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、     

采用CSP封装的P沟道MOSFET

采用1mm×1．5min×0．4mm WL—CSP封装的单-P沟道MOSFET器件FDZ391P,能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1．5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL—CSP封装,将导通电阻和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40％,可满足下一代手机、MP3播放器和其他便携应用的要求。该器件具有低RDS（ON）（典型值74mΩ＠-4．5V VGS）,能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能（1．9W）。     

快捷拓展业界领先的BGA封装产品

快捷半导体公司扩展了其新型BGA(球形栅阵列)、封装MOSFET产品系列,共推出了十一种新型MOSFET,它们的性能-占位面积比在业界领先。这些产品包括单器件和共漏极双器件,均有N沟道和P沟道两种类型。 这些新器件的击穿电压在20V至30V之间,最大RDS(on) 在75毫欧至2.9毫欧之间,门驱动电压仅有2.5V。P沟道单器件可用于各种负载管理产品,而N沟道单MOSFET最适合DC/DC转换器及负载管理产品使用。