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金属纳米粒子以其尺寸相关的独特的光电子、化学特性在许多领域都有极其重要的应用价值。因而,制备尺寸可控的金属纳米粒子具有重大的研究意义。溶液中制备金属纳米粒子或团簇,有可能控制纳米粒子的形态和尺寸分布,从而获得具有一定大小和结构的功能分子。本文首先介绍了几种制备液相金属纳米粒子的化学方法,然后详细阐述了激光烧蚀制备液相金属纳米粒子的特点、动力学形成机制和国外最新发展状况。另外,展望了激光烧蚀技术用于制备液相金属纳米粒子的发展前景。 相似文献
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采用激光蒸凝法 ,以 1 50WCWCO2 激光器为光源 ,金属Zn为靶材 ,成功地制备出了Zn和ZnO纳米粒子。较详细地研究了实验参数对纳米粒子性能的影响 ,并应用经典成核理论对粒子的形成过程进行了研究。实验结果表明 ,制备工艺条件对形成的纳米粒子有一定的影响 ,反应压力和载气流量影响纳米粒子的形貌。不同的反应气氛制备的产物不同 ,在惰性气氛下产品纳米粒子是Zn和ZnO的混合物 ,在氧气气氛下 ,所得的纳米粒子是纯ZnO ;在氢气气氛中得到较纯的Zn纳米粒子。通过对临界粒子半径r 的回归分析 ,说明Zn纳米粒子的粒径主要由反应压力控制 ,而与载气流量关系不大 相似文献
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研究了纳米SiO2的粒度对投影显示屏亮度均匀性的影响。结果表明,随着SiO2粒子粒度的减小,投影显示屏样品的亮度均匀性得到提高,并从纳米粒子的结构特点和散射机理方面进行了解释。 相似文献
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通过纳米粒子束流气相沉积方法在衬底表面沉积稠密银纳米粒子点阵。通过对纳米粒子覆盖率的精细控制与纳米粒子点阵消光谱的实时监测,实现了其表面等离激元共振峰频率的系统调控。随着Ag纳米粒子密度的增加,点阵的表面等离激元共振波长发生红移,可逐步由小于400nm增大到570nm以上。研究发现,表面等离激元共振波长的变化与随纳米粒子沉积量增加而增加的紧密相邻的纳米粒子对的百分数相关。 相似文献
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从Au纳米粒子出发,利用竖直浸渍提拉法(dip-coating)成功将Au纳米粒子负载于基底(云母片/单晶硅片),并以3-氨丙基三甲氧基硅烷(APTMS)对单晶硅片进行改性,得到具有密度分布不同的Au纳米粒子two dimensional(2D)组装结构,制备方法简单易行。利用原子力显微镜(AFM)表征了不同制备条件下Au纳米粒子在基底表面的分布状态,结果表明,Au纳米粒子溶胶和偶联剂APTMS的浓度以及浸渍时间对Au纳米粒子在单晶硅片表面的密度分布起到决定性作用。 相似文献
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纳米粒子掺杂的液晶显示技术 总被引:1,自引:0,他引:1
液晶显示器需要快速响应来显示动态画面,纳米粒子掺杂技术能够改善液晶材料的特性,提高液晶显示器的光电性能。本文介绍了四种主要的掺杂纳米粒子类型:碳纳米管、金属纳米粒子、金属氧化物纳米粒子和铁电性纳米粒子。 相似文献
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为了使数据设计和程序开发完全分离,减少二者间耦合,达到项目便于分割,任务便于独立,提高效率,减少错误的目的。采用构建数据库访问类库的方法。本方法已在理论考核系统、远程辅助教学系统等多个系统中做了实验,并验证了其效果的良好性。得到了一个结论,有了这样一个中间层,项目主程序的开发者,可以完全不需要了解数据的细节,只需要构建这个类库的对象,通过对这些对象的读写操作,就可以完成对数据库的操作。 相似文献
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高效能,低功耗DDR2控制器的硬件实现 总被引:1,自引:0,他引:1
随着SoC芯片内部总线带宽的需求增加,内存控制器的吞吐性能受到诸多挑战。针对提升带宽性能的问题,可以从两个方面考虑,一个办法是将内存控制器直接跟芯片内部几个主要占用带宽的模块连接,还要能够对多个通道进行智能仲裁,让他们的沟通不必经过内部的AMBA总线,甚至设计者可以利用高效能的AXI总线来加快SoC的模块之间的数据传输。另一个办法就是分析DDR2SDRAM的特性后设计出带有命令调度能力的控制器来减少读写次数,自然就能够降低SoC芯片的功耗,为了节能的考虑还要设计自动省电机制。本文为研究DDR2SDRAM控制器性能的提升提供良好的思路。 相似文献
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遗留系统是企业建立新信息系统时,面临的首要问题。在简单介绍了中间件技术的基础上,提出利用中间件技术通过构件化实现对遗留系统改造的方法,改造过程包括4个阶段:恢复遗留系统的软件体系结构;设计目标系统的软件体系结构;重新构造目标系统的构件;实现基于构件的目标系统。实践证明,该方法对遗留系统的再工程具有较大的实用价值。 相似文献
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宋依青 《微电子学与计算机》2011,28(12):103-106
提出了一种数字图像水印算法基于特殊选择的傅里叶采样卷绕的快速离散曲波变换.利用Arnold变换对水印信号进行置乱加密,将置乱后的信号进行多次重复来增加冗余度.按照曲波系数分布的特点,选择合适的尺度和系数对水印信号进行嵌入.实验结果表明,该算法对JPEG、加噪、滤波等图像处理具有好的鲁棒性,同时具有好的不可见性. 相似文献
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《Microelectronics Reliability》2014,54(9-10):1718-1723
The phenomenon of threshold voltage instability has been reported to be a critical issue for the first generation of commercial SiC MOSFETs. For aeronautic mission profile, the long term reliability of such device has to be estimated prior to any integration. As far as the author knows, this paper proposes one of the first attempts to use a non-homogeneous gamma process to model the threshold voltage degradation of a commercial SiC MOSFET. Such approach allows evaluating the time to failure as well as it distribution thanks to the proposed Acceleration degradation testing methodology. All the data collected during the ageing tests will be used to model an acceleration factor and to extrapolate the Time-To-Failure in a given application. Ultimately, the use of gamma process to evaluate the Remaining Useful Life of electronic component is described as a first step toward prognostic of Remaining Useful Life in embedded power electronics. 相似文献
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一种面向云计算环境的安全管理模型 总被引:2,自引:0,他引:2
在云计算中,对大规模的资源提供一种安全有效的访问是其一个很重要的组成部分。在传统的分布式访问控制模型中.服务请求者将主体属性或能力等披露给提供资源者.访问控制决策完全取决于以资源请求者能力和安全策略为输入的一致性证明。但是。这些主体属性与能力等通常携带了大量信息。势必给云环境中的互操作带来许多安全隐患和风险。针对云环境的特点,提出一种针对云环境资源的安全模型,采用一种基于属性的访问控制技术来解决云计算环境下复杂和困难的安全问题,并且提出了一个安全管理模型来动态的决定对资源的访问控制.通过对资源属性的动态改变来达到对资源的安全访问的目的。 相似文献