直接成像技术在PCB中的应用

电子产品日趋小型化、轻量化、多功能化，使电路板线路密度增加，从而对电路板的制作技术有了更高的要求，普通的接触曝光成像技术不能满足高密度电路的要求，激光直接成像（LDI）技术正迎合了精细线路的要求，而在PCB制作中得到应用。介绍了LDI的成像原理、存在的优缺点及其在PCB制作中的应用。     

直接成像技术在PCB中的应用

电子产品日趋小型化、轻量化、多功能化,使电路板线路密度增加,从而对电路板的制作技术有了更高的要求,普通的接触爆光成像技术不能满足高密度电路的要求,激光直接成像(LDI)技术正迎合了精细线路的要求,而在PCB制作中得以应用。本文介绍了LDI的成像原理、存在的优缺点及其在PCB制作中的应用等方面。     

采用喷墨技术和薄膜线路技术的LTCC多层印制电路板

概述了综合运用薄膜线路技术、喷墨打印技术和激光钻孔技术以及采用常规技术制作LTCC基板的简要工艺。     

印制电路板制作中激光钻孔应注意的问题

文章探讨激光钻孔特点及在印制电路板（PCB）制作中的应用，对激光钻孔中常见的问题也提出解决的方法。     

用于PCB蚀刻线路的数字喷墨打印技术

文章概述了用于PCB蚀刻线路中数字喷墨打印技术的原理和优点。在PCB的图形转移中,数字喷墨打印技术具有加工工序少、周期短和成本低的特点,它将和激光直接成像（LDI）一样成为PCB工业生产的重要方法。     

紫外光激光加工盲孔的工艺研究

紫外光(UV)激光因波长短、能量大、加工精度高等优点,被越来越多地应用到PCB微孔制作工艺中。文章研究了UV激光加工φ200μm的盲孔,通过正交试验分析了激光功率、加工速度、激光频率和Z轴高度等各因素与钻孔深度之间的关系,且获得了UV激光制作一阶与二阶盲孔的最佳工艺参数和方法。研究结果表明,钻孔深度随着激光功率和加工速度的增大而增大,而激光频率的增加使钻孔深度减小。     

代数迭代法在激光反射断层成像目标重构中的应用

为了提高激光反射断层成像目标重构的图像质量,在目前激光反射断层成像普遍采用反投影算法重构图像的基础上,将CT成像中常用的迭代重建算法引入到激光反射断层成像的图像重构过程中。分析了反投影算法中的直接反投影、R-L和S-L滤波反投影以及迭代重建算法在图像重构中的性能特性。进行了仿真和外场实验,结果表明:在直接反投影基础上添加了滤波器的反投影算法在减小误差和抑噪能力上都明显提高;另外相比于反投影算法,代数迭代重建算法表现出更好的重建质量,且具有更强的抑噪性能。     

距离选通成像实现过程中若干问题的探讨

距离选通成像是解决水下激光微光成像后向散射噪声行之有效的方法之一.距离选通成像系统中蓝绿激光光源的脉冲特性、单脉冲能量及选通成像器件的选通性能将决定距离选通成像的距离分辨、探测距离等性能;距离选通成像过程中选通控制器与选通像增强器的直接电连接,将产生严重的干扰脉冲,影响距离选通成像的实现.在分析距离选通成像机理及距离选通水下成像系统方案的基础上,研究确定了蓝绿激光光源和选通成像器件的性能要求及技术指标;提出了激光脉冲同步距离选通成像方法,有效解决了距离选通成像中的干扰现象.在由国产蓝绿激光光源及选通像增强器构成的水下激光微光成像实验平台上实现了稳定的距离选通成像.     

HDI产品对位系统优化研究

稳定均匀的处理微盲孔是HDI生产过程中一个重要的挑战。LDD激光直接钻孔生产方法可以减少盲孔间的空间及线路密度。LDD还可以减少总成本和得到技术优势。本文通过分析激光、通孔、图形转移的生产过程中的对准度偏差,对这些流程加以改进,得到最佳的对准度和生产表现。     

激光直接成像技术(Ⅰ)——直接成像的发展和技术优势

激光直接成像(LDI,Laser Direct Image)是直接利用 CAM 工作站输出的数据,驱动激光成像装置,在涂覆有光致抗蚀剂的 PCB 上进行图形成像,类似激光绘图机,所不同的是前者在 PCB 上成像,后者是在底片上成像。LDI 是典型的非接触(non-contact)式成像技术。另外,值得注意的是,目前有一种在特殊底片或玻璃上进行直接绘图的技术,它不同于常规底片制造之处在于无须显影定影过程,有人也称之为直接成像,我们姑且称之为底片(或版图)     

激光直接打孔技术定位方法的探讨

随着HDI印制板设计精度的日益提升及成本降低的需求,激光直接打孔技术得到日益广泛的应用。本文针对激光直接打孔技术定位方法进行探讨,通过对比传统的扫靶孔定位和直接烧靶定位的优缺点,提出了一种新的定位方法-开窗烧靶定位,并对该方法进行实验确认,得到了较好的效果。     

SiC及其功率器件的激光制孔研究进展

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,因具有优异的物化性能,在功率器件领域具有极大的应用前景.文章简要介绍了激光制孔的基本原理,综述了 SiC的长脉冲与超短脉冲激光制孔研究进展,对比了长脉冲与超短脉冲激光的加工特点,分析了不同脉冲宽度下SiC的制孔效果.同时,介绍了 GaN/SiC,AlGaN/GaN/SiC等SiC功率器件的激光制孔研究现状.最后,指出了 SiC及其功率器件激光制孔面临的挑战,并展望了未来的发展方向.     

CO2激光打孔的折衍混合f-θ 透镜设计

激光打孔广泛应用于印刷电路板处理等领域,在该技术中f-θ透镜起到扫描成像的重要作用。利用折衍混合系统设计了f-θ透镜，在满足性能要求的前提下，减少了透镜的个数，降低了系统成本。该系统采用像方远心光路，工作波长为9.25 μm，打孔直径50 μm，深度182 μm，扫描面积达70 mm×70 mm。     

复合激光打孔最佳匹配参量的研究

为了有效提高激光打孔的速率和激光能量的利用率，采用长脉冲激光和短脉冲激光空间叠加打孔的方法，对复合激光打孔的最佳匹配参量进行了理论和实验研究。建立复合激光打孔最佳匹配模型，以熔融物的产生和去除达到平衡为准则，理论计算得出长脉冲激光和短脉冲激光的最佳匹配参量和最佳匹配情况下的复合激光打孔速率。同时进行了毫秒脉冲和纳秒脉冲的Nd:YAG激光器复合作用于5mm的不锈钢板的打孔实验。结果表明，在实验中得到的最佳匹配参量下，复合激光打孔速率相比于毫秒脉冲激光单独打孔最大提高了3.3倍。实验和理论模型均证明了复合激光打孔在最佳匹配状态下，打孔速率达到最大，激光能量得到充分利用。     

二极管泵浦固体激光雷达技术及其应用

二极管泵浦固体激光雷达是最近几年成像激光雷达发展的重点,它采用高重复频率、高峰值功率的二极管泵浦固体激光器、高灵敏度的雪崩二极管探测器,其主要优点是体积小、价格低,可用扫描成像或非扫描 成像,探测大多采用直接探测体制,在军事和国民经济中都有着广阔应用前景。文中简要介绍了二极管泵浦固体激光雷达的研究及其在军事中的应用,包括精确制导、风速测量和直升机防撞等。以几种典型激光雷达为例,概括了激光雷达研究中需要解决的部分关键技术。     

激光深熔焊接过程中小孔行为的研究进展

从试验研究和数值模拟研究两个方面介绍了激光深熔焊接过程中小孔行为的国内外研究现状。x射线透射成像和高速摄影相结合的方法迄今为止仍然是研究激光深熔焊接过程中小孔行为最有效的方法。多激光束焊接、复合激光焊以及辅助气流等方法被用于改善激光焊接过程中小孔的稳定性。目前具有代表性的动态小孔模型有三类,分别是认为激光焊小孔形成机理与激光打孔相同的动态小孔模型,基于流体体积法（VOF）的动态小孔模型和基于等值面法（Level Set的动态小孔模型。对三类模型进行了比较分析,并指出基于高精度运动界面追踪方法来追踪汽／液界面的动态小孔模型将是今后发展的趋势。     

激光销毁弹药若干问题的研究

阐释了激光打孔侵彻销毁弹药基本原理,评述和分析了当前激光打孔实验、仿真以及激光辐照带壳含能材料研究现状,探讨了激光销毁弹药热点问题。     

复合脉冲深度激光打孔的实验研究

为了进一步提高激光在金属厚板上深度打孔的速率,针对5mm厚不锈钢板,采用高峰值功率短脉冲串叠加大能量长脉冲的双光束复合激光打孔方法,建立了复合脉冲激光打孔的理论模型,提出大能量长脉冲激光束的主要作用是熔化金属,排出金属熔融物主要靠高峰值功率密度的激光脉冲串,并研究了脉冲能量、脉冲宽度、打孔方式等不同激光参量下的激光打孔效果。结果表明,与长脉冲激光单独激光打孔相比,复合脉冲激光打孔能大幅减小穿孔时间,对脉宽2ms、单脉冲能量2.9J的长脉冲,复合脉冲打孔速率提高2.3倍,所需能量减少20%,且脉冲能量越大,脉冲宽度越窄,打孔速率越快。此研究为复合脉冲打孔的激光器选择提供了依据。     

HDI PCB制造中采用TEA CO2激光的铜直接钻孔

研究了采用二氧化碳（CO2）激光在高密度互连（HDI）印制板（PCS）的铜导体层上有效的微导通孔形成的铜直接钻孔的方法。在铜导体箔的表面上镀覆金属锡层,以便增进铜导体箔上的CO2激光能量吸收。镀层表面采用各种脉冲能量的CO2激光进行钻孔。采用一种激光脉冲可以在9μm厚度的抛光铜导体层上有效地形成优质的微导通孔。     

Influence of Photolithography on the Cross-Sectional Shape of Polysiloxane as an Optical Waveguide Material on Printed Circuit Boards

Optical waveguide cross-sectional shapes that deviate from rectangles or squares may cause significant loss of signal. In this study, a photolithography approach was adopted to fabricate waveguides on printed circuit boards, using photo-imageable polysiloxane as a waveguide material. The effects of I-line ultraviolet (UV) lamp exposure, 355-nm Nd:YAG laser direct imaging, and 248-nm excimer laser direct imaging on the cross-sectional shape of waveguides were investigated. For I-line UV lamp exposure, increasing the exposure time could cause changes in the tilt angle of the waveguides from negative (inverted trapezoid) to positive (trapezoid). To obtain rectangular waveguides, the optimum I-line UV lamp exposure time was found to be around 150 s. From the results for 355-nm Nd:YAG laser direct imaging, the width and tilt angle of the waveguides varied with the energy density of the laser beam irradiating the core materials, being controlled by the repetition rate and focus. Lowering the laser energy density could produce waveguides with small widths and tilt angles. Excimer laser direct imaging at 248 nm was found to be unsuitable for waveguide patterning since the core materials could not be cured at this wavelength.