强流静电会聚电子枪系统计算机模拟研究

轻、小型层流电子枪在电子束焊接,微波器件等方面具有广泛的应用,希望得到稳定的、环形分布且会聚良好的电子束.但传统电子枪的聚焦系统如磁聚焦或电磁混合聚焦存在结构复杂、重量大的缺点.我们采用具有优异电子发射和抗中毒能力的LaB6作为阴极材料,纯静电聚焦的方式进行仿真、设计.经过理论探讨和计算机模拟仿真,在5 000 V总电压下,输出300 mA强流电子束,导流系数达到了3.35 μA/V3/2.为下一步具体的结构设计提供了可靠依据.     

电子束蒸发法制备六硼化镧薄膜及其特性研究

用电子束蒸发的方法在Ta衬底上制备了LaB6薄膜,用电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的表面状况、化学组分进行了分析.采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功.结果表明,电子束蒸发的方法能够得到化学成分偏差较小、表面状况较好的LaB6薄膜,其逸出功为2.59eV,具有良好的电子发射性能.     

一种新型脉冲微束斑X射线源的研究

通过控制栅极电压技术,有效地控制LaB6阴极电子枪发射系统电子束发射的通与断,成功实现了新型台式微束斑X射线源的脉冲辐射。该X射线源主要由三部分组成：LaB6单晶阴极电子枪发射系统,静电聚焦系统以及金属靶材系统。通过对该微束斑X射线源输出的X射线束斑、亮度等特性的初步实验测试,表明这种脉冲式微束斑X射线源具有束斑小、亮度高的特点,其中X射线束焦斑仅为10μm左右。     

应用LaB6透明阴极的有机发光二极管器件

采用了类似于电子束蒸发工艺制备透明有机发光二极管(TOLED)的阴极。使用了一种新材料LaB6作为透明阴极,器件结构为ITO／TPD／Alq3／LaB6。LaB6薄膜的沉积是利用氧化物阴极的电子束轰击装在石墨坩埚的LaB6粉末。由于LaB6的功函数很低,器件具有良好的电子注入性能。器件在可见光光谱范围的透过率为70％左右,当驱动电压为7．2V,对应注入电流密度为4．8mA／cm^2,亮度可达100cd／m^2。     

微束斑X射线源的边界元法分析

本文详细的讨论了边界元法在处理微束斑X射线源的电子束发射系统是,LaB6阴极电子枪内部结构的剖分、计算公式的推导;为提高精度,并讨论了在求解间接边界元方程时,采用二次等参元插值方法等,在此基础上,通过Gauss消元法和三次样条插值法等解得了系统对称轴上电位分布以及内部场强分布,并利用四阶Runge-Kutta法追踪了电子从阴极开始到阳极入口处的运动轨迹且得到了合适的束斑大小。     

真空电子技术

O4622005050080自蔓延高温合成LaB6微粉的制备及表征/张廷安,豆志河,杨欢(东北大学材料与冶金学院)//东北大学学报.―2005,26(1).―67～69.采用自蔓延方法制备出LaB6微粉.对热爆产物和浸出产物进行X射线衍射分析,确定了两步酸浸方案.对LaB6进行TEM分析和光谱分析,并利用扫描电镜(SEM)和粒度分布测试仪对LaB6进行了表征.结果表明:热爆产物由LaB6,MgO,少量Mg3B2O6以及LaOCl等相组成,采用盐酸和硫酸两步交叉浸出获得纯净的单一相LaB6.计算得LaB6晶格常数a=0.4148nm,LaB6纯度大于99%,LaB6的平均粒径为1.92μm.图6表1参10O462.4200…     

偏转电子枪原理与结构

一、概述 随着光学、电子等工业的迅速发展,电子束加热方法在真空镀膜技术中也得到了较快的发展和应用,这是因为电子束作为热源能获得远比电阻加热更大的能量密度,并可避免坩埚杂质对蒸发源的沾污。 产生电子束的装置称为电子枪,根据枪体结构不同,可分三种:直形(自加速式)电子枪、环形(静电式)电子枪和最近发展起来的偏转电子枪。三种电子枪的性能比较略见表1。     

六硼化镧电子枪的电子束能量分散度

一、引言六硼化镧阴极电子枪热发射电子束的能量分散度决定于热初速零散、布希(Boersh)效应和仪器加速电压的稳定度等。当仪器加速电压的稳定度足够高时,电子束的能量分散度主要决定于热初速零散和布希效应。我们用JEM—100CX透射电子显微镜所附带的电子能量分析器,测试了中国科学院北京科学仪器厂生产的六硼化镧阴极电子枪发射电子束的能量分散度,结果是2电子伏。     

电子枪发射电流的数值计算

本文根据热电子发射的统计理论,运用无穷大平板二极管中考虑电子纵向热速度效应的电位状态与普通电子枪中阴极前面的电位状态相等效的处理方法,编写了电子枪的计算机程序,得到了计算的电子枪发射电流值与实测的电流值相一致的结果,文中还通过计算分析指出,在计算电子束管电子枪的发射电流时,必须考虑电子的纵向热速度效应,其计算的电流值比3/2次方定律的电流值大,且更接近实测结果;微波管强流电子枪中,电子纵向热速度效应在低工作电压下比在高工作电压下影响大些,但总的来说,比在电子束管中的影响小得多;电子纵向热速度效应对发射电流的影响随阴极的发射电流密度与阴极发射本领差别的增大而增加,但当这一差别大于一定值后,这种影响的大小趋于恒值。     

电极零件的卷边与极间高压击穿

电子束管是电真空器件的一种,它通常由抽成真空的玻壳及封入其中的电子枪构成。作为管芯的电子枪是电子束管的心脏,无论是那种类型的电子束管都缺少不了电子枪。电子枪是由阴极发射透镜、预聚焦透镜、主聚焦透镜、偏转棱镜等一系列电子透镜依次组合装配而成的电子光学系统。轴对称静电式电子透镜,均是由馈以不同直流电压的圆筒型电极零件按不同间隙装架而成。除掉阴极、调制极外,各个     

一种电子枪分析设计

设计一种大功率轰击型六硼化镧电子枪。以传热学理论基础和重要结论为依据,得出能减小阴极电子枪热量损失的几个设计与材料选取原则。利用有限元法对轰击型六硼化镧电子枪阴极模型进行热模拟。依据模拟结果设计一种轰击型六硼化镧阴极电子枪,其发射面直径为2.0 mm,当加热功率为80.0 W时,阴极温度达到1 569℃所发射电子束束流密度达到5.55 A/cm2,并且发射稳定、束斑均匀、发散度小,反复暴露于大气后仍能正常工作。     

丝网印刷制备适用于AC-PDP的LaB6介质保护层的研究

为了进一步降低PDP面板着火电压,提高其放电效率,采用丝网印刷方法在商用PDP玻璃衬底上印刷LaB6薄膜.分别对PDP玻璃衬底上印刷的LaB6薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜表面形貌进行了研究;对印刷了LaB6薄膜的PDP玻璃衬底进行了封装,测试了其在Xe-Ne环境下的放电特性.结果表明,印刷了LaB6作为添加层的放电单元相比传统单一MgO保护层的放电单元,其着火电压和放电延迟分别降低了5％和25％.说明采用高二次电子发射系数的六硼化镧材料能够有效提升PDP的放电性能.     

FEL-THz电子枪控制系统的设计与实现

介绍了 FEL-THz装置中电子枪控制系统的设计与实现过程。利用 Microsoft公司发布的 Visual C++6.0进行了控制系统软件的开发和设计。实验结果显示,该软件操作简捷,具有良好的人机操作界面,程序实时响应速度快,运行稳定,为电子枪高压老炼以及系统测评提供支持。     

Drift of amplification factor and its effects in a tri-electrode electron gun†

The drift of the amplification factor p. should induce drifts of the emitted current I a in a fixed-bias circuit and the beam energy in a self-bias circuit.

The μ-drift due to the heat from the filament was measured, and also calculated from the I _A-drift for an hour. The relative μ-drift thus calculated was 1-3% in 10?min in a conventional gun, and it decreased to smaller than 003% in 10?min in an improved gun, where thermal expansion of the Wehnelt electrode was compensated by the movement of the filament supporter. Energy of the beam was 20 kev. The initial emitted current I _A(t= 0) was 198 μA in the conventional gun and 14.4 μA in the improved gun.

The relative energy-drift should be proportional to the relative μ-drift and inversely proportional to (μ+ 1). Accordingly, the relative energy-drift should be 1.3 × 10^?6; in 10?min in the conventional gun, while it should be smaller than 3 ×10^?6 in 10?min in the improved gun, when μ is assumed to be 100 in both guns.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究 ,得到了分辨率为 30 nm的图形 ,图形的套刻精度也优于 4 0 nm.     

纳米电子束曝光

JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率为30nm的图形,图形的套刻精度也优于40nm.     

用于AC-PDP保护层的六硼化镧薄膜的制备与性能研究

采用丝网印刷法在PDP的传统Mg O保护层上制备了六硼化镧薄膜。改变工艺参数,测试了La B6/Mg O薄膜的表面形貌和光学性能,并对透明的La B6/Mg O薄膜在Xe/Ne混合气体中的放电性能进行了测试。实验结果表明,采用400目丝网和球磨后的La B6粉末有利于提高La B6/Mg O薄膜的透过率,相比于原有的Mg O衬底,透过率达到90%以上。放电测试结果表明,印刷了La B6薄膜的Mg O+La B6样品的放电性能优于传统的Mg O保护层,其中着火电压降低了7%左右,放电延迟降低了9%左右。     

适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究

采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜。分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的晶格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化镧薄膜的逸出功为2.56eV。     

LaB_6/GaAs(100)表面及界面的角分辨俄歇研究(英文)

The film of LaB6 on GaAs(100) was deposited by ion sputtering. The LaBe/GaAs(100) interface was investigated by Auger electron spectroscopy. Results show the composition of the film is almost the same as that of LaB6 source Adhesion of the film to GaAs(100) surface is very good. AES measurements of the change of LaBe coverage versus time do not exhibit a saturation. We think that LaBe does not grow in layer by layer, but forms islands on the GaAs(100) surface with ununiform thickness.