热门技术

印度的数字和模拟计算服务软件公司(DACS Software Prt Ltd)推出一种叫做数字信号处理(DSP)虚拟机的DSP设计开发工具。它把语言与翻译程序结合在一起,可以在多种目标DSP结构上运行各种算法而无需引入新的编码,包括德州仪器公司的C54XX和C62XX、摩托罗拉的     

TAISEL公司S_(1240)程控交换机中的“DAUA”

S—1240程控交换机是ALCATEL公司的标准化交换设备,在西班牙的SESA公司、比利时的BTM公司、上海的BELL公司以及台湾的TAISEL公司中,S—1240交换机的规格、生产工艺、技术要求和软件程序等基本相同,其用户板、中继板、电源板、接口板及微处理机板等均可互换使用。但我们在引进TALSEL公司的S—1240程控交换设备时,发现该公司设备中有一种“DA-UA”(DIGITAL ANNOUNCEMENTUNIT A)板,是该公司S—1240设备所独     

一种8位微机芯片的CPU内核

本文介绍了一种8位微处理机芯片的CPU内核,给出了该内核的结构、数据流,举例说明了指令的调试过程。     

红外吸收层结构与采用该结构的非致冷红外探测器

美国专利US7268349 (2007年9月11日授权)本发明提供一种红外吸收层结构及采用该结构的非致冷红外探测器。该结构为一种λ/4共振吸收结构,它是由支承层、探测层、保护层以及介质层构成的。为     

国外光无源器件考察简介(续)

三、单模光纤耦合器部分 1.美国哥特公司电子防卫部(Gould Inc,Defense Electronics Division) 哥特公司是一个世界性的大公司,在全世界不少地方有其办事处,在北京也有其办事处。该公司主要从事计算机、高性能微处理机、     

RCA正与空军协作研制将红外传感器与CCD相结合的红外CCD器件

据美刊《DEFENSE ELECTRONICS》1979年11月号报导: 美国无线电公司(RCA)正在与空军协作,研制一种将红外传感器与电荷耦合器件(CCD)相结合的红外CCD。这种器件能与带微处理机的信息处理器联合使用,通过将     

数字IC的测试设备

日本横河公司的休斯特—帕卡德测量辅助中心(YHP)新近开发了一种与同等性能的机型相比,价格低约一半的数字IC的测试设备。该设备的型号名称是“HP83000模型F330t”,这是用于RISC型微处理机和ASIC等测试的设备,现已开始在市场上销售。 这种新产品是在该公司以往所研制的IC测试设备的基础上,为了适应新的大量生产的需要而开发出来的。 首先,该设备最大的特点是,与同等性能的机型相比,低约一半的价格。在以前的每脚结构的基础上,它采用了“测试·处理程序·每脚”的新结构。而且,它把波形混合电路和定量信号发生电路以及控制定时信号发生的测试处理程序等都集成在该公司开发的互补金属     

简讯

NEC公司研制出CMOS微处理机日本NEC公司自行设计研制出两种基于双数据库结构的CMOS(互补金属氧化物半导体)微处理机。这两种器件都是带8位外部总线和16位内部处理机的8位μPD70108C,以及具有16位总线和内处理功能的16位μPD70116C。     

用微处理机对数据网群时延的精密测量

本文介绍用微处理机对传送数据的电话网、微波电路以及长途电信网进行群时延(射频)测量的方法、实验及理论依据。并对使用微处理机程控测量与实验模型方法进行了比较。使用微处理机的结果不仅可靠而价廉,且是一种精密的群时延量计。     

平衡装置

美国纽约Latham的机械技术公司,推销一种用于使转动部件保持自动动力学平衡的微处理机控制的激光平衡装置.机械技术公司(MTI)的SS280在单个负载下和旋转循环中保持平衡.它同时计算出所有的平衡面修正量,然后,使用一台脉冲固体激光器精细地修去材料.     

日本电气基础研究所采用超掺杂结构研制新型半导体材料

日本电气基础研究所最近成功地研究了划时代的半导体材料,可以实现门开关速度突破10 ps 的超高速元件。这种材料是一种在 GaAs 基片上重叠10～几十层周期短的原子层(GaAs、AlAs 等)的超晶格。该材料最大特点是采用本公司独立研制的超掺杂结构,即在特定层中只添加杂质     

InGaAsP/InP激光晶体管

日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管(HBI)两种光功能的集成器件,该公司着眼于研制在饱和时发光的HBT。该器件的光电子集成度很高,光学器件和电学器件的外延结构相同。器件结构是:在n-InP衬底上用液相外延法依次生长集电极层、基极层、发射极层,顶层。基极层由p-InGaAsP构成,厚0.2μm,宽几μm,杂质浓度是1×10~(17)cm~(-3)。发射极层、集电极层是n-InP(5×10~(17)     

冲电气公司开发出在Si晶片上生长InP结晶的技术

冲电气公司在箱根召开的第四届MO-CVD(金属有机化合物气相沉积)国际会议上报导,该公司开发出Si晶片上稳定生长高质量InP结晶的技术。以前,由于InP和Si钓晶格常数有8％差异(GaAs和Si的晶格常数之差为4％).所以在Si晶片上直接生长高质量的InP结晶是一件非常困难的事情.为了解决这个问题:该公司实施如下两种手段用CVD法实现了结晶生长:①连接Si和InP的缓冲层,采用InP(20mm)/GaAs(20mm)二层结构;②将生长前的清洗温度,由以前的950℃提高到最佳温度     

BBC电视台的台标及时钟图形发生系统

英国广播公司第二电视台(BBC2)从1980年9月份以来采用了微处理机控制的电子台标发生器,整套电子系统是由该公司工程技术设计部自行研制的。BBC 采用的这套系统是利用电子方法产生出指针式的时钟图形以及其它一些网格符号,从而免去     

1981年美国电视机新貌

ET/D 1980年9月号简要介绍了美国的Sylvania、Quasar、Zenith、RCA、GE公司1981年生产的电视机的最新特点:微处理机控制调谐器,高度的集成化电路,为用户提供的电缆电视(CATV),电路中采用了新器件和新技术。下面对各公司电视机的特点分别进行介绍。 Sylvania公司 1981年该公司为市场上提供E_(51)系列25英寸彩色电视接收机和E_(53)系列19英寸彩     

自掩蔽结构的GaAs异质结双极型微波晶体管

本文提出了一种新型结构的Npn砷化镓双极型微波晶体管,该结构用一个两层的镓铝砷(Ga_(0.4)Al_(0.6)As/Ga_(0.7)Al_(0.3)As)来代替正常的单层作宽发射极用的镓铝砷(Ga_(0.7)Al_(0.3)As)。双发射极结构中的低铝(30％)层紧靠着基区,起宽发射极作用,保持了发射极异质结的良好匹配,并使管子的开启电压Von较小。高铝(60％)层和n~+GaAs顶层相配合,成为一个工艺上易控的选择性腐蚀系统,形成了自掩蔽结构。该结构使晶体管的结面减小,工艺简化,且取得良好的性能。     

用作Pentium~(TM),Power PC~(TM)的二次超高速缓冲存储器的理想1兆位CMOS同步快速SRAM μPD431132L/μPD431232L

一、开发背景 快速SRAM(静态随机存取存储器)近来已将其应用范围扩大到作为超大型计算机、主计算机、工作站和个人计算机的超高速缓冲存储器,或者是作为测量仪器和通信设备的缓冲存储器。特别是,当更多的微处理机产品在市场上日益成为实用产品时,要求开发快速SRAM作为一种能描绘微处理机全部性能的超高速缓冲存储器。 为了满足这一要求,NEC推出了支持Mips的_μPD461016L和_μPD461018L以及支持PA-RISC~(TM*1)的_μPD46258。今次,NEC开发了1兆位CMOS同步快速SRAM,可以用作Intel公司Pentium~(*2)和IBM公司Power PC~(*3)的二次超高速缓冲存储器。     

电真空器件用的冷阴极

RCA(美)公司研制了一种以光电子学为作用原理的电真空器件用的冷阴极。阴极的结构是这样的:一块砷化镓底片敷上一层10微米厚的P型砷化镓铝,然后再敷一层1微米厚的P~+型砷化镓。砷化镓铝层能很有效地产生光子,这些光子在通过上一层(砷化镓层)时激发出电子。由于砷化镓层中电子的逸出功很小,故电子能轻易地从阴极发射。     

微处理机

处理机,一般是指计算机心脏部分的中央处理机(CPU),它具有根据程序进行各种运算和处理(算术运算、逻辑运算、中断控制等各种控制)的功能。由一片或若干片大规模集成电路组成的处理机通称为微处理机。根据它一次能够并行处理的位数(字长),例如8位、16位等,可以分别称它为8位、16位微处理机。这种微处理机加上主存储器(ROM、RAM)、外部存储器(磁盘、磁带等)、输入输出设备(键盘、显示器、打印机等)所构成的系统,称为微型计算机、个人计算机,等等。由于微处理机不仅体积小,而且还具有计算机的核心功能,所以受到了各方面的关注。微型计算机的系统结构如附图所示。通用微处理机的体系结构(设计思想),采用的是     

Apple公司的激光打印机

美国Apple计算机公司于今年1月推出它的期待许久的激光打印机,这是该公司的“Macintosh”办公室概念的一个关键单元。该机以佳能二极管激光打印机为基础，结合2兆字节的存贮器、32位的微处理机以及几种字样，这些均由Linotype公司和国际电讯公司获准引进。