InGaAs/InP微波双极型晶体管的研制

本文叙述双收集区NpnN型InGaAs/InP异质结双极型晶体管的实验结果.给出器件的击穿特性、开关特性.高频特性和温度特性.理论分析和实验结果表明,n型InGaAs第一收集区的厚度对晶体管的击穿特性和开关特性有重要影响.器件的击穿电压BV_(CE0)=20伏,贮存时间t_s=0.5ns(Ic=50mA,I_(B1)=10mA,回抽电流I_(B2)=0),f_T=1.2GHz(V_(CE)=6V,Ic=15mA).在77～433K范围内h_(fe)变化很小,在4K下h_(fe)≌1,并表现出强烈的俄立(Early)效应.     

透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应(λ=0.5～1.6μm),共发射极电流增益h_(fe)为10(V_(CE)=3V,I_C=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h_(fe)-I_C及暗电流等进行了讨论。     

可用于InP-I~2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管

本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管(InP-HBT).这个管子的发射区是用无定型氧化镉(CdO)做的,基区采用锌(Zn)扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×10~(17)cm~(-3)InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电流增益H_(fed)=25(3V,1mA),反向工作的电流增益h_(fen)=8(3V,1mA),文章还提出了利用这种管子做开关管的InP-I~2L.     

论包装视觉传达设计的图形构成艺术

通过对包装视觉传达设计中图形构成艺术的探讨,揭示了图形设计在商品包装中的重要地位.论述了图形创意与图形构成所组成美的法则:图形联想与想象、文化与图形象征、形态同构、形态重构、饰字形态等.     

硅异质结晶体管的试制

本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小电流特性,晶体管的h_(fe)=12(V_(CE=10V,I_C=1mA),BV_(CEO)=20V。     

非晶发射区晶体管稳定增益的研究

采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200～300(?)),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h_(te)=50～60,交流参数为f_T=1.2GHz,噪声系数N_F=1.5dB(f=600MHz,V_E=6V,I_C=2mA).     

自掩蔽结构的GaAs异质结双极型微波晶体管

本文提出了一种新型结构的Npn砷化镓双极型微波晶体管,该结构用一个两层的镓铝砷(Ga_(0.4)Al_(0.6)As/Ga_(0.7)Al_(0.3)As)来代替正常的单层作宽发射极用的镓铝砷(Ga_(0.7)Al_(0.3)As)。双发射极结构中的低铝(30％)层紧靠着基区,起宽发射极作用,保持了发射极异质结的良好匹配,并使管子的开启电压Von较小。高铝(60％)层和n~+GaAs顶层相配合,成为一个工艺上易控的选择性腐蚀系统,形成了自掩蔽结构。该结构使晶体管的结面减小,工艺简化,且取得良好的性能。     

浅谈包装设计视觉传达的若干心理特征

通过分析包装设计视觉传达的各种心理特征,进一步了解美的规律,灵活掌握装潢设计的表现形式,并形象、生动、清晰地而快捷的传达商品信息.     

佛山木版年画图形在视觉传达创意中的运用

以佛山木版年画的艺术图形展示出的传统民间艺术特征和视觉质感,及其为现代视觉传达创造提供的宽广空间为出发点,从图形创意内容、图形创意手法、图形创意表现等方面,论述了佛山木版年画图形在视觉创意中的作用.