HVCA5混合集成视频电调衰减器的研制

本文介绍了ＨＶＣＡ５混合集成视频电调衰减器的电路设计及研制中对关键技术的解决方法，并对产品的技术性能及使用情况作了简单介绍。     

多通道数字可调光衰减器模块的设计与实现

设计了一种基于电控可调光衰减器(EVOA)的多通道数字可调光衰减器模块,该模块集成多达32通道的光衰减器,可根据需要灵活进行配置,并采用了通用的I2C通信接口,非常方便和简单地应用于系统设备中.该模块克服了EVOA电压衰减非线性的缺点,衰减精度高,而且保留了EVOA的光学特性.     

电调衰减器及其应用

介绍了吸收式电调衰减器的工作原理及电特性，在ＳＺＺ００１型及ＳＺＺ００２型电调衰减器基础上，又研制出调制速度极快的微波调制器，响应速度小于１００ｎｓ，还给出数字控制衰减器的电特性参数。     

电阻型组合衰减器大有发展前途

本文介绍衰减器的应用范围，组合衰减器的电路原理图和外形结构，技术指标，采用厚，薄膜混合集成电阻工艺制作组合衰减器的优越性以及主要工艺措施。     

相位恒定衰减器的设计

描述了采用PIN二极管实现微波相位恒定衰减器的设计方法、实现过程和实验结果.该相位恒定衰减器采用双平衡电桥形式、混合集成工艺技术实现,具有调试简单、体积小、一致性好的特点.在2GHz-4GHz频带内,衰减量变化32dB时最大相位误差小于±8°.     

微封装微波集成电路(MPMIC)

本文介绍了微封装微波集成电路的特点及国内外发展概况。重点叙述了集成压控振荡器、集成宽带放大器和集成电控衰减器国外及13所的发展水平以及MPMIC的工艺和封装。     

电调衰减器及其应用

介绍了吸收式电调衰减器的工作原理及电特性，在ＳＺＺ００１型及ＳＺＺ００２型电调衰减器基础上，又研制出调制速度极快的微波调制器，响应速度小于１００ｎｓ，还给出数字控制衰减器的电特性参数。     

VI—HAM谐波衰减器模块及其应用

谐波衰减器是开关电源的重要组成部分。ＶＩ－ＨＡＭ谐波衰减器模愉及各种功率因数校正模块有许多优点，广泛应用于各类开关电源中，本文详细介绍了此类模块的内部结构，工作特点，并给出实际应用电路。     

1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器

本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各衰减状态下的输入和输出电压驻波比≤2.0,最大衰减量达20dB.在9GHz下的1dB插入压缩点功率为300mW.     

HMC792LP4E：DC-6GHz数字衰减方案

Hittite公司的HMC792LP4E是一个宽带6位GaAsIC数字衰减器，采用低成本的无铅SMT封装。该通用数字衰减器集成了片外交流接地电容器，实现了接近DC的运行，使其适用于各种RF和IF应用。     

一种改善微波模块增益指标温度特性的新方法

对于复杂的微波模块,增益随温度变化很大,有时很难找到合适的无源温变衰减器来调整增益。文中介绍一种利用温度传感器和数控衰减器相结合的方法来改善微波模块增益指标的温度特性。     

高功率微波可变衰减器

介绍了高功率微波可变衰减器的设计和测量结果.刀形衰减器的衰减片由通水的聚四氟乙烯制成,利用槽波导技术和截止波导技术,降低了衰减器的漏能。衰减量的变化范围是0-10dB。在工作频段内除少数测量点之外，驻波比小于1.1，可以安全使用。     

12dB微波薄膜衰减器的设计与制备

基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC~3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器。仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1。测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5)dB。     

高功率大动态范围的双极性电调衰减器的设计

首先分析了由PIN二极管组成的桥式双极性电调衰减器的工作原理。然后讨论了其关键参数:插损、最大衰减、阻抗匹配、平衡点电流和驱动电路等的设计方法。最后,给出了研制的短波波段的电调衰减器的性能曲线。结果表明,研制的电调衰减器输入功率大,衰减的动态范围大,插入损耗小,阻抗匹配好,控制电压与电调的电压传输系数基本呈线性关系。     

一种可连续调谐空间光学衰减器的研究

可调谐空间光学衰减器在各类光电系统中具有广泛的应用前景。基于法布里-珀罗多光束干涉原理,创新性地设计了一种适用于相干光束的可调谐空间光学衰减器,该衰减器选取在红外波段具有较高折射率的硒化锌晶体作为材料,结合温度控制系统,实现光功率的调谐。采用Nd:YAG激光器作为光源,对该衰减器的性能进行测量,其调谐范围可以达到3 dB。理论分析表明,相对于热膨胀系数,硒化锌材料的热光系数是决定衰减器性能的关键参量。此外,通过在硒化锌光学平板前后表面镀高反膜,可进一步提高调谐范围。     

GSK02型光可变衰减器

本文详细介绍ＧＳＫ０２型光可变衰减器的工作原理、设计方法和试验结果。光可变衰减器采用金属蒸发镀膜衰减片作为衰减元件，连续衰减和步进衰减相结合，可变衰减范围大，衰减量稳定。     

频率和幅度双可调铁氧体LTCC衰减器

电路小型化需要多频段可调元器件,基于CPW(共面波导)结构采用最新的铁氧体LTCC(低温共烧陶瓷)技术,内埋若干偏置线圈以产生内部偏置磁场,调节线圈内电流大小以控制偏置磁场大小,从而控制衰减器的工作频率,同时,控制通电线圈的个数以改变衰减器的衰减幅度,进而实现频率和衰减幅度双可调的衰减器。首先介绍了基于铁氧体材料的衰减器基本原理,然后展示了基于铁氧体LTCC 技术的无内置线圈衰减器的设计、制作和测量,在外加偏置磁场的条件下,验证了铁氧体LTCC 衰减器的理论可行性,经实测,该衰减器可以在4～9 GHz之间实现频率可调以及相应的衰减幅度可调。随后提出了有内置线圈的铁氧体LTCC 衰减器模型,并展示了线圈静态磁场、衰减器频率可调和幅度可调的仿真结果。最后制作了该衰减器并完成了实测,在铁氧体LTCC特有内部衰减场上实现了频率和幅度双可调衰减器,从而给出了可调衰减器的新思路。     

Ku波段6bit数字衰减器MMIC的小型化设计

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。     

星载光控高温超导衰减器及其光热效应影响时长

提出了一种针对星载高温超导系统使用的新型光控高温超导微波可变衰减器。该衰减器的实质是利用高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性，实现优良的衰减性能。主要结论包括：高温超导衰减器的插入损耗小于0．2dB，比常规衰减器低1个数量级；当激光波长为0．681μm时，高温超导衰减器的可变衰减精度小于0．01dB，比常规衰减器至少低1～2个数量级；研究了激光热效应的影响时长，当激光功率为45mW时，高温超导微带线的激光响应幅度约0．09dB，空间热效应影响持续时长约3．5s。