硅基铌掺杂Bi_4Ti_3O_(12)薄膜溶胶-凝胶工艺的制备及铁电性改善研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了铌元素(Nb)取代Ti元素的Bi4Ti3O12(BTN)铁电薄膜,研究不同掺杂浓度,不同退火温度等工艺对BTN薄膜的微观特性及剩余极化强度、矫顽场等电性能的影响。研究表明,650℃进行退火的BTN薄膜生长形态,晶粒开始呈棒状生长;当温度高于850℃时,薄膜的c轴生长取向增长趋势不再明显。铁电性方面,对Ti进行2%掺杂取代的BTN薄膜的铁电性能最佳。从而获得了BTN薄膜制备的合理工艺参数。     

退火处理对玻璃表面沉积的ZnO薄膜微观形貌与性能的影响

以Zn(NO3)2·6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在500℃下、在钠钙硅浮法玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.分别在不同温度(500、550、600℃)和不同时间(30、60、120min)对制备的ZnO薄膜进行了退火处理.研究退火条件对ZnO薄膜微观结构、形貌以及光学性能的影响.结果表明:退火处理能提高ZnO薄膜的c轴取向;随着退火时间的延长,ZnO薄膜附着强度随之增加,但c轴取向度呈先增强,至120min时又开始呈下降的趋势;随着退火温度的升高,ZnO薄膜的c轴取向亦出现先显著增强,之后又开始下降的趋势,同时可见光透过率亦呈相同的变化趋势.最佳退火条件为500℃温度保温60min,此时薄膜不仅c轴取向生长优势明显,结晶质量良好,表面颗粒大小均匀,致密平滑,同时薄膜的可见光透过率由退火前的70％提高到90％.     

脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V_2O_5/Si薄膜及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2 O5 薄膜 ,经 3 0 0℃以上退火处理得到了具有高c -轴取向生长的V2 O5 薄膜 .3 0 0℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比 (无氧缺位 ) ,晶粒间界明显 ,晶粒呈针棒状 ,晶粒尺寸在10 0～ 2 0 0nm之间 .采用X射线衍射 (XRD)、Raman光谱 (RS)、Fourier红外光谱 (FT -IR)及透射电镜扫描附件 (STEM )对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析 .研究结果表明 :V2 O5 /Si薄膜经 40 0℃热处理后表面部分处于低价态的钒离子已被氧化为V2 O5 .     

热处理V膜制备VO_(2)薄膜的结构和光电性能EI北大核心CSCD

先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO_(2)薄膜。研究了退火温度对VO_(2)薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO_(2)薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO_(2)薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率。VO_(2)薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400℃和450℃退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450℃退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6℃和61.0℃。     

制备条件对铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜结构和电学性质的影响

本文利用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备得到了AZO透明导电薄膜,就两种不同的热处理-退火方式对薄膜的结构与性质的影响做了比较,研究了掺杂浓度、退火温度对薄膜结构及性质的影响规律.结果表明,高温、分层退火、铝掺杂均有利于生成结晶度高、具有C轴优先取向的AZO薄膜;高温和分层退火有利于晶粒长大,相反铝掺杂却有碍晶粒长大;薄膜的电学性质随退火温度和铝掺杂量的变化呈现规律的变化.通过分析AZO薄膜内的晶体生长过程,本文认为主要是制备条件和AZO晶体的晶面习性导致了薄膜的结晶度、晶体生长取向性和晶粒尺寸等方面的差异.     

退火温度对铁电薄膜钛酸锶钡的影响

用醋酸盐和钛酸酯为原料,采用Sol-Gel工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备出Ba0.5Sr0.5TiO(3BST)铁电薄膜,然后在650-800℃下对BST薄膜进行退火,研究退火温度对钛酸锶钡铁电薄膜的影响。X射线衍射分析表明:退火温度在750℃以上时,BST薄膜转变成较为完整的ABO3型钙钛矿结构;SEM分析表明:750℃热处理的薄膜颗粒较大,且颗粒生长较好;阻抗分析仪测试表明:750℃退火处理的薄膜介电性能最佳;TEM分析表明:750℃晶粒发育完善、清晰,晶粒与晶粒之间比较紧密,且存在微畴区域。     

热处理工艺对钙锶铋钛铁电薄膜性能的影响

用溶胶-凝胶法和快速退火技术在带白金电极和钛过渡层的硅片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15,CsBT-0.4)铁电薄膜.结果表明:退火温度及保温时间对CSBT-0.4铁电薄膜的微观结构、晶粒取向以及铁电性能的影响较大.x射线衍射谱表明:退火温度为750℃、保温时间为5min,得到的CsBT-0.4铁电薄膜样品的晶粒大小较均匀且致密性好,而且晶粒以a轴取向的球状晶粒为主,剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为16.2 μC/cm2和130kV/cm.     

热处理V膜制备VO_2薄膜的结构和光电性能

先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO_2薄膜。研究了退火温度对VO_2薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO_2薄膜的结晶度明显增加。退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰。不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致。虽然退火温度的改变对VO_2薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率。VO_2薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400℃和450℃退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450℃退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6℃和61.0℃。     

底电极原位退火与沉积温度对PZT薄膜性能影响研究

采用磁控溅射工艺,在Pt/Ti底电极上沉积锆钛酸铅(PZT)薄膜,研究了原位退火温度与底电极沉积温度对溅射PZT薄膜结晶取向、微观结构、介电性能、铁电性能及疲劳性能的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,随着电极沉积温度升高,Pt晶粒尺寸增大,随着退火温度升高,PZT薄膜致密性变差。对室温制备的Pt/Ti底电极进行200 ℃原位退火30 min后,易于促进PZT薄膜沿(100)择优取向,而高温制备或经高温退火处理的Pt/Ti底电极更有利于PZT薄膜的(111)晶向生长。电学性能分析表明,室温制备的Pt/Ti底电极在经200 ℃原位退火30 min后,其PZT薄膜介电性能最优,同时展现较高的剩余极化强度和最小的矫顽场强,经历10⁸次极化翻转后,初始极化下降仅为11％。     

脉冲准分子激光扫描沉积(PLD)高c轴取向V2O5/Si薄膜及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2O5薄膜,经300℃以上退火处理得到了具有高c-轴取向生长的V2O5膜。300℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比（无氧缺位）,晶粒间界明显,晶粒呈针棒状,晶粒尺寸在100－200nm之间。采用X射线衍射（XRD）、Raman光谱（RS）、Fourier红外光谱（FT－IR）及透射电镜扫描附件（STEM）对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析。研究结果表明：V2O5/Si薄膜经400℃热处理后表面部分处于低价态的钒离子已被氧化为V2O5。     

蓖麻油基聚氨酯-丙烯酸酯复合乳胶膜的水白化研究

采用蓖麻油基聚氨酯作为大分子乳化剂制备聚氨酯-丙烯酸酯(PUA)复合乳液。采用红外光谱表征了PUA乳胶膜的结构;用紫外分光光度计、动态热机械分析仪和差示扫描量热仪对PUA乳胶膜的水白化进行了表征。结果表明:在实验的时间范围内,乳胶膜的水白化程度随其浸水时间和浸水温度的增加而增加;当浸水温度(4 ℃)远低于干膜的玻璃化转变温度(T_g=57.8 ℃)时,乳胶膜浸水24 h不会水白化,湿膜的T_g及其储能模量与干膜相比几乎没有变化;在28 ℃的水中浸泡24 h时,湿膜的T_g小于干膜的T_g,其储能模量也降低,乳胶膜出现轻微水白化,将乳胶膜再次烘干后,胶膜可恢复原有清晰度。当乳胶膜在高于干膜T_g的水中(70 ℃)浸泡24 h时,其储能模量下降,湿膜的T_g大于干膜的T_g,再次烘干乳胶膜不会恢复原有的清晰度,其原因是膜内出现了与PUA分子依靠氢键紧密相连的冻结键合水。     

汽车用6061铝合金柠檬酸阳极氧化工艺的研究

对汽车用6061铝合金进行柠檬酸阳极氧化处理。研究发现:铝合金的阳极氧化过程伴随氧化膜的生成和溶解。适当升高氧化温度,有利于增加氧化膜的厚度和硬度。但氧化温度过高,会使得氧化膜的溶解速率加快。铝合金阳极氧化膜呈现典型的多孔结构。40℃下制备的氧化膜表面平整,具有优良的耐蚀性。当氧化温度高于40℃时,氧化膜表面的孔径增大,表面疏松,耐蚀性下降。     

组织结构对Co-Ni-P薄膜形貌和磁性的影响

化学镀 Co- Ni- P薄膜镀态下为非晶态结构 ,表面较为平整 ;经 30 0℃× 1 h热处理 ,发生了晶化转变 ,表面由“圆锥峰“所构成 ;随加热温度的提高 ,镀层析出了 Co2 P相 ,并发生了由密排六方结构的α- Co向面心立方结构的β- Co的同素异构转变。非晶态 Co- Ni- P薄膜的矫顽力较低 ,矩形比较高 ;薄膜向晶态转变时 ,矫顽力和矩形比皆呈上升趋势 ;50 0℃× 1 h热处理 ,薄膜由α- Co和 Co2 P相构成时 ,且在晶界上偏聚较多磷的影响下 ,矫顽力和矩形比的值达到最高 ;温度继续升高 ,晶粒长大 ,第二相粗化时 ,薄膜的矫顽力和矩形比都减小。化学镀 Co- Ni- P薄膜具有优秀的高密度垂直记录特性。     

磷化温度对汽车用冷轧钢板锌-锰磷化膜性能的影响

研究了磷化温度对汽车用冷轧钢板表面锌-锰磷化膜的外观及耐蚀性的影响。结果表明:锌-锰磷化膜主要由Zn、Zn_3(PO_4)_2和MnHPO_4组成。当磷化温度低于50℃或超过65℃时,磷化膜的外观和耐蚀性都不太理想;随着磷化温度的升高,磷化膜的色泽趋于均匀,耐蚀性逐渐改善。当磷化温度为60℃时,磷化膜呈深灰黑色且色泽比较均匀,耐硫酸铜点滴时间达到75 s,在盐水中浸泡24 h后磷化膜表面的腐蚀坑数量较少,其耐蚀性明显比未磷化的冷轧钢板的耐蚀性好。     

含磷阻燃改性水性聚氨酯的合成及性能研究

采用2,4-甲苯二异氰酸酯、聚丙二醇、2,2-二羟甲基丙酸和10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(ODOPB)制备了阻燃型水性聚氨酯(FR-WPU),讨论了ODOPB用量对FR-WP U及其胶膜性能的影响.结果表明,随着ODOP B用量增加,FR-WP U胶膜的极限氧指数先升后降...     

温度和管内流速对铝制内插扭带腐蚀行为的影响

研究了温度和管内流速对铝制内插扭带腐蚀行为的影响。结果表明:当温度较低时(不大于50℃),随着温度的升高,腐蚀速率增大;但当温度达到60℃时,在内插扭带试片表面形成了完整、致密的腐蚀产物膜,减缓了腐蚀反应的进行;此后,随着温度的继续升高,腐蚀产物膜的厚度进一步增加。另外,在不同的管内流速条件下,存在临界流速3 m/s。当管内流速大于3 m/s时,内插扭带试片表面的成核速率增大,腐蚀速率减小。     

对甲基苯胺改性双氰胺环氧固化剂的合成及性能

用对甲基苯胺对双氰胺进行改性,制备了一种新型的改性双氰胺固化剂,对合成条件进行了优化,并对其固化环氧树脂条件进行了研究。结果表明,对甲基苯胺改性双氰胺的较佳工艺条件为对甲苯胺和水的物质的量比定为1∶1.5,双氰胺和苯胺的物质的量比为1∶1,转速为一档,于90℃,反应3h,收率85%。通过测试涂层硬度来考察固化工艺与性能。作为环氧树脂固化剂单独使用时,固化温度为110℃,比双氰胺体系固化温度160℃降低了近50℃,对甲基苯胺改性双氰胺固化温度高于120℃时,涂膜硬度大于双氰胺固化温度为160℃时涂膜硬度。     

光敏有机硅聚氨酯丙烯酸酯预聚体性能的研究

考查了光引发剂、活性单体对光敏有机硅聚氨酯丙烯酸酯预聚体（PSUA）胶膜的耐水性、拉伸强度、伸长率、硬度、柔韧性和热稳定性的影响。结果表明，胶膜具有优良的耐水性，吸水性低于4％。含单官能度单体的PSUA胶膜的接触角大于含多官能度单体的，含有IBOA的体系接触角达103．6°；当选择引发效率高的裂解型光引发剂，用量为0.5％～1％时，胶膜具有较高的接触角。含多官能度单体胶膜的拉伸强度高于含单官能度单体的体系，但伸长率较小。含TMPTA体系的胶膜的硬度最大，为0．575。胶膜具有较好的柔韧性和热稳定性，其柔韧性达到1mm级，在300℃时失重为4.61％。     

铸片及纵向拉伸工艺对PET薄膜透明度的影响

分析了铸片工艺及纵向拉伸工艺对PET薄膜透明度的影响。通过实验可知PET薄膜的透明度随着急冷辊温度的升高逐渐降低,铸片温度在20℃时所生产的薄膜透明度最高(99.5%),当急冷辊的温度低于20℃或高于40℃时都会造成不正常生产。拉伸温度对PET薄膜透明度影响不大,但拉伸比越大,冷却温度越低,其产品的透明度越高。