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传统透射电子显微镜(TEM)观察液态样品特征时,通常将其先速冻成固态,而原位TEM可以动态地观察液态样品的变化,避免了一些额外因素的影响。设计了一款基于微机电系统(MEMS)技术的非流动原位液体TEM芯片,用于对液态样品结构动态变化的实时观测。采用低压化学气相沉积(LPCVD)法制备50 nm厚的低应力氮化硅薄膜作为芯片的电子束透射窗的材料,并在窗口层上面制作金属网格来加固其承载能力,采用MEMS技术完成了芯片的制造。实验结果表明,TEM芯片在相应的TEM样品杆的辅助下,成功实现了对铜纳米粒子生长过程中形态变化的实时观测。 相似文献
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锰掺杂ZnO稀磁半导体的制备及铁磁性能 总被引:1,自引:1,他引:1
用溶胶-凝胶法,在超声波辅助条件下制备了Mn掺杂ZnO(Zn1-xMnxO,x≤0.05)稀磁半导体(DMS)纳米晶粉末样品.用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)仪、超导量子干涉(SQUID)测磁仪分别对样品形貌、结构和磁性能进行了表征.较低的掺杂浓度下样品很好地保持ZnO的纤锌矿结构,随着掺杂浓度x的增加,样品的晶格常数近似线性增大,没有观察到杂质相.样品Zn0.98Mn0.02O显示了很好的铁磁性,居里温度在350 K以上. 相似文献
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介绍了原位电子学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制务的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较,这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的特点,所形成的金属-半导体界面光滑无缺陷;生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。 相似文献
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文中研究了通过2D1D尺寸限制来调整金属过渡金属二硫化物(mTMDC)的电子及磁性。与实验可获得的半导体TMDC相比,mTMDC单层和纳米带的结合能较大、稳定性更好。与其半导体TMDC相比,2D MX2(M=Nb,Ta;X=S,Se)单层是非铁磁金属。当mTMDC纳米带的带状宽度分别接近13 ?和7 ?时,即分别形成锯齿形和扶手椅边缘终端时,mTMDC从金属过渡为半导体;当纳米带宽度进一步减小时,这些纳米带会转换回金属。Zigzag端接纳米带是铁磁半导体,其磁性也可通过氢边缘钝化来调节,而扶手椅纳米带是非铁磁半导体。研究结果表明,mTMDC具有广泛的物理特性,从金属到半导体,非铁磁到铁磁,较为适合需要具有不同磁性的稳定窄带隙半导体应用。 相似文献
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纳米多孔金(NPG)具有高曲率、高比表面积的结构特征,且比强度较高,作为一种结构功能一体化材料受到广泛关注。然而,影响NPG实际应用的最大障碍之一是其在拉伸作用下内部单根韧带失效导致的塑性失稳。过去的研究主要集中在宏观力学实验的研究,无法直接观察单根韧带的塑性变形行为。随着原位透射电子显微镜(transmission electron microscopy, TEM)的发展,已具备从原子尺度研究NPG中单根韧带塑性变形过程的能力,这对理解NPG变形机理进而合理设计制备高塑性纳米多孔结构金属具有重要意义。本文主要以近几年利用球差校正透射电子显微镜(Cs-corrected TEM)原位原子尺度研究NPG塑性变形的系列工作为例,简要综述了NPG单根韧带在塑性变形过程中位错运动(攀移和滑移)和表面原子扩散行为的最新进展,并对纳米结构金属材料的未来研究进行了展望。 相似文献
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以硝酸铁、硝酸钴和柠檬酸为原料,通过溶胶-凝胶微波加热自蔓延燃烧法制备出了纯的立方尖晶石型铁酸钴(CoFe2O4)纳米粒子,然后通过原位聚合将聚苯胺(PAN)对所得粒径约20~30nm铁酸钴纳米粒子进行了包覆,制得了PAN/CoFe2O4纳米复合物。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等测试手段对所得产物的形貌和结构进行了表征。结果表明,PAN链段与CoFe2O4纳米粒子之间存在作用力,通过原位聚合制得的PAN包覆在CoFe2O4纳米粒子表面,X射线粉末衍射和红外光谱进一步证实了PAN/CoFe2O4纳米复合物的形成。荧光分析结果表明,引入CoFe2O4纳米粒子后PAN荧光强度增强。 相似文献
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利用理论分析和仿真模拟相结合的方法对带状电子注的产生进行了系统的研究,并提出了一种带状注电子枪的设计方法.首先通过理论分析,提出了一种计算带状注电子枪结构参数的迭代算法,即根据注电压、注电流、电子注注腰处半厚度、阴极半厚度和阴极宽度,计算出带状注电子枪的阴极柱面半径、阴阳极间距、阳极柱面半径和射程等主要参数;在此基础上,通过仿真模拟,为毫米波真空电子器件设计了一种带状注电子枪. 相似文献
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为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路. 相似文献
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本文分析研究了甲酸镍二水合物作为催化剂前驱体,多壁管为原料,采用氢电弧放电法制得的双壁碳纳米管样品中不同管壁数目碳纳米管的分布及双壁碳管直径分布,发现样品中单壁和双壁碳管占主要地位,双壁管的内径主要分布在1.67 nm~3.67 nm之间,外径主要分布在2.33 nm~4.33 nm之间.此外,精确测定了三个双壁碳纳米管的螺旋指数,分别为[(28,3)(29,17)],[(19,8)(29,6)]及[(23,15)(28,22)],其电学性能分别为[半导体性,金属性],[半导体性,半导体性]及[半导体性,金属性].同时,观察了在不同条件下的电子辐照效应.结果表明,经辐照碳管的最内层管壁先发生断裂,其形变速度逐渐变慢,单根碳管易依附于大块物质.在相同的辐照条件下,管壁数目越多碳管越稳定.当管壁数目相同时,直径小的管比直径大的管稳定.高加速电压能够加速碳管的变形. 相似文献
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电磁复合场三级几何像差方程的修正与像差系数 总被引:1,自引:1,他引:0
本文基于作者提出的“函数逼近的数值迭代概念”,修正了电磁复合场中电子成像系统的三级几何像差方程式,给出了具有更高精度的像差计算公式和用集中参数形式描述的像差系数表达式,为像差的数值计算和电子光学系统的计算机优化设计提供了实用的理论依据。 相似文献
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综述光电对抗基本特征 ,论述其在现代战争中的地位 ,从电子战的角度论述光电对抗新技术在现代防空作战中的应用。最后指出发展光电对抗技术的趋势以及我军应注意的几个发展方向。 相似文献
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用空间域相减法提高电子全息图再现像的分辨率 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了在数字电子全息记录和再现过程中利用空间域相减法消除自相关项影响的实验和数据处理方法。通过适当改变电子棱镜的电压实现同一样品的离轴电子全息图和像强度分布图的实验记录;在图像相减的数据处理过程中,同时使零级衍射谱的总能量趋于最小值的迭代算法来消除记录过程中全息图和像强度图之间可能存在的能量和位置偏差。给出了有关的实验和数据处理结果。实验结果表明,该方法是可行的。 相似文献
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定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法;采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物NiAl和Co3Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化,据此解释了硼对Ni3Al和Co3Ti的晶界偏聚的特性和力学性能的不同影响。 相似文献