提高发光二极管出光效率的新方法

利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响.测试结果表明,当微孔直径在500 nm左右、腐蚀深度约140 nm时,所得到的表面微结构能使LED在20 mA的注入电流下光功率平均提高18%.     

表面织构对红光LED发光的影响

运用蒙特卡罗法模拟二维红光LED表面织构对LED光提取效率的影响.模拟了不同形状的表面织构对应的光强变化率.选取刻蚀深度为4μm、腐蚀宽度为2μm、倾角为40°、周期为2μm的表面图形对LED进行粗化实验.结果显示,引入表面织构后光强比常规LED提高了20.56%;并对模拟结果与实验结果进行了分析,结果表明引入表面织构可以有效地提高LED的光提取效率.     

借鉴国外经验,浅谈国内大学化学教学改革

为培养新型高素质人才,大学化学教学改革势在必行。本文通过对国内外大学化学教学现状的比较,将国外大学化学教学的宝贵经验应用于国内大学化学课程改革,通过"根据专业差异,开展针对性教学"、"借助计算机及网络辅助教学平台,提高教学质量"、"培养创新能力,注重研究性学习"、"优化考核方式,建立综合评价机制"和"根据化学学科特点,开拓学生视野,激发科研兴趣"五个方面,探索改进高等教育中化学教学的举措。     

自制纳米金属掩模对AlGaInPLED光提取效率的改进

In conventional light-emitting diodes (LED’s), the external efficiency is limited by total internal reflection at the semiconductor-air interface. An LED with a textured top surface can increase the light-extraction efficiency. This paper reports a new method to fabricate AlGaInP-based nanorod light emitting diodes (LEDs) by using self-assemble metal layer nano-masks and inductively coupled plasma (ICP). Light power measurements indicates that the scattering of photons considerably enhance the probability of escaping from the nanorod LEDs. The light-intensity of the nanorod LED is increased by 34% for a thin GaP window layer, and by 17% for 8 μm GaP window layer. The light power of the nanorod LED is increased by 25% and 13%, respectively.     

薄膜AlGaInP发光二极管中不同反光镜的研究

本文计算了GaP/Au 反光镜, GaP/SiO2/Au 三层ODR and GaP/ITO/Au 三层ODR的反射率随角度的变化值。制作了GaAs衬底的AlGaInP LED,Au反光镜、SiO2 ODR和ITO ODR的薄膜AlGaInP LED。在20mA下,四种样品光输出功率分别为1.04mW, 1.14mW, 2.53mW and 2.15mW。制作工艺退火后,Au扩散使Au/GaP反光镜的反射率降至9％。1/4波长的ITO和SiO2透射率不同造成了两种薄膜LED光输出功率不同。ITO ODR中加入Zn可以大大降低LED的电压,但并不影响LED的光输出。     

ICP刻蚀GaP表面形貌控制

不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子（ICP）刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.     

Absorption of photons in the thin film AlGalnP light emitting diode

The path of photons in the thin film(TF) light emitting diode(LED) was analyzed.The reflectivity of reflector in AlGaInP TF LED with and without the AlGaInP layer was contrasted.The absorption of the AlGaInP layer was analyzed and then the light extraction was calculated and shown in figure.The TF AlGaInP LED with 8μm and 0.6μm GaP was fabricated.At the driving current of 20 mA,the light output power of the latter is 33% higher.For the 0.6μm GaP LED,the etching of heavily doped GaP except the ohmic contact dot area is advised. The design and optimizing of current spreading between the n-type electrode and the p-type ohmic contact dot need further research.     

薄膜AlGaInP发光二极管中光子吸收的研究

分析了薄膜发光二极管中光子的路径,对比了AlGaInP薄膜发光二极管的反光镜有无AlGaInP层的反射率,分析了AlGaInP层的吸收并计算了光提取效率。制作了不同GaP厚度的TF AlGaInP LED。在20mA的驱动电流下,0.6μm GaP的LED比8μm GaP 的LED光输出功率高33％。提出了在0.6μm GaP的LED中腐蚀去除非欧姆接触点处的重掺GaP。在n型电极和p型欧姆接触点间的电流扩展的设计和优化需要更进一步的研究。     

基于电网成效贡献度的储备项目量化评价方法及优选排序

“十三五”以来,随着电网公司经营形势日趋严峻,如何科学合理决策电网投资,提高项目安排精准度对企业可持续发展至关重要。针对电网基建储备项目特点,从经济性、安全性、协调性等方面研究电网基建储备项目对电网发展的贡献度,建立了一套科学合理的储备项目评价指标体系。并通过分析每个电网储备项目在经济性、安全性、协调性等方面对整个电网成效评估指标的提升情况,提出了储备项目对电网整体的综合贡献度计算方法,并以单位投资综合贡献度为基础,考虑电网建设时序的影响,构建了电网储备项目的动态优选排序模型。最后以某地区10 kV配电网为基础,对某地区2020年新建或扩建10 kV级别的储备项目进行评估和优选,验证所提电网储备项目评估和优选排序方法的科学性与合理性。     

配电网4种无功补偿方式的比较

电力系统中的电压与无功功率的状况密切相关,电力系统中无功功率的变化,会使各节点电压发生变化,并引起电力线路和变压器的损耗发生变化。当前电力系统装机容量的日益递增,电网建设尤其是配电网络的建设显得明显滞后,致使35kV及以下配电网的损耗问题日益突出。合理的选择无功补偿方式和补偿装置,能有效改善系统的电压质量,提高发、变电设备的利用率,降低网损。经济效益和社会效益极其可观。