固体电解质La_（1－x）Ca_xF_（3－x）的阻抗谱研究

在４２３～７７３Ｋ温度范围内利用阻抗谱测定了多晶固体电解质Ｌａ＿（１－ｘ）Ｃａ＿ｘＦ＿（３－ｘ）（ｘ＝０．０１，０．０３，０．０５，０．０７，０．０９）的电导率随ＣａＦ＿２含量的变化及其在不同温度区间的表现电导激活能。结果表明，掺入１％～９％（ｍｏｌ）ＣａＦ＿２的ＬａＦ＿３其电导率比ＬａＦ＿３单晶有很大提高（１０倍左右），其电导率数量级在１０￣（－４）～１０￣（－２）Ｓ·ｃｍ￣（－１）之间，其中Ｌａ＿（０．９５）Ｃａ＿（０．０５）Ｆ＿（２．９５）具有最高的电导率。     

Sm,Gd共同掺杂的CeO2基电解质性能研究

用Ｓｍ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂ＣｅＯ２基电解质组分（ＣｅＯ２）０．９０（Ｓｍ２Ｏ３）０．０５（Ｇｄ２Ｏ３）０．０５）,可以在较低的温度（１４００－１４５０℃）烧结并较高电导率,８００℃时电导率约为７Ｓ．ｍ＾－１。     

Laβ-Al2O3固体电解质的导电性能

用直接合成法制备了Ｌａβ－Ａｌ２Ｏ３固体电解质。利用阻抗谱测定其电导率,研究了电导率与温度及掺物含量的关系,在４５０－１０００℃温度下电导率为１０＾－６－１０＾２Ｓ·ｃｍ＾－１,活经能为０．８９ｅＶ。用Ｗｅｇｎｅｒ极化电池法测定了电子电导率,在５００－９００℃温度下电子电导率为１０＾－７－１０＾－５Ｓ·ｃｍ＾－１,活化能为０．７４ｅＶ。电子迁移数小于０．０１。     

Y—La—Si—O—N系统氧氮玻璃形成与性能

本研究利用溶胶－凝胶技术制备Ｙ－Ｌａ－Ｓｉ－Ｏ－Ｎ氧氮玻璃配合料，在１大气压Ｎ２气氛中１６００℃左右温度熔制，制备出表观呈灰黑色透明的Ｙ－Ｌａ－Ｓｉ－Ｏ－Ｎ系统氧氮玻璃。实验结果表明氧氮玻璃含氮量为６．７－１０．９ａｔ％；显微硬度Ｈｖ为３．５－６．４７ＧＰａ；断裂韧性为０．６４－１．３８ＭＰａｍ＾１／２，Ｔｇ在１０００℃以上，膨胀系数为１．０５×１０＾－６℃＾－１．     

湿化学法制备0．95Pb（Mg_（1／3）Nb_（2／3））O_3－0．05PbTiO_3铁电陶瓷

用湿化学法制备了钙钛矿相的含量为９９％的０．９５Ｐｂ（Ｍｇ＿（１／３）Ｎｂ＿（２／３））Ｏ３－０．０５ＰｂＴｉＯ＿３（简称０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ）微粉，ＳＥＭ显示其粒度为０．２～０．３μｍ。通过ＸＲＤ确定了合成０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ前驱物的最佳条件为：溶液的ｐＨ值为１．５，反应温度为６０℃。制备０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ陶瓷时，预烧温度为８００℃（２ｈ），烧结温度为１２５０℃（１ｈ）。粉末烧结后制得纯钙钛矿相的０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ铁电陶瓷，其密度为理论密度的９５％，介电常数为１４８００（８００Ｈｚ）。     

二氧化碳传质系数KG.a计算公式的经验回归

采用非线性最小二乘法对本菲尔溶液ＣＯ２吸收传质系数ＫＧ．ａ的数学模型ＫＧ．ａ＝Ａ（Ｌ／０．１０２ｕｌ）＾Ｂ「１＋Ｃ（ＦＣ２－ＦＣ１）Ｍｅ＾（０．０１２ｔ－９．８６９ｐＣＯ２）」中的参数Ａ、Ｂ、和凯洛格Ｂ厂，东洋工程公司和赫尔公司的生产数据进行经验回归，回归后得到Ａ、Ｂ、Ｃ的值分别为０．２７４４，０．２３７６，２．１０９，结果ＫＧ．ａ公式的计算值与实验值的相地残差均在１０％以下。     

螺旋霉素从水溶液中结晶成核动力学

通过测量在不同的加热速率下的最大过热温度得到了螺旋霉素在水溶液中结晶成核的动力学,实级成核速度ｍＮ．ｐ＝７．０８９ｅｘｐ「－１７．９９８×１０＾３（１／２９８．１５－１／Ｔ）．ｅｘｐ（－０．１１９／ｌｎ＾２ｓ）二次成核速率ｍＮ,ｓ＝０．３４１ｅｘｐ」－３．５０８×１０＾３（１／２９８．１５－１／Ｔ」．（ｃ－ｃａ）＾１．３９２并和光散射方法测定估计出初级晶核的大小约为０．０５μｍ。     

（Ba0.5Pb0.5）O.La2O3.4TiO2—（Zr0.8Sn0.2）TiO4复合系统的微波介 …

研究了（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２－（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４复合系统的微波介电性能,烧结性能和微观结构,发现复合系统由（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘＴｉ１８Ｏ４．Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４和（Ｚｒ０．８Ｓｎ０．２）ＴｉＯ４３相组成,而（Ｂａ０．５Ｐｂ０．５）Ｏ．Ｌａ２Ｏ３．４ＴｉＯ２除了（ＢａＰｂ）６－ｘＬａ８＋２ｘ３Ｔｉ１８Ｏ５４和常数,频率温度系数,Ｑ因子主要与其中的相组     

PZN－PFN－PFW系陶瓷的介电性质和钙钛矿相的稳定作用

研究了Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）ｘ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０．６４－ｘ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０．３６Ｏ３（ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ）系陶瓷中ＰＺＮ含量与焦录石相形成间的关系，以及少量添加剂对钙钛矿相的稳定和介电性能的影响。在该系中仅添加０．１５ｗｔ％ＭｎＣＯ３就可制备１００％钙钛矿型结构的陶瓷。文中报导了该系组成的相关系和介电性质。钙钛矿结构的陶瓷介电常数高，电容温度系数较低。     

钛铁矿硫酸浸出动力学研究

研究了攀枝花钛铁矿在硫酸溶液中浸取反应的动力学行为,发现在温度为１００℃－１９８℃、酸矿比为５００：１５时,钛精矿在８５％硫酸溶液中的反应速率同时受矿粒表面反应和表面产物层传质阻力影响,表观反应活化能约６８．４ｋＪ／ｍｏｌ。浸出反应动力学方程为ｔ＝「０．００７６６／（２．７４＊１０＾７ｅ＾－６８４００／ＲＴ）」「１－ｘ）＾１／３」｛１＋（１１－０．０１６Ｔ）「１＋（１－ｘ）＾１／３－２（１－ｘ）＾２／３」｝在酸矿比更低的非等温和准绝热实验中,该方程式可以很好地模拟反应的动力学特性。     

湿化学法制备0.95Pb（Mg1／3Nb2／3）O3—0.05PbTiO3铁电陶瓷

用湿化学法制备了钙钛矿相的含量为９９％的０．９５Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－０．０５ＰｂＴｉＯ３确定了０．９５ＰＭＮ－０．０５ＰＴ前驱物的最佳条件为：溶液的ｐＨ值 为１．５，反应温度为６０℃。     

新显色剂4—（2—吡啶偶氮）—邻苯二酚吸光光度法测定微量Hg（Ⅱ）

研究了新显色剂４－（２－吡啶偶氮）－邻苯二酚（ＰＡＣＰ）与Ｈｇ（Ⅱ）的显色反应。在阳离子表面活性剂溴化十六烷基三甲胺（ＣＴＭＡＢ）及ｐＨ＝９．５ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ缓蚀溶液中,试剂与Ｈｇ（Ⅱ）反应生成稳定的红色配合物,其最大吸收波长为５０３ｎｍ,表观摩尔吸光系数为３．０×１０＾５Ｌ·ｍｉｌ＾－１·ｃｍ＾－１,汞含量在０～３．０×１０＾－６ｍｌｏ·Ｌ＾－１范围内服从比耳定律,该方法应用于合成样和废水中     

制备γ—LiAlO2陶瓷芯块的工艺参数研究

本采用冷压－烧结工艺研究了γ－ＬｉＡｌＯ２陶瓷芯块密度ρ（克／厘米＾３）与压制压力Ｐ（ＭＰａ），烧结温度Ｔ（℃）烧结时间（小时）和添加剂量Ｍ（克ＰＶＡ／克干粉）等工艺参数之间的关系，由实验结果，可归纳出如下关系式：ρ＝２．５×１０＾－３Ｐ＾０．１９Ｔ＾０．７５ｔ＾０．０３３Ｍ＾－０．０５（Ｍ＞０），此式可作为制备γ－ＬｉＡｌＯ２陶瓷芯块的工艺依据。     

玻璃掺杂（SrxBa1—x）TiO3陶瓷基压敏材料的制备,表征及性能

采用陶瓷工艺，制备了钙钛矿结构的（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３粉体，利用溶胶－凝胶技术合成的Ｂ－Ｓｉ－Ｐｂ玻璃对（ＳｒｘＢａ１－ｘ）ＴｉＯ３进行掺杂，所制备的材料具非线性Ｖ－Ｉ特性，非线性系数在３～４之间，当ｘ≤０．３３时，其Ｖ１ｍＡ值低于２０Ｖ．ｍｍ＾－１，ｘ≥０．４０时，Ｖ１ｍＡ值急剧上升，材料制备不需要经过氧化－还原两步工艺过程，对于工业生产具有重要意义。     

α,β,—D—蔗糖甲苷的合成

在盐酸催化作用下异蔗糖与甲醇反应合成α,β－Ｄ－异蔗糖甲苷（２ａ）和（２ｂ）,收率９５％。该异头物（２ａ）和（２ｂ）经乙酰化反应得混合物２,３,４,６－四－Ｏ－乙酰基－α,β－Ｄ异蔗糖甲苷（３ａ）和（３ｂ）。由核磁共振＾１Ｈ和＾１３Ｃ谱证明产物结构。     

LaCrO3—NiMn2O4复合陶瓷的结构分析

将尖晶石型ＮｉＭｎ２Ｏ４及钙钛矿型ＬａＣｒＯ３这二者电阻率较高的半导体陶瓷热敏材料复合并经高温烧结后，其复合体电阻率大幅度降低。应用ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＴＥＭ和ＳＥＭ对复合体结构进行较为系统的研究，结果表明：ＮｉＭｎ２Ｏ４与ＬａＣｒＯ３按一定比例复合后，在烧结过程中两者之间有离子迁移发生，离子迁移的结果使钙钛矿结构的ＬａＣｒＯ３转变为高导电相的Ｌａ［Ｃｒ１－ｘ－ｙＮｉｘＭｎｙ］Ｏ３（０〈ｘ〈１，０〈ｙ     

CaFe0.2Ti0.8O3-δ混合导体的电导和氧渗透性能研究

采用固相反应法制备了致密的高温混合导体ＣａＦｅ０．２Ｔｉ０．８Ｏ３－δ,测量它在９００－１１００℃的总电导率为０．０８－０．１１Ｓ／ｃｍ,氧渗透率为１０＾－８－１０＾－１０ｍｏｌ／ｃｍ＾－２．ｓ结合总电导与氧渗透的数据计算出样品的电子和离子导电率,在１１００℃时分为０．１１和８．５×１０＾－３Ｓ／ｃｍ;氧渗透活化能约为１７０ｋＪ／ｍｏｌ;氧离子和电子电导活化能分别为１７９±６和２２±２ｋＪ／ｍｏｌ     

电导滴定法测定加碘盐中碘酸钾含量

以Ｂａ（ＯＡｃ）２为滴定剂，对ＫＩＯ３溶液进行电导滴定，利用电导率的演变来确定终点，通过计算求得ＫＩＯ３的浓度，检测下限为２．５×１０＾－５ｍｏ·Ｌ＾－１．最佳条件下的相对误差为－０．４％，此法成功地测定了加碘盐中的碘含量。     

Fe2O3—SrO—TeO2系半导体玻璃电导的研究

有准急压冷法制成Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系半导体玻璃并对其直流电导率进行了测定。玻璃形成范围为（以摩尔计）０≤ｆｅ２Ｏ３≤２３％；０≤ＳｒＯ≤１８％；７５％≤ＴｅＯ２〈１００％。通过Ｓｅｅｂｅｃｋ系数的测定确认Ｆｅ２ｏ３－ＳｒＯ－ＴｅＯ２系玻璃为ｎ型半导体玻璃。２００℃的直流是导率为３．７２×１０＾－５－１．８２×１０＾－６Ｓ．ｃｍ＾－１。直流电导率随着Ｆｅ２Ｏ３含量的增加而增加。１６５℃时的     

CeO_2基电解质材料的扫描电镜观察

用Ｓｍ ２Ｏ３和Ｇｄ２Ｏ３共同掺杂ＣｅＯ２基电解质组分（ＣｅＯ２）０９（Ｓｍ ２Ｏ３）００５（Ｇｄ２Ｏ３）００５随着烧结温度的提高,晶粒持续长大,由１４００℃烧结时的２～３μｍ 长大到１６００℃烧结时的１０～１２μｍ ,单位尺寸内的晶界数量减少;各温度烧结样品的断口都呈穿晶断裂。ＣｅＯ２基电解质可以在１４００～１４５０℃烧结并获得较高电导率：８００℃时约为７Ｓｍ － １．随着烧结温度的提高,电导率下降,这可能是由于晶间玻璃相的增多造成的。