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本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺.研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96%氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素. 相似文献
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采用砂磨工艺获得了亚微米氧化铝复合粉体,用于制备微晶氧化铝陶瓷基板,研究了浆料组成对浆料流变学性质、生坯密度、生坯应力-应变行为的影响,以及烧结制度对平均晶粒尺寸和基板抗弯强度的影响。结果表明,固相含量、R值(增塑剂和黏结剂的质量比)和分散剂用量等关键因素决定了流延浆料的流变学性质。R值增大导致生坯强度和密度降低,提高固相含量有利于增加最大可流延厚度,优化工艺条件下可制备0.16~1.20 mm的坯片。当烧结温度为1 550℃、升温速率为2.5℃/min、保温时间为60 min时,制备的陶瓷基板平均晶粒尺寸为1.1μm左右,晶粒尺寸分布均匀,抗弯强度达到(440±25) MPa。 相似文献
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以聚丙烯酸(PAA)为分散剂、聚乙烯醇(PVA)为粘结剂,聚乙二醇(PEG)为增塑荆,采用水基流延法制备了(Sr,Ca)TiO3陶瓷基板.研究表明:浆料pH值为10,分散剂PAA用量为0.8wt%,粘结剂PVA用量为7wt%,塑化剂与粘结剂的用量比值(R)为0.6时,可制备出固含量为56 wt%、分散稳定、具有适当粘度、流动性好的浆料.该浆料经流延,在55℃下干燥30min后,可以得到表面光滑、无裂纹、柔韧性好的流延膜坯,在1320℃下烧结,可以得到致密的(Sr,Ca)TiO3陶瓷基板. 相似文献
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水基流延工艺制备陶瓷材料的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
流延法作为制备片层材料的重要工艺已经被陶瓷研究者广泛应用.但是,有机流延体系带来的环境污染、毒性及易燃性等问题已被社会所关注.因此,研究无毒、无污染的水基流延工艺已得到材料界的广泛重视.本文主要概述了国内外水基流延工艺的研究现状,重点介绍了PVA体系、丙烯酰胺凝胶流延体系、纤维素类粘结剂体系及乳胶体系的不同特点;从粘结剂、分散剂、增塑剂等多个角度分析了影响水基流延工艺的技术因素,并提出了很好的解决方法,最后介绍了乳胶体系水基流延工艺在制备片状或层状陶瓷材料方面的应用. 相似文献
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介绍了聚丙烯流延薄膜在国内外的生产现状和发展趋势。着重评述了挤出流延设备的结构,聚丙烯专用料的性能,流延聚丙烯薄膜的品种,以及流延薄膜的应用。 相似文献
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采用流延成形法制备AlN陶瓷基片,研究了烧结助剂、烧成温度和保温时间对AlN陶瓷基片烧结性能的影响。结果表明:在烧结助剂(CaF2-YF3)的添加量为4%、烧成温度为1650℃、保温3h,能得到结构致密的AlN陶瓷基片,体积密度达3.25g/c。采用XRD、SEM等检测手段对AlN陶瓷基片的物相和形貌进行了分析,揭示AlN陶瓷基片烧结性能与工艺参数之间的关系。 相似文献
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介绍了聚丙烯流延薄膜在国内外的生产现状和发展趋势,着重评定述了挤出流延设备的结构。聚丙烯专用料的性能,流延聚丙烯薄膜的品种,以及流延薄膜的应用。 相似文献
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利用流延成型使α-Si3N4晶须在基体中定向排列,并采用热压烧结技术制备了SGN4陶瓷.用X射线衍射和扫描电镜对陶瓷的物相和显微结构进行了研究,讨论了流延成型对坯体中晶须的分布状态的影响和烧结条件对所得到的块体的显微结构的影响.结果表明:流延成型和热压烧结可以使晶须呈一维定向排布;随着烧结温度的升高,烧结样品的相对密度增大;添加10.6%质量分数)α-Si3N4晶须在1500℃下烧结,Si3N4陶瓷的断裂韧性为9.24MPa·m1/2,Vickers硬度为15.740Pa.在1 600℃α-Si3N4转变成的长柱状β-Si3N4颗粒,大大提高了Si3N4陶瓷的力学性能,其断裂韧性和Vickers硬度分别为10.26MPa·m1/2和16.56GPa. 相似文献
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