LDA侧面泵浦1319nm/1338nm双波长激光器的研究

使用最大泵浦功率为600 W的LDA侧面泵浦组件,并采用布儒斯特偏振片以及同时优化全反镜和输出镜透过率两种方法,获得了功率基本相等的1319 nm/1338 nm双波长激光输出。在连续输出时,获得30 W的输出功率,利用声-光Q开关调Q输出,在重复频率为4 kHz时,单脉冲能量为6 mJ,脉冲宽度为237 ns,峰值功率为25 kW。 更多还原     

850nm大功率垂直腔面发射激光器

针对传统顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)的散热、电极生长以及Au丝引线等难题,研究了一种非闭合型的大功率VCSEL结构,不仅解决了上述问题,还简化了工艺步骤,避免了一些工艺对已形成器件结构造成的损伤,提高了激光器的可靠性以及电流注入效率。利用该结构制作的激光器室温下连续输出最大功率达到46 mW,激射波长为849.5 nm,激射光谱半高宽(FWHM)为0.6 nm;在150 mA的注入电流下,发散角为10°。在室温5、0μs脉冲条件下,测得的最高输出光功率为69 mW。     

基于7 nm NPU预布局的布图优化设计

为了解决7 nm布图设计中直通寄存器在自动布局时不能均匀分布且高宽比相差较大、纵向绕线较多的问题，提出在布图阶段提前布局直通寄存器，并将宏单元放置在模块上下两端以避开直通寄存器密集位置的优化方法；并针对7 nm工艺对宏单元位置的约束，通过工具命令语言（TCL）脚本修复宏单元在布图阶段引起的违例。结果表明：相较于摆放在四周的布图规划，优化后的布图规划中建立时间最差负违例（WNS）减少0.131 ns，负违例总和（TNS）下降约80%，纵向拥塞从9.23%降至0.98%，功耗下降约500 mW；优化布图后执行TCL脚本，宏单元引起的违例下降了288条，相较人工修复节约了90%以上的时间。     

光纤三维微结构的157nm激光微刻蚀

研究了157 nm激光刻蚀光纤三维微结构的基本性能。实验结果表明,石英材料的刻蚀率随脉冲数的增加呈下降的趋势,大光斑的刻蚀率高于同等条件下小光斑的刻蚀率。为提高微孔加工的质量,脉冲频率不宜高于25 Hz。     

976 nm类噪声锁模光纤激光器

输出波长为976 nm的脉冲激光器在科研及工业领域具有重要应用．利用非线性光纤环镜（nonlinear optical loop mirror, NOLM）搭建了“9”字型谐振腔，通过在环镜中加入长度为30 m的无源光纤，实现了类噪声脉冲（noise-like pulse, NLP）输出，丰富了976 nm波段的脉冲类型．脉冲的重复频率为4.79MHz，最大输出功率为13.35 mW，最大脉冲能量为2.79 nJ．进一步研究该NLP在不同泵浦功率的脉冲特性变化，结果表明，脉冲能量以及脉冲宽度均随着泵浦功率的增大而增大，但是其自相关曲线中的相干尖峰宽度随泵浦功率的增大而减小．该研究为976 nm类噪声脉冲的产生提供一种简单经济的方案，在超连续谱产生以及类噪声脉冲动力学研究方面具有潜在应用价值．     

Nd:YAG激光器多波长输出技术与应用研究

介绍了Nd：YAG激光器多波长输出及应用技术,分析了Nd：YAG激光的辐射跃迁能级,论述了抑制1064nm激光的生成从而提高1319nm激光输出等关键技术,研究了光学系统参数,利用氪灯泵浦,实现1064nm、1319am波长激光输出分别达到110W、46W,KTP倍频输出532nm、660nm波长激光分别达到22W、2W．     

400 nm～2 000 nm椭偏光谱仪的研究

建立了计算机自动控制测量 40 0nm～ 2 0 0 0nm椭偏光谱仪系统。经过实验检验了系统的重复性及准确度 ,证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测     

400nm—2000nm椭偏光谱仪的研究

建立了计算机自动控制测量400nm-2000nm椭偏光谱仪系统。经过实验检测了系统的重复性及准确度，证明系统可用于高精度薄膜厚度的检测。     

基于组合法的850nm～950nm滤光片设计与制备

目前使用的薄膜滤光片,其设计与制备有三种基本方式,一是利用特定材料基片,该材料的吸收限正好位于需要的波长处;二是在普通光学玻璃基片上,用真空镀膜法交替形成具有一定厚度的高、低折射率的金属-介质-金属膜或全介质膜,构成法布里-珀珞多光束干涉仪;第三种方式就是前两种方式的组合。本文以组合法为实例,设计并制备出850nm～950nm的全介质硬膜滤光片,可以有效的节约设计时间,简化制造备工艺,降低成本。     

全固态914nm激光器研究

介绍了Nd:YVO4晶体的结构和光谱特性,同时对Nd:YVO4晶体的热透镜效应和焦距进行了理论研究,并进一步对Nd:YVO4914nm激光器的谐振腔进行了设计.     

高效率紧凑紫外355nm激光器

报道一种激光二极管(LD)端面抽运的Nd:YAG激光晶体腔外三倍频355 nm紫外激光器,实验中采用声光调Q技术,选用结构紧凑的平平腔结构,在腔外对1 064 nm基波采用了Ⅰ类相位匹配Li3B3O5(LBO)晶体二倍频、Ⅱ类相位匹配LBO晶体实现了三倍频,获得了较好的光束质量的准连续355 nm紫外激光输出,在激光二极管泵浦功率为28 W时,声光Q开关调制频率为10 kHz时,获得了8.1 W的红外1 064 nm红外激光,紫外单脉冲能量165μJ,脉宽6 ns,峰值功率27.5 kW,808 nm到355 nm的光-光转换率为5.89%,整个系统长度控制在150 mm以内,该激光器结构紧凑,适合产品化。     

LD泵浦Nd:YAG 946nm与1319nm双波长运转理论分析

本文由准三能级和四能级的阈值条件出发,分析了抑制1064nm激光起振的最低镀膜要求,并且利用速率方程理论和两激光的输出特性曲线对泵浦功率为10W时946nm和1319nm双波长的条件进行数值分析和计算,分析表明在泵浦功率为10W、946nm激光的透过率为3%时,为了使两谱线腔内光子数密度相等,对于1319nm激光的透过率应为8%左右,这时两激光的输出功率分别为0.35W和0.6W。本文为等光子数双波长运转提供了一种相应的分析方法,并且提出了RGB激光器的设计方案。     

全固态高效率473nm蓝光激光器

利用LD泵浦Nd:YAG/LBO,三镜折叠腔结构,实现了高效的瓦级蓝光输出.通过时系统的优化,当注入功率为12.3W时,473nm蓝光激光的输出功率为1.3W,光-光转换率达10.6%,并且对激光器输出功率的稳定性进行了分析和讨论.     

Dependence of domain wall structures on repetition n in[Pt（0.5 nm）/Co（0.4 nm）]n/NiO（1.1 nm）/[Co（0.4 nm）/Pt（0.5 nm）]n multilayers

The magnetic force microscopy and a sample vibrating magnetometer have been used to investigate the domain structure in two antiferromagnetically coupled Co/Pt multilayers.In the antiferromagnetic coupled[Pt(0.5 nm)/Co(0.4 nm)]_n/NiO(1.1 nm)/[Co(0.4 nm)/Pt(0.5 nm)]_n multilayers with perpendicular anisotropy,the antiferromagnetic interlayer coupling strength increases linearly with the repetition number n in Co/Pt multilayers.In demagnetized states,relatively shifted domain walls in the two Co/Pt multila...     

808nm激光诱导电化学刻蚀研究

为探讨半导体激光电化学刻蚀的工艺特性,采用808nm半导体激光作为光源,聚焦激光照射浸于溶液中的阳极上,实现激光诱导电化学刻蚀材料。在实验的基础上,通过对金属和半导体材料刻蚀的比较,分析了激光电化学刻蚀硅的工艺特点。实验表明,808nm激光诱导电化学刻蚀工艺是一个光热刻蚀过程,但不适合刻蚀半导体材料。     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

808nm大功率半导体激光器的装配

本文介绍了一种装配808nm大功率半导体激光器的新方法。用P面朝下的方法装配有利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阈值电流，提高了光电转换效率。     

808nm大功率半导体激光器的装配

本文介绍了一种装配８０８ｎｍ大功率半导体激光器的新方法。用Ｐ面朝下的方法 利于器件的散热，将超声键合改为超声热压球焊键合，增加了金丝与管理芯的接触面积，减少了接触电阻，降低了阀值电流，提高了光电转换效率。     

1571nm超窄带干涉滤光片的研制

针对现代光通信中的核心元件之一-密集型波分复用系统中极窄带光学薄膜干涉滤光片的指标要求,在WMS02基片上研制中心波长为1571nm,-0.5dB(透过率为89.12%)带宽大于0.25nm,-25dB(透过率为0.32%)带宽小于1nm的超窄带干涉滤光片.根据薄膜设计理论采用四分之一波长的规整膜系进行膜系设计.应用离子辅助真空镀膜技术,选用Nb2O5/Ta2O5和SiO2氧化物硬质薄膜材料进行实验,重点解决了膜厚均匀性的问题,制备出符合使用要求的滤光片.