用PECVD法制备非晶态GaP薄膜

<正>非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索.     

低铁损非晶态变压器的开发与应用

非晶态材料(Amorphous)是由熔融的金属流牵引在高速旋转的滚轮上急冷成薄带或丝料。它制备过程简单、快速、省能源。非晶态材料是国际上70年代才出现的新型材料。它在半导体、金属电阻、弹性、超声、磁性及金属结构等材料方面有着广泛的用途。非晶态材料中最引人注目的是非晶硅太阳能电池及低铁损电工钢。在能源问题日趋严重的形势下,非晶态材料的开发与应用有着重大意义。     

非晶态电子声子及相互作用

利用非晶态物质的实验数据,通过理论分析,对非晶态电子模型和声子谱进行了分析和研究,得出了非晶态近自由电子模型与自由电子模型有比较高的近似程度,在处理非晶态金属及合金等材料时可以采用自由电子模型;而非晶态声子在低能态密度增加,声子谱低频端软化;由于动量不守恒,电子声子在更大相空间内相互作用,从而导致了2αF(ω)低频端的上升。     

非晶态合金及其离子注入效应

非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新领域,它主要研究离子注入引起的非晶态合金的结构变化和有关现象,并用以测定非晶态合金的抗辐照损伤能力,为探索高抗辐照损伤能力的材料提供依据。 本文在简述非晶态合金主要优良性能之后,介绍非晶态合金离子注入效应研究的基本内容和取得的结果。包括:注入非晶态合金的结构状态;非晶态合金中注入He的研究及由此引起的注入条件(能量、剂量、束流密度)、合金成分、注入前样品的不同预处理等对注入效应的影响。     

电子能量损失谱在Ni3Fe的环境氢脆机理研究中的应用

已有很多研究表明长程有序对金属间化合物的环境氢脆造成显著的影响[1,2]. Ni3Fe合金是一种典型的,不含活性元素且易于得到完全无序和有序状态的金属间化合物,它在室温下无序态和有序态都有一定的塑性,几乎不存在由晶界引起的本征脆性,所以它是研究有序转变对环境氢脆敏感性影响的模型合金.关于金属间化合物的环境氢脆影响机制的说法目前尚无定论,一般认为,氢气在合金表面催化裂解,原子氢在合金表面形成以及吸附进入合金是导致最后的氢脆的反应控制步骤.而氢气在合金表面的催化反应又是与合金表面的电子结构息息相关的.电子能量损失谱是一种相对于常规X射线显微分析来说更为先进的,可用于微区电子结构分析的方法.     

新型软磁材料—非晶超微晶合金及其应用

一、非晶超微晶合金软磁材料 非晶态金属与合金是70年代问世的一个新型材料领域。它的制备技术完全不同于传统的方法,而是采用了冷却速度大约为每秒100万度的超急冷凝固技术,从钢液到薄带成品一次成型,比一般冷轧金属薄带制造工艺减少了许多中间工序,这种新工艺被人们称之为对传统冶金工艺的一项革命。由于超急冷凝固、合金凝固时原子来不及有序排列结构,得到的固态合金是长程无序结构。没有晶态合金的晶粒、晶界存在,称之为非晶合金,     

非晶态材料硅的电子态密度的理论计算

本文提出了一个非晶态材料的电子态密度理论计算模型.模型的基本思想是:先用某种随机方式构造一系列“类晶”,而非晶态材料的电子态密度可由这一系列类晶的电子态密度的平均值来近似.作为本方法的一个例子,我们具体计算了非晶态硅的电子态密度,计算结果与实验结果符合得很好.最后,讨论了一些有关模型的问题.     

性能优异的软磁金属玻璃

金属玻璃的最大特点在于比传统非晶态合金具有显著较大的玻璃形成能力。传统的铁基和钻基软磁非晶合金，为了形成非晶态就必须以105K／s以上（临界冷却速度）的极高冷速将其熔体冷凝来获得。然而铁基和钴基金属玻璃，其临界冷却速度则要比传统非晶态合金慢两个数量级以上，在铜模中即可获得尺寸在mm级以上的大块材料。     

耐写次数达100万次的相变存储器实现量产

相变存储器（Phase Change Memory,PCM）是一种新兴的非易失性存储器技术。PCM存储单元是一种极小的GST（锗、锑和碲）硫族化合物颗粒,通过电脉冲的形式集中加热的情况下,它能够从有序的晶态（电阻低）快速转变为无序的非晶态（电阻高得多）。高电阻的非晶态用于表示二进制数0,低电阻的晶态表示1,     

脉冲化学镀非晶态合金镀层组织结构的研究

本文采用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射仪分析研究脉冲化学镀高磷镍合金镀层及经不同温度加热时镀层组织结构的转变。结果表明：脉冲化学镀非晶态镀层组织结构细致，非晶态结构更具无序密堆性，即短程有序的尺度更小；此外，脉冲化学镀非晶态镀层的热稳定性高于化学镀镀层的热稳定性，即晶化温度向高温推移。两种镀覆工艺的镀层经热处理后的时效析出相是一致的。     

现代磁光薄膜

本文重点叙述了目前常规使用的以非晶态稀土－过渡金属合金基础的磁光存储材料及介质的研究和发展方向，同时对有希望用于磁光记录的另两类新材料－氧化物和多层金属薄膜的化点及存在问题进行了探讨。     

扫描电子显微镜在新材料研究中的应用

本文总结了我们在激光晶体、激光玻璃、激光窗口材料和非晶态金属等新材料研究中应用国产DX-3型扫描电镜所取得的初步结果。     

非晶态硅的TED和TEM的研究

一、引言近年来,非晶态物质的制备和物性研究已受到广泛的重视,大量的研究结果表明,非晶态物质具有许多优异的特性。已经在非晶态半导体、非晶态磁性材料、非晶态超导体、非晶态金属合金等材料中取得了令人注目的进展。在前一工作的基础上,我们利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)对非晶态硅(a—Si:H,a—Si:Cl)薄膜样品进行研究,观测到薄膜样品中的原子团(atom cluster)和微结构,并探讨了其生长机理。二、实验我们采用射频辉光放电(RFGD)方法,使SiH_4(或SiCl_4)气体在射频场作用下离解,产生等离子体,通过     

非晶态半导体的阈值开关机理

从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理.利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理.     

磁头材料的国内外发展概况

本文综述了近期国内外磁头材料的发展概况。对坡莫合金、高硬度耐磨坡莫合金、FeSiAl合金及铁氧体材料进行了介绍。报导了新型磁头芯材料FeSiAl薄带、薄膜磁头材料、非晶态合金及铁磁性金属间化合物的研究进展情况。     

相变光盘材料的静态测试装置

1.相变型可擦除光盘材料的测量,主要是材料反射率变化的测量。相变过程中,状态的变化为多种,我们主要测量晶态到非晶态,或非晶态到晶态的反射率变化。一般来讲,激光短脉的快速加热和冷却作为写入,长脉冲的慢加热和冷却作为擦除,而     

具有短擦除时间的新型相变光记录材料

我们给出一种新型可擦相变介质的实验数据,它首次证明:不必牺牲非晶态的室温稳定性就能获得极短的擦除时间。当用激光使成分为Sb_2Se的薄膜在晶态非晶态之间相互转换时,反射率会有10％的相对变化。20毫瓦、50毫微秒的激光脉冲用来写入非晶态斑点,6.9毫瓦、200毫微秒的脉冲用来擦除。这样在塑料盘上,可观察到43dB的播放载噪比。非晶态斑点晶化前可在显微镜中加热到175℃。透射电镜和X射线衍射示出擦除后的状态是单相多晶态。但这种晶相结构与锑一硒系统中已知的化合物都不相符合。     

可处理任意步延迟OOSMs的最优更新算法

在目标跟踪系统中,因通信延迟会出现传感器量测无序到达融合中心的现象,从而产生无序量测问题。而在系统实际工作过程中,面临的常常是多个无序量测问题。针对此问题,对其常见情形进行分类,在前向预测框架内提出了Dl算法。该算法对无序量测融合周期内各时刻状态估计与协方差矩阵进行更新,可处理任意步延迟无序量测。此外,针对其中单个无序量测,推导出融入等价量测的信息滤波器,无需求状态转移矩阵的逆,且不依赖过程噪声离散化模型。仿真结果验证了算法的精确性与有效性。     

二维各向异性随机介质内光波模式的特性研究

通过建立能够描述各向异性介电常数变化情况的二维随机介质模型,利用时域有限差分法联立求解随机介质中光波所满足的Maxwell方程和激光速率方程,研究了各向异性散射增益材料中的随机激光辐射现象。结果表明随机介质中各向异性散射颗粒的无序程度由空间位置无序和空间方向无序共同决定,空间方向的无序能够加强随机激射的辐射。同时存在两种无序机制的随机介质,在相同条件下它的随机辐射行为要强于仅存在一种无序机制的随机介质。研究结果对于研制新型各向异性随机介质材料具有指导作用。     

远红外辐射釉料

远红外辐射釉料是一种非晶态结构的高效远红外辐射材料,由高效辐射材料和过渡性基质材料组成。本文介绍了高效辐射材料和基质材料各自的和组成后的配方、特性以及烧结工艺,给出了远红外辐射釉料光谱图、X射线衍射图等,得出在高于500K时的全法向发射率ε>0.90,热膨胀系数为3×10~(-6)℃~(-1),与金属基底相近,机械强度高,可广泛应用于军事加温装置和民用加热设备。