协率测量技术及其应用

首先介绍了利用二极管、等效热功耗、真有效值/直流转换器及对数放大器检测功率的方法,然后分别阐述直流功率测量系统、射频功率测量系统的设计。     

用LabVIEW开发射频超导谐振腔垂直测量远程测试系统

射频超导谐振腔垂直测量系统涉及到频率、功率、温度、压力等多个参数的测量,为了保证测量的同时性,提高准确性和精度,需要用计算机来进行控制。为此,我们用LabVIEW开发了射频超导谐振腔垂直测量远程测试系统,通过它实现对仪器的远程控制,采集所需数据,经过数据处理后动态地反映测试结果,提高系统运行的效率。本文介绍射频超导谐振腔垂直测量系统的组成和参数测量原理、系统软件体系及主要功能模块的实现。     

多功能微波功率检测模块设计

对于大多数射频微波系统,微波功率都是一个必不可少的评价指标.对于中小型的微波功率源系统,为满足系统的可测试性,往往需要增加对输出功率的量化检测,但使用仪表功率计则价格昂贵.详细介绍了一种简单、实用、经济性好的微波功率检测模块设计方法.该方法使用线性检波、采样保持、数据采集及软件校准等方法,实现了较高精度的峰值功率、调制脉冲功率信号脉冲重频及脉宽的检测,并通过试验将测试数据与功率计及示波器实际测量对比,验证了使用该方法研制模块测试精度.     

大功率射频同轴连接器的开发

大功率射频同轴连接器是发射系统中重要的组成部分。文章介绍了大功率射频连接器设计时需要考虑的主要因素,功率仿真分析以及元器件大功率射频测试系统的构建。     

射频放电电参数的测量

通过自行研制的传感器,结合网络分析理论,采用数字与计算机技术实现对射频放电电压,电流,相位及功率的测量,除可广泛应用于射频放电的电压,电流,相位及功率测量外,还可对射频放电负载特性及等离子体的伏安特性进行研究与分析。     

一种射频功率检测控制系统的设计方法

介绍了一种宽频带射频功率检测控制系统的设计方法。采用2个支线形式的微带定向耦合器,耦合主通道不同频带的收发信号。通过CPU控制8个射频开关,实现收发信号切换、定向耦合器选择、以及收发信号分离滤波。收发信号的功率检测是通过定向耦合器将主通道的射频信号耦合到检波通道,经信号选择、滤波、放大后进入AD8362,转换为电压信号,然后经CPU的数模转换、查表补偿后上报功率。若检测到接收信号功率大于设置值,自动电平控制启动,CPU配置数控衰减器,将接收信号衰减到设置值以下,实现了收发通道射频信号功率检测上报、自动电平控制,以及多频段兼容。在实际工程设计中,为射频系统架构和电路设计人员,提供参考和依据。     

板对板MSR射频同轴连接器的研发

本文介绍了一种可以适应大的轴向和径向容差的平行电路板对电路板或射频模块对射频模块的射频同轴互联系统。该互联系统在整个大的轴向和径向容差范围内都有良好的射频电气性能,同时能承受较大的工作功率,机械结构强壮,可靠性高。     

利用新的矢量特性测量方法比较混频器的特性

介绍一种用来测量射频混频器的新方法，该方法能给出变频损耗的幅度，相位和群延迟以及输人输出匹配情况。适用于具有互易变频损耗和镜象响应可以被滤除的混频器，且可以与新提出的矢量修正功率方法及传统的功率计测量相比较。文中首次对新方法进行了误差分析。     

浅谈宇航级电连接器射频性能测试技术

宇航级电连接器及其电缆组件是航天系统重要的配套接口元件,相当于航天系统的血液循环和神经系统;散布在各个系统和部位的电连接器及电缆组件,负责整机信号和能量的传输;其射频性能的好坏,直接关系到整个系统的安全可靠运行;射频性能如电缆射频功率测试能是比较前沿的测试技术,目前具备此项测试能力的国内厂家寥寥无几;电连接器的选材及工艺设计水平,决定其射频性能指标的好坏。本文以宇航级电连接器及电缆组件为例,介绍其选材及最常见的射频性能测试项目:电晕电平、连接器电缆组件射频功率及射频高电位耐压;完成这些测试项目的测试,需要使用专业测试系统与测试软件。     

利用新的矢量特性测量方法比较混频器的特性

本文介绍了一种用来测量射频混频器的新方法，该方法能给出变频损耗的幅度，相位和群延迟以及输入匹配情况。适用于具有互易变频损耗和镜象响应可以被滤除的混频器，且可以与新提出的矢量修正功率方法及传统的功率计测量相比较。文中首次对新方法进行了误差分析。     

基于探针阵列的RF天线阻抗测量方法的研究

为研究等离子体放电期间大功率RF天线阻抗变化和满足阻抗匹配器的动态调节的需要,提出了基于探针阵列的RF天线阻抗的测量方法,利用传输线理论,分析了采用探针阵列对大功率RF天线的阻抗进行实时测量的原理,建立了数学模型,构建了天线阻抗的测量系统.该系统集数据采样、数据处理、参数计算等功能于一体,实现了大功率RF天线阻抗的自动测量,给出了系统的实时测量结果.实验结果表明该方法结构简单、可靠、测量精度高、速度快,具有良好的实用价值.     

射频微波功放器件非线性记忆效应测量与行为建模技术的新进展

将综述具有记忆效应的射频微波功放器件非线性表征、测量和行为建模的最新进展。首先通过比较连续波和脉冲射频大信号测量实例,揭示自热与电器记忆效应对射频微波功放器件性能的影响。然后介绍如何将X参数行为模型扩展到考虑了射频微波器件强非线性及长期记忆效应的动态X参数行为模型理论、实验方案和模型记忆核辨识实例。最后展望了非线性长期记忆效应测量与行为建模技术的未来发展研究方向。     

峰值功率分析仪中功率统计技术及其应用

本文首先介绍了基本的微波功率测试技术,然后重点讨论了功率统计分析方法及其在峰值功率分析仪中的具体实现,最后结合当前复杂数字矢量调制信号的功率测试需求,重点探讨了CCDF功率统计方法的应用。结果表明,功率统计分析技术能有效描述数字调制信号的功率统计特性,可广泛应用于对功率峰值敏感的通信系统整机和元器件的设计与测试。     

射频电源研究综述

射频电源是可以产生固定频率的正弦波、具有一定频率的高频电源,主要由射频信号源、射频功率放大器及阻抗匹配器组成,射频电源作为等离子体配套电源,广泛应用于半导体工艺设备、LED与太阳能光伏行业、科学实验中的等离子体发生、射频感应加热、医疗美容及常压等离子体消毒清洗等领域.本文梳理了国内外射频电源发展现状,重点分析电子管射频电源及晶体管射频电源的发展历程及主要技术区别,并详述国内外射频信号源、射频功率放大器及阻抗匹配器技术发展.在此基础上,对我国射频电源的发展提出合理性的建议.     

Hot-carrier induced degradations on RF power characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors

Hot-carrier (HC) effects on high-frequency and RF power characteristics of Si/SiGe HBTs are investigated in this paper. By using the two-tone load-pull measurement, we find that not only the cutoff frequency, but also the output power performances of Si/SiGe HBTs are suffered by the HC stress. In this work, S-parameters and intrinsic elements of an equivalent hybrid-/spl pi/ model were used to validate the HC effects on high-frequency characteristics. With different bias conditions, the degradations of cutoff frequency, power gain, and linearity are found to be worse under constant base-current measurement than that under constant collector-current measurement. The HC-induced degradations on the current gain, transconductance, and ideality-factor of base and collector currents are analyzed to explain the experimental observations.     

一种高精度增量式编码器在直驱风力发电系统中的应用

在使用永磁同步发电机的直驱型风力发电系统中,转子位置和速度的精确检测对实现高性能电机控制非常重要。在转速较低时,常规增量式编码器难以满足测量精度的要求。鉴于此,采用一种高精度的增量式编码器(RF53),其每转输出8192个脉冲,且与数字信号处理器(DSP)的接口电路简单,同时具有较强的抗干扰能力。试验结果表明:采用RF53作为永磁直驱试验系统的编码器,可以获得良好的永磁电机控制性能,能够较好地满足试验中,在转速相对较低时(约200r/min的中速运行范围)对码盘测量精度的要求。     

Temperature rise in a birefringent substrate caused by RF discharge plasma

Temperature rises of a birefringent substrate (LiNbO₃) have been measured in an argon RF discharge plasma. The measurement method is based on monitoring the variation of natural birefringence with temperature by laser interferometry. Using this method, the dependence of substrate temperature rise on applied RF power and gas pressure has been investigated. The evaluation of the temperature curves shows that heat flux from the plasma toward the substrate is independent of time and temperature. The magnitude of the flux differs largely from the applied power, and is approximately 0.4% of the power. By measuring the electron density, electron temperature, and plasma potential with a Langmuir probe, the energy of the ions incident on the substrate is estimated. The ion flux toward the substrate is calculated from the energy of ions and is compared with the measured heat flux. The dependence on the applied power is in approximate agreement between those fluxes. The temperature distribution over the substrate thickness is simulated numerically using the finite difference method. © 1999 Scripta Technica, Electr Eng Jpn, 127(4): 9–17, 1999     

基于GaN器件的固态射频电源应用研究

随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度以及高导通的AlGaN/GaN异质结二维电子气2DEG(two-dimensional electrons gas)等优点。GaN功率器件与硅(Si)功率器件相比,具有导通阻抗低,输入、输出电容小等特性,这些特性使得GaN功率器件高开关速度、低损耗。在E类功率射频电源的基础上,采用GaN功率器件设计制作了一款开关频率为4 MHz、功率可调的全固态射频电源实验样机。通过电路的设计和优化,样机的输出功率为21.4 W时,效率达到了96.7%;同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,实验数据验证了GaN器件开关速度快、损耗低,可大幅度提高射频电源的效率。