关于TFT-LCD工艺过程中ESD改善的研究

在显示器件薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostaticdischarge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件。本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focusionbond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益。     

TFT-LCD产能将实现巨大飞跃2008年增长50％

国际半导体设备与材料协会（SEMI）最新发布的《中国TFT—LCD行业报告》显示，未来两年中国TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器）生产能力将实现巨大飞跃，预计2007年中国薄膜晶体管液晶显示器的生产能力将增长35％，2008年将增长50％。     

TFT-LCD摩擦工艺ESD研究与改善

摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%,大大提高了产品品质,降低了生产成本。     

非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管--用于未来的平板电视

近年来,PLED（聚合物发光二极管）和a-Si TFT（非晶硅薄膜晶体管）技术取得了巨大进展,两者的结合有望成为未来平板电视的主流.三星与杜邦公司已经研制成功14.1英寸的非晶硅薄膜晶体管聚合物发光二极管（a-Si TFT AM-PLED）全彩显示面板.本文介绍该a-Si TFTAMpLED的制作过程,讨论它独特的性能和成本优势,并分析未来平板电视的发展趋势.     

51单片机驱动彩屏的设计

TFT-LCD（Thin Film Transistor—Liquid Crystal Display）即真彩液晶显示器,也称为薄膜晶体管液晶显示器,即我们俗称的“彩屏”。TFT－LCD与无源TN-LCD、STN-LCD的简单矩阵不同,它在液晶显示屏的每一个像素上都设置有一个薄膜晶体管（TFT）,可有效地克服非选通时的串扰,使显示液晶屏的静态特性与扫描线数无关,因此大大提高了图像质量。     

林德进一步扩大在中国TFT—LCD市场的版图与苏州三星电子签订大宗气体供应合同

电子行业领先的气体及解决方案供应商联华林德（Linde Lien-Hwa，林德集团和台湾联华神通集团的合资公司）日前宣布，公司已与三星电子（Samsung Electronics）签订了长期气体供应合同，服务于三星电子位于中国苏州工业园区内最新的第8．5代TFT—LCD（薄膜晶体管液晶显示器件）生产厂。     

高可靠性Cu BCE a-IGZO TFTs的制作

背沟道刻蚀型（BCE）非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管（a-IGZO TFT）具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点,但BCE IGZO器件背沟道易受酸液和等离子体损伤,进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题,随着GOA技术的导入,对TFT器件电学性能的均匀性和稳定性提升的要求也日益迫切,因此开发高信赖性BCE IGZO TFT是技术和市场的迫切要求。本文主要分析了基于IGZO的背沟道刻蚀型薄膜晶体管电学性质,通过优化钝化层材料,色阻材料以及GOA TFT结构等削弱因背沟道水汽吸附引起的器件劣化,偏压温度应力测试结果显示优化后的TFT展现了良好的稳定性——在80℃,栅极30 V负向偏压条件下,2 000 s的ΔV_th小于1 V。最终,利用优化的IGZO TFT制作了215.9 mm（85 in）8K4K 120 Hz液晶显示器。     

京东方科技集体进军TFT-LCD市场

京东方科技集团股份有限公司与北京经济技术开发区签署入驻协议，建设TFT—LCD(薄膜晶体管液晶显示器件）产业基地。今年2月，京东方科技集团以3．8亿美元成功收购韩国现代显示技术的TFT-LCD业务，标志着我国企业第一次掌握了TFT—LCD的核心技术。     

洁净问微环境洁净度管控系统分析

空气净化和洁净室技术是20世纪50年代逐渐形成和发展起来的一门综合性和系统性的新兴技术。它是研究产品工艺和科学实验与其环境的关系,防止产品的生产以及科研的成果受其环境因素的干扰和影响,保护被加工的产品和科研的成果不受有害的污染物质污染的专门技术。但由于现在客户群体的多元化,促使洁净度技术概念从“空调净化”向“受控环境”拓展。最近薄膜晶体管液晶显示模块（TFT—LCD）制造业,随着逐渐要求更高的分辨率产品,导致设计电路线宽变窄、各像素（pixel）大小显著变小的倾向,洁净间内particle管理显得越来越重要。主要通过对薄膜晶体管液晶显示模块（TFT．LCD）产线导入微环境管控后,取得了很好的效果来分析微环境洁净度管控系统。     

肖特TFT-LCD玻璃熔化炉全新亮相——投资6千万元 创造100个就业岗位

总部位于德国美茵兹的科技型企业—肖特股份有限公司（SCHOTT AG）近日宣布其位于耶拿厂的大型薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）玻璃基板全新熔化炉正式投放运行。肖特集团投资6千万欧元，建造了其行2个平板显示器专用的熔化炉，为耶拿的肖特显示器玻璃有限公司创造了100多个就业岗位。     

一种GOA产品静电失效的研究及改善

在TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)行业中,进行摩擦工艺制程时,玻璃基板与机台接触、分离;摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程,都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver on Array)产品,结合摩擦工艺参数、生产环境,进行了一系列静电相关验证。验证发现:摩擦工艺中摩擦布寿命、环境湿度对静电发生影响很大。摩擦布寿命越靠后,静电越容易发生;湿度越大,静电越不容易发生。摩擦机台顶针上升速度、摩擦布类型也对静电发生有一定影响,顶针缓慢上升,静电不容易发生;摩擦棉布较尼龙布静电效果相对较好。而针对摩擦工艺发生的静电失效不良,光配向替代是一种根本的解决方法,导入光配向工艺后,摩擦相关静电失效不良由量产6.8%下降为0%。     

ESD: a pervasive reliability concern for IC technologies

Several aspects of ESD are described from the point of view of the test, design, product, and reliability engineering. A review of the ESD phenomena along with the test methods, the appropriate on-chip protection techniques, and the impact of process technology advances from CMOS to BiCMOS on the ESD sensitivity of IC protection circuits are presented. The status of understanding in the field of ESD failure physics and the current approaches for modeling are discussed     

TFT_LCD驱动芯片GATE／SOURCE静电保护电路设计与实现

文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电（ESD）保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用髓排ESD电路错开呈”品字形“排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应。SOURCE的保护电路中．NMOS的Drain设计了RPO（Resisl Protection Oxide）,使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高。     

Asymmetrical Triboelectric Nanogenerator with Controllable Direct Electrostatic Discharge

This paper presents a novel asymmetrical triboelectric nanogenerator (A‐TENG) to produce, detect, and analyze contact electrification and electrostatic discharge (ESD) in the atmosphere. Thanks to the asymmetrical structures, the direct and continuous ESD phenomenon without any external electronic circuits is, for the first time, discovered by our experiments in A‐TENG. Different from traditional contact‐mode TENG, asymmetrical contact pairs introduce an unstable state, which causes a continuous surface charge increase and eventually the air breakdown. The ESD phenomena have been simultaneously detected and confirmed by a low‐dark‐current photoelectric detector. Four different steps have been summarized to describe irregular ESD transition processes before their stable state. At the same time, the frequency and efficiency of ESD have been generally regulated and controlled by systematically investigating several key influence factors (contact materials, contact pressure, tilted angle, surface morphology, etc.). This asymmetrical structure has proved TENG as powerful and real‐time analytical equipment to explore fundamentals of contact electrification and ESD. Meanwhile, three necessary premises for ESD in TENG can be selectively avoided for the improvement of the stability of TENG.     

Panel污渍分析及改善探究

Panel污渍是TFT-LCD生产中一种常见的不良,它直接影响到产品的画面品质和出售价格,降低产品竞争力。本文通过研究发现大量panel污渍是摩擦产生的含Si元素杂质导致。实验表明:降低制品膜面的粗糙度,使杂质更易去除;通过提升摩擦后的清洗能力,也能有效去除杂质,一定程度降低了panel污渍发生率;而最后通过导入C系列摩擦布,使摩擦过程中产生极少杂质。通过导入以上3种改善措施,最终将55UHD产品的panel污渍发生率从8.2%降至0.2%。     

Zapping thin film transistors

It was expected that hydrogenated amorphous silicon thin film transistors (α-Si:H TFTs) behave similarly to crystalline silicon transistors under electrostatic discharge (ESD) stress. It will be disproved in this paper. This knowledge is necessary in the design of the transistors used in a ESD protection circuit. The goal of this paper was to identify and to model failure under ESD zap. The drain of grounded gate TFTs has been stressed applying repeated square voltage pulses of different duration (100 ns to 10 s). The evolution and the mechanisms of the pre-breakdown degradation will be presented and discussed. Finally, the temperature distribution across an α-Si:H TFT under applied stress will be simulated by means of coupled electro-thermal simulations.     

TFT-LCD制程中ITO残留的产生与控制

铟锡氧化物(indiumtinoxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si:HTFT-LCD)最常用的透明导电材料,其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能。本文主要阐述了TFT-LCD生产中由于ITO多晶化所造成的残留问题,并根据产线的情况对这些影响进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。     

应用PDCA实现湿度敏感器件的有效控制

伴随信息技术快速发展与电子产品的普及和应用,电子产品的使用寿命和可靠性越来越成为人们关注的焦点。在电子产品的制造过程中,ESD(静电放电)和MSD(湿度敏感器件)成了威胁电子产品质量的两大重要因素,直接影响产品测试的直通率和产品的可靠性。MSD器件的失效像ESD破坏一样,具有一定的隐蔽性。MSD失效在测试过程中,也不一定会表现为完全失效。在各种诱发器件失效的机制中,MSD失效在电子制造过程中占据相当高的比例。在审核多家SMT工厂过程中发现,MSD的控制远比ESD的防护要薄弱。文章从工作实践出发,探讨应用PDCA全面质量管理的思路来实现电子产品制造过程中湿度敏感器件的有效控制。