PMOLED发光特性的研究

为了研究PMOLED器件的物理特性。在Alq3主体材料中掺杂C545制备了PMOLED发光器件．其单象素结构为TO（120nm）／CuPc（12nm）／NPB（50nm）／Alq3：C545（30nm）／LiF（1nm）／Al（200nm），色坐标为（0．276，0．589）。该器件的载流予注入模型，在起亮前符合热发射注入模型；起亮后满足遂穿注入模型。PMOLED能较好地满足朗伯定律，并具有响应速度快，视角宽，色彩保真度高等特性。     

采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管

为了得到高对比度的聚合物发光二极管（PLED）．设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为：CrOx／Cr／1TO／Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配．以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14．7：1．这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果，对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。     

TFT-LCD能否赢得大尺寸显示市场

主要介绍了液晶面板发展中伴随着母基板尺寸越来越大所需的技术革新．如喷墨法的使用、掩膜板与溅射工序的取消以及制造成本的缩减等。     

基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展

发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望.     

单异质结蓝色有机电致发光器件

为了增加电子注入,蓝色有机电致发光器件中通常包含一层由发绿光的Alq组成的电子传输层,因此器件的发光常常不可避免地要出现Alq本身的发光从而影响器件的发光色纯度.在以胺类衍生物(N,N'- diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'biphenyl-4,4'diamine,TPD)为空穴传输层,DSA衍生物(4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl, DPVBi)为发光层,当用Liq为电子注入层与Al结合构成复合电极时所制备的双层单异质结蓝色有机电致发光器件中由于去除了Alq而得到色度纯正的DPVBi的发光,同时又保持了较高的发光效率.     

液晶显示器的快速响应技术

一般液晶显示器响应速度较慢,不利于动画显示。本文将介绍几种提高液晶显示器响应速度的方法,如采用新型液晶材料;减少液晶盒厚度;利用光学补偿膜方式;采用过驱动方法和新电极设计技术等。     

液晶电视材料进展

介绍LCD TV在垂直阵列（VA）、共面开关（IPS）和扭曲向列相（TN）等三种模式下，其工作电压和响应时间与液晶材料介电各向异性等主要参数的关系。探讨这三种模式对液晶材料主要参数的要求和这三种模式液晶材料发展状况。由Merck新开发的极性材料A、挥发性材料B以及强极性材料C可很好地改善LCD TV工作电压和响应时间。     

OLED显示技术进展

2007年以有机发光二极管(OLED)为主屏的便携式手机将进入量产阶段。以此为突破口,便携式多媒体游戏机等也已列入采用OLED显示屏的考虑范围之内。但与薄膜晶体管有源驱动液晶(TFT AM-LCD)相抗衡,OLED有待进一步改进。本文从成本、功耗、寿命以及柔性化等方面对现行的OLED技术发展方向做了简要的阐述,并对其作了进一步的展望。     

有机电致发光器件中阴极界面修饰的材料、方法及分类

综述了有机电致发光器件中阴极界面修饰的材料、方法和分类.着重介绍了LiF/Al薄绝缘层/金属复合电极在小分子和聚合物器件中的实验结果和各种原理分析,同时阐述了使用薄绝缘层/金属复合电极作为阴极界面修饰的能级模型和理论模拟.     

温度变色有机电致发光研究

本文报道一种以铕钆络合物(Eu_0.1Gd_0.9)(TTA)₃(TPPO)₂为发光材料的新型有机电致发光器件,该器件工作在77K至300K间不同温度时,电致发光呈现不同的颜色.研究分析表明,温度变色现象源于铕钆络合物配体三重态磷光强度对温度的依赖特性和铕钆络合物之间的能量转移.本文研究了不同温度下,铕钆铬合物配体三重态的磷光强度及三价铕离子荧光强度随温度的变化特性,测定了铕钆络合物的荧光和磷光量子效率.