500kV断路器均压电容器介质损耗超标分析

针对目前变电站中500 kV高压断路器均压电容器在10 kV试验电压下介损试验值超标的现象,对均压电容器的特性进行分析,并在实验室进行了升高试验电压下介质损耗试验。试验数据分析表明:在均压电容器中存在Garton效应,加上现场的高电压及强磁场的干扰,常规10 kV介质损耗试验电压远低于额定电压,很难真实反映均压电容器的绝缘缺陷。而升高试验电压或额定电压下的介损试验可以反映绝缘内部潜在缺陷的类型和发展情况,可以消除Garton效应的影响,更真实地反映均压电容器在运行状况下的介质损耗情况,该方法对于500 kV高压断路器均压电容器的现场试验和绝缘分析有较大的参考价值。     

Garton效应对高压介质损耗现场试验的影响及对策

针对高压介损现场试验中介质损耗(介损)超标的问题,研究影响高压介损测量的Garton效应,结合500 kV断路器均压电容介损现场试验,剖析Garton效应使膜纸复合绝缘电容器介损增大的原因。通过现场测试发现,升高试验电压可以有效降低Garton效应的影响。由此,提出针对电容器介损预试方法的改进建议,对提高电网效益、保障电网稳定运行具有一定的现实意义。     

Garton效应对介损测试的影响及对策

均压电容器是高压断路器的重要设备,其绝缘状态对断路器的可靠运行有着重要影响,对其运行状况进行可靠评估对维护电网安全意义重大。虽然介质损耗因数测量是判断电气设备绝缘情况较为灵敏有效的方法,但均压电容器受试验条件所限,现场介质损耗因数测试多在10 kV及以下开展,由于设备本身Garton效应的存在,有时所测异常数据并不能真实反映设备绝缘状态。论文针对一起500 kV高压断路器均压电容因Garton效应造成的介损测试异常原因进行分析,提出了现场试验中判断设备Garton效应的方法以及应对策略,为500 kV高压断路器均压电容器的状态评价和运行维护提供参考。     

断路器并联电容介质损耗超标分析

监测断路器并联电容介质损耗(简称"介损")是保证其安全稳定运行的一项重要工作。针对某变电站500 kV断路器在预防性试验时(10 kV试验电压下)出现断口间膜纸复合绝缘并联电容介损超标问题,进行高压介损试验,并绘制tanδ-U介损特性曲线作为参考。试验结果表明:介损值随试验电压升高而减小,且较低试验电压下的介损值为较高试验电压下介损值的若干倍,可以判定为Garton效应影响所致。对此,可采用减少混入绝缘中的杂质含量、增加RTV(室温硫化硅橡胶)防污闪涂料、减少无电静置时间等对策,以减小Garton效应对电容介损测量的影响。     

克服Garton效应的高压介损现场试验方法

针对例行介损试验中发现的Garton效应,分析了10 kV下介损试验存在的问题,对现场试验方法进行了探讨,提出了轻便型串谐式高压介损装置测试原理,实现了反接线和多通道方式测量电容器高压介损。结果表明:解决了传统高压介损试验在现场难以开展的测试问题,克服了Garton效应对介损测试结果的影响。     

对某500kV开关断口间并联电容器的高压介损诊断及分析

通过对某500 kV开关断口间并联电容器的高压介损试验结果分析,指出此500 kV开关断口间并联电容器在例行试验所采用的10 kV测试电压下介损测得值超标,这是由于Gart-on效应的干扰使得测得值远远高于实际工作电压下的介损值.通过高压介损试验可以有效避免Garton效应的干扰,得到更能反映实际工作状态的测量结果,从...     

均压电容器介损现场试验的改进措施

均压电容器电容及介损测量是保证断路器安全稳定运行的一项重要工作。现场测量存在感应电严重干扰的问题,而且目前出现越来越多均压电容器按照预试规程10 kV测试电压下介损值超标,而返厂测试又合格的情况。对现场测量方法进行了研究,提出采用改变试验电源频率和提高试验电源电压的方法来进行均压电容器电容及介损测量。首先对改变试验电源频率来实现对现场电磁干扰的屏蔽、均压电容器介损随电压的变化关系进行了理论分析,然后在某500 kV变电站对均压电容器进行了现场电容及介损测试,结果表明改进后的测试方法收到了很好的效果,这个研究成果对均压电容器预试具有指导性意义。     

断路器并联电容器现场高压介损测量研究

随着电压等级不断提高,常规10 kV介损测量方法应用于断路器并联电容器现场电容及介损测量存在着不足,笔者基于变频抗干扰技术原理,提出采取变频电源、外接标准电容器及串联电抗器谐振升压的高压介损测量方法。运用该方法对贺州、河池变电站500 kV断路器并联电容器进行了现场测量,测量结果表明了方法的可行性,并详细分析了测量结果与试验电压、湿度、RTV涂料、测量方式的关系及现场测量影响因素,对准确判断断路器并联电容器绝缘状态有着重要意义。     

500kV断路器均压电容器10kV介损异常现象的研究与探讨

双断口断路器通常在两个断口分别并联均压电容器,以减小杂散电容引起的断口分压不均,保证两个断口承担相同的电压,并限制断口恢复电压陡度,提高断路器的工作可靠性.在均压电容器预防性试验中,发现部分全膜绝缘和膜纸复合绝缘均压电容器出现10kV介损超标或增长较快的现象.对5台缺陷电容器进行了高电压介损、耐压和局部放电等试验,以及绝缘油理化分析和解体等工作,判断绝缘油理化性能劣化和心子击穿是均压电容器10 kV介损超标或增长较快的直接原因,认为高电压介损试验不能作为均压电容器是否具备继续运行条件的唯一标准.基于上述工作,对均压电容器的预防性试验工作提出了建议.     

某变电站500kV均压电容器介质损耗超标分析

对某变电站500kV断路器均压电容器的介质损耗试验,发现部分运行中的油纸式断路器电容器在10kV下介损值不合格。而在额定电压下的高电压介损值却合格的现象。     

电容式电压互感器介损增长异常分析

在电容式电压互感器预防性试验中,发现介损增长异常。对其设备提高试验电压,随着电压从10 kV升高至81 kV,介损下降到0.045%,电容量增大4.42%,当电压继续升高至100 kV,介损及电容量不再变化。通过计算及解体试验证实有6个电容击穿。分析结果表明：由于电容在制造过程中真空度未达到要求,发生局部放电,电容未完全击穿,电阻增大,导致介损增长异常。     

真空灭弧室耐压水平的改进

对于真空灭弧室的静态耐压,本文给出了一改进的模型灭弧室和一些相关的实验结果,证明在解决了外绝缘和老炼工艺问题后,10kV等级的真空灭弧室可以改造用于35kV等级,对于动态介质恢复方面,文中分析了均压屏蔽罩与弧后介质恢复的相互作用,给出了35kV/25kA试品的分断试验结果,说明正确设置均压屏蔽罩可使弧后介质恢复满足更高电压等级的要求。     

特高压电抗器的现场交流耐压试验

交流耐压试验是考核电力设备绝缘性能最直接、最有效的方法。介绍了在1 000 kV南阳开关站对特高压电抗器进行外施交流耐压试验的情况,利用串联谐振的方法进行特高压电抗器的交流耐压试验,通过对补偿电容器和电抗器的合理组合,可以将试验频率控制在工频45～65 Hz之内,满足试验要求。试验所需设备少,对试验电源容量要求不高,适合在现场使用。     

1 000 kV瓷外套金属氧化物避雷器的电位分布研究

按照中国特高压避雷器技术条件和相关国家/IEC标准,研发了1 000 kV瓷外套避雷器。应用3-D电场解析控制技术,解析各种情况下的电位分布,并完成有/无均压电容结构的设计,且完全满足技术条件要求。应用精密漏电流传感器探头,通过整只避雷器试验,证实解析结果的精确度。试验结果表明,无均压电容结构,电位分布不均匀系数为1.14,荷电率为88%;有均压电容结构,电位分布不均匀系数为1.08,荷电率为83%。尽管2种设计都满足技术条件要求,有均压电容结构首先被应用于特高压试验示范工程。对无均压电容结构避雷器,应在特高压交流试验基地带电考核的基础上,应用于将来的特高压工程。     

脉冲电晕法中的双脉冲电源的研制

研制设计了脉冲电晕法脱硫脱硝重要组成部分的双脉冲电源 ,它由高压发生、控制、火花间隙开关 3部分组成 ,可产生 6 0kV的脉冲高压 ,改变电容器容量可改变脉冲宽度。该实验所选电机转速 4 0 0 0r/min ,容性负载 30pF ,脉宽 <2 0 0ns,上升沿 <5 0ns,频率调节范围 0 相似文献   

10kV并联电容器电压保护二次回路接线分析比较

介绍10KV并联电容器电压保护二次回路的3种接线方式，对其工作原理和有关运行方式进行分析比较，给出了建议采用的接线方式。     

High Voltage Pulsed Power Supply Using IGBT Stacks

High voltage pulsed power supply using IGBT (insulated gate bipolar transistor) stacks and pulse transformer for plasma source ion implantation is proposed. To increase voltage rating, twelve IGBTs are used in series at each IGBT stack and a step-up pulse transformer is utilized. To increase the current rating, the proposed system makes use of synchronized three pulse generator modules composed of diodes, capacitors and IGBT stacks. The proposed pulsed power supply uses semiconductor switches as main switches. Hence, the system is compact, and has semi-infinite lifetime. In addition, it has high flexibility in parameters such as voltage magnitude (10-60 kV), pulse repetition rate (PRR) (10-2000 pps), and pulse width (2-5 muS).     

均压电容器介损现场试验的改进措施

均压电容器电容及介损测量是保证断路器安全稳定运行的一项重要工作.现场测量存在感应电严重干扰的问题,而且目前出现越来越多均压电容器按照预试规程1O kV测试电压下介损值超标,而返厂测试又合格的情况.对现场测量方法进行了研究,提出采用改变试验电源频率和提高试验电源电压的方法来进行均压电容器电容及介损测量.首先对改变试验电源...