离子注入形成SOI材料的XTEM分析

近几年来,SOI(silicon on Insulator)材料因用于制备抗辐照、高速CMOS电路及三维集成电路等受到人们越来越多的关注。在各种SOI技术中,离子注入形成SOI材料有其独到的优点,制备工艺简单方便,可获得高质量的表层单晶硅。本文以XTEM研究大束流,高剂量的氮离子或氧离子注入单晶硅形成的SOI材料,用于确定表面层硅的辐照损伤和氮化硅或氧化硅埋层剖面的显微结构。注N~+SOI试样的制备,采用Φ50毫米的硅晶片(n型、3～6Ωcm,<110>)注入能量为190kev,剂量为1.8×10_1~(18)N~+/厘米~2,N~+束流密度为50微安/厘米~2.注入后试样表面利用CVD方法淀积350纳米     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

一种新型离子源——LY-3型离子源

本文介绍了LY—3型——永磁冷阴极电子振荡型离子源(以下简称LY—3型离子源)的结构设计和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar等作放电物质。在放电功率小于50瓦的情况下,引出总束流强度可达4毫安。用于LC—2B中能离子注入机靶上(11)~B~+和的束流强度大于200微安,(40)~Ar~+的束流强度(当主高压为零时)大于600微安,同时具有较高成份的多电荷态离子。     

全机械扫描强流离子注入机重复性研究

对影响全机械扫描强流离子注入机剂量重复性的因素进行了分析。对束流纹波的影响建立了数学模型，计算了束流纹波对剂量重复性的影响。结果表明只要束流纹波在9％以内，剂量重复性可控制在1％以下。     

液体氟里昂(F113)冷却装置在注入机上的应用

<正> 问题的提出 随着半导体工艺水平的不断发展,集成度的提高以及图形尺寸的缩小,对离子注入机也提出了更高的要求,特别是对束流强度、扫描面积、注人剂量、均匀性、重复性等方面更有新的要求。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究

离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10~(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。本文根据几种新型linac结构     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

国外离子注入机发展概况

离子注入机经过二十多年来的发展,其主要技术指标,如加速能量、束流、注入剂量控制的均匀性和重复性以及生产率等都已达到较高的水平,在半导体工业中获得广泛的应用。国外从事离子注入机生产的主要工厂从1971年的八家增加到14家左右。据80年的统计材料,全世界离子注入机的销售总额为8890万美金,如平均按每台30万美元折算(80年的价格),相当于年产量为300台左右。据最近国外文献报导,近几年离子注入     

离子注入机的有用束流

束流是离子注入机的一个重要技术指标,是生产注入机厂家和用户都特别关心的问题。人们通常用这个指标对同类型机器进行性能对比,来评价机器的优异程度。我们了解到不少机器的法拉第筒测得的束流,并不就是晶片上接收的束流。晶片上接收的束流,本文称为离子注入机的有用束流,通常它是小于或等于法拉第筒测得的束流。对于用户来说,最有实际意义的是有用束流。所以,我们在评价机器的生产能力时,应该注重的是考查机器的有用束流的大小。     

256MDRAM时代的离子注入机

２５６ＭＤＲＡＭ时代的离子注入机村上隆志，高桥武人，川崎洋司随着ＤＲＡＭ器件高密度的发展，对离子注入机提出了更高的要求，离子注入技术为适应这种需求也迅速发展起来。ＤＲＡＭ各个时期的设计尺寸、圆片尺寸、离子注入技术的发展过程如图１所示。近几年来，中束流...     

EatonCorp离子注入设备制造公司

ＥａｔｏｎＣｏｒｐ离子注入设备制造公司Ｅａｔｏｎ公司半导体设备部已取得三种离子注入机均衡发展的信誉。其高能、大束流及中束流离子注入机是三大离子注入设备市场的一流产品，是唯一能够满足用户全线离子注入机需求的供应商。Ｅａｔｏｎ公司从１９７９年开始销售第一...     

提高J5960A型60kV离子注入机的B~+束流强度

本文介绍了提高J5960A型60kV离子注入机B~+束流强度的实验研究与改进工作。通过改进离子源和引出系统使机器的B~+束流由原来的几个微安提高到50μA,此外,还可用作注H~+、He~+、Be~+、C~+、N~+、O~+、F~+等。其中N~+、He~+、H~+的靶流可大于100μA,扩大了该机的应用范围,并提高了工作效率。     

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅（SiC）离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备，其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状，模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性，并与实际验证结果进行了对比。结果表明：现有SiC离子注入机光路在50～350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性，能够满足SiC离子注入工艺需要。     

指数式离子剂量仪与均匀性检测装置

<正> 由于离子注入机注入晶片的离子(如B、P、A等)数量及注入深度等均可严格控制,故比传统工艺优越得多。特别是在中、大规模集成电路及一些特殊用途器件生产中,已成为必不可少的工艺设备之一。 随着半导体工艺水平的不断提高,对离子注入机的扫描面积、注入剂量、均匀性、重复性等方面提出了更高的要求。根据目前半导体生产的实际需要,我们研制了一套检测离子剂量与均匀性的装置,供微控中束流离子注入机使用。该装置手动工作时,作离子剂量仪使用,剂量预置最大范围达1×10~(19)离子/厘米~2,     

兆电子伏离子注入机“RFQ—1000”及其应用

目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称MeV)离子注入引起了人们极大的注意,因为对于VLSI制造提出的要求,预计它是最可行的解决办法之一。为了实现这种可能性,第一次在离子注入领域中采用了RFQ(射频四极透镜)加速器,并且已经研制成功一台“RFQ—1000”MeV离子注入机。首先,本文将简要地介绍这种注入机研制的基本情况,重点则放在介绍RFQ上。其次是概括性地给出系统结构和特征。接下来是介绍注入机的详细性能,如束流的大小,能量的可变范围,剂量的均匀性,尘粒性能等等。然后,把着眼点放在应用上,简要地评述了MeV离子注入在器件制造中应用的目前状况。最后展望了这种注入机今后在化合物半导体和对材料表面改性方面应用的前景。     

高能离子注入机的三极加速装置

为了把瓦里安强离子注入机的电压提高到160kV,我们设计了一种新式的高压前级,其束引出和加速是在一个结构紧凑的三间隙电极装置中完成的,此装置的每个间隙电压都按70kV设计。当能量超过70keV时,束流就通过全部三个间隙电极来加速,在70keV和70keV以下时,此装置就可以减速方式工作,束在第一个间隙上以最高电压70kV引出,随后在另外两个间隙上减速到注入能量。本文介绍了这个装置的详细情况和由此得到的束流与能量的关系。     

国外大束流离子注入机市场动态

离子注入机从70年代开始应用于半导体掺杂以来,已经取得了很大的进展。从其应用范围来看已从半导体掺杂扩大到对金属注入(即材料改性)、制造太阳能电池和在绝缘物上生长单晶等。从它的品种来看已从小束流发展到中束流(0.5—1mA),大束流(1～10mA)和特大束流(100～200mA)。能量从中能(100～200keV)发展到